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絕緣柵雙極晶體管(IGBT)
- 一、IGBT的工作原理 電力MOSFET器件是單極型(N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電)、電壓控制型開關(guān)器件;因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小,開關(guān)速度快;但通態(tài)降壓大,難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型(其中,電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電)、電流控制型開關(guān)器件;因此其通-斷控制驅(qū)動功率大,開關(guān)速度不夠快;但通態(tài)壓降低,可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點,棄其缺點,20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機(jī)制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字: IGBT 半導(dǎo)體材料
2SD315A在驅(qū)動大功率IGBT中的應(yīng)用
- 引言 IGBT常用的驅(qū)動模塊有TLP250,以及EXB841/840系列的驅(qū)動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發(fā)現(xiàn),由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中,而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時驅(qū)動電流大,要求可靠性要高,使得傳統(tǒng)的驅(qū)動電路已經(jīng)不能滿足其使用要求,經(jīng)過研究分析,選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專用集成驅(qū)動模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動器件,該驅(qū)動器集成了智能驅(qū)動、自檢、
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IGBT 2SD315A 模擬IC 電源
IGBT集成驅(qū)動模塊的研究
- 引言 隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展,絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件,兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點:輸入阻抗高,驅(qū)動功率小,通態(tài)壓降小,工作頻率高和動態(tài)響應(yīng)快。目前,市場上500~3000V,800~l800A的IGBT,因其耐高壓、功率大的特性,已成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。 1 驅(qū)動保護(hù)電路的原則 由于是電壓控制型器件,因此只要控制IC
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) IGBT 集成驅(qū)動 嵌入式
以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計
- 全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長,甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年,市場對變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟,變頻器市場競爭也日益激烈,對產(chǎn)品性價比的要求不斷提高。 標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現(xiàn)主電路中的6個開關(guān),現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外,一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗
- 關(guān)鍵字: 選型 元器件 變頻器 IGBT 元件 制造
飛兆推電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS
- 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS,可以在應(yīng)用中省去用于檢測大電流的檢測電阻,從而將功耗降低30%并減少由此帶來的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能,能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻,成功簡化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計,提供了高能量密度的點火IGBT。這項技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會影響性能。 &n
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆 電流檢測 IGBT FGB3040CS 基礎(chǔ)儀器
Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊
- Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計用于電機(jī)控制,采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20~50KHz高頻應(yīng)用,采用場溝漕截止IGBT用于5~20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實現(xiàn)過熱保護(hù)。 快速NPT類IGBT的電流等級分別為:30A~50A/600V、15~25A/1200V;場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為:20A~75A/600V,25A
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) Microsemi IGBT 電源模塊 電源
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 摘 要:以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例,介紹IPM的結(jié)構(gòu),給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計方案,介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞:IPM:電路設(shè)計;PM200DSA060;逆變器 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IPM 電路設(shè)計 PM200DSA060 模擬IC 電源
通用光纖隔離驅(qū)動在大功率IGBT中的應(yīng)用
- 引言自MOSFET及IGBT問世以來,電壓控制型電力電子器件,特別是IGBT正經(jīng)歷一個飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高,電流越做越大。同時,與之配套的驅(qū)動器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣,電源設(shè)備變換功率越來越大,電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力,提高驅(qū)動耐壓等級。于是,光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動的幾種方式不同功率等級的IGBT,對驅(qū)動的要求不盡相同,表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動方式的比較。 由表l可知,在大功率
- 關(guān)鍵字: IGBT 大功率 光纖 通訊 網(wǎng)絡(luò) 無線
單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關(guān)鍵字: IPM MOSFET 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 模塊
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