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絕緣柵雙極晶體管（IGBT）

  • 一、IGBT的工作原理 　　電力MOSFET器件是單極型（N溝道MOSFET中僅電子導(dǎo)電、P溝道MOSFET中僅空穴導(dǎo)電）、電壓控制型開關(guān)器件；因此其通、斷驅(qū)動控制功率很小，開關(guān)速度快；但通態(tài)降壓大，難于制成高壓大電流開關(guān)器件。電力三極晶體管是雙極型（其中，電子、空穴兩種多數(shù)載流子都參與導(dǎo)電）、電流控制型開關(guān)器件；因此其通-斷控制驅(qū)動功率大，開關(guān)速度不夠快；但通態(tài)壓降低，可制成較高電壓和較大電流的開關(guān)器件。為了兼有這兩種器件的優(yōu)點，棄其缺點，20世紀(jì)80年代中期出現(xiàn)了將它們的通、斷機(jī)制相結(jié)合的新一代半導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： IGBT  半導(dǎo)體材料  

2SD315A在驅(qū)動大功率IGBT中的應(yīng)用

  • 　　引言 　　IGBT常用的驅(qū)動模塊有TLP250，以及EXB841/840系列的驅(qū)動模塊。但在燃料電池城市客車DC/DC變換器的研制過程中發(fā)現(xiàn)，由于車載DC/DC變換器常常工作在大功率或超大功率的狀態(tài)中，而處在這種狀態(tài)下的IGBT瞬時驅(qū)動電流大，要求可靠性要高，使得傳統(tǒng)的驅(qū)動電路已經(jīng)不能滿足其使用要求，經(jīng)過研究分析，選用瑞士CONCEPT公司生產(chǎn)的用于驅(qū)動和保護(hù)IGBT或功率MOSFET的專用集成驅(qū)動模塊2SD315A作為大功率IGBT(800A/1200V)的驅(qū)動器件，該驅(qū)動器集成了智能驅(qū)動、自檢、
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IGBT集成驅(qū)動模塊的研究

  • 　　引言 　　隨著電力電子技術(shù)朝著大功率、高頻化、模塊化發(fā)展，絕緣柵雙極品體管(IGBT)已廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、變頻器、電機(jī)控制以及要求快速、低損耗的領(lǐng)域中。IGBT是復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件，兼有MOSFET和GTR的優(yōu)點：輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，通態(tài)壓降小，工作頻率高和動態(tài)響應(yīng)快。目前，市場上500~3000V，800～l800A的IGBT，因其耐高壓、功率大的特性，已成為大功率開關(guān)電源等電力電子裝置的首選功率器件。 　　1 驅(qū)動保護(hù)電路的原則 　　由于是電壓控制型器件，因此只要控制IC
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以創(chuàng)新的IGBT技術(shù)、合理的器件選型和有效的系統(tǒng)手段優(yōu)化變頻器設(shè)計

  • 　　全球?qū)τ诠?jié)能和綠色能源的需求使得馬達(dá)變頻驅(qū)動在工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域不斷增長，甚至還擴(kuò)展到民用產(chǎn)品和汽車領(lǐng)域。因此在過去幾年，市場對變頻器的需求量和相應(yīng)的產(chǎn)量一直在持續(xù)增長。隨著產(chǎn)量的不斷擴(kuò)大和技術(shù)趨向成熟，變頻器市場競爭也日益激烈，對產(chǎn)品性價比的要求不斷提高。  　　標(biāo)準(zhǔn)的三相交流驅(qū)動變頻器使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 來實現(xiàn)主電路中的6個開關(guān)，現(xiàn)在除少量小功率、低成本變頻器采用分立IGBT器件外，一般工業(yè)變頻器均采用模塊化IGBT(包括IPM)。模塊化概念為用戶提供了一個采用絕緣封裝且經(jīng)過檢驗
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飛兆推電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS

  • 飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)日前推出一顆電流檢測用點火IGBT器件FGB3040CS，可以在應(yīng)用中省去用于檢測大電流的檢測電阻，從而將功耗降低30%并減少由此帶來的熱量。FGB3040CS具有電流檢測功能，能以小型的低電流檢測電阻替代高功率的檢測電阻，成功簡化系統(tǒng)元件的需求及降低總體成本。FGB3040CS采用EcoSPARK技術(shù)設(shè)計，提供了高能量密度的點火IGBT。這項技術(shù)可讓芯片尺寸縮減到能夠裝入D-Pak封裝中而不會影響性能。   &n
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Microsemi發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊

  • Microsemi Corporation日前新推出一系列采用SP3緊湊封裝的標(biāo)準(zhǔn)IGBT三相橋式電源模塊。該系列電源模塊設(shè)計用于電機(jī)控制，采用快速NPTIGBT的3相IGBT橋用于20～50KHz高頻應(yīng)用，采用場溝漕截止IGBT用于5～20KHz的低頻應(yīng)用。所有新款整流器都集成有用于監(jiān)控模塊內(nèi)部溫度的傳感器以實現(xiàn)過熱保護(hù)。  快速NPT類IGBT的電流等級分別為：30A～50A/600V、15～25A/1200V；場溝漕截止型IGBT的電流等級分別為：20A～75A/600V，25A
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單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

  • 摘  要：以PM200DSA060型智能功率模塊(IPM)為例，介紹IPM的結(jié)構(gòu)，給出。IPM的外圍驅(qū)動電路、保護(hù)電路和緩沖電路的設(shè)計方案，介紹PM200DSA060在單相逆變器中的應(yīng)用。關(guān)鍵詞：IPM：電路設(shè)計；PM200DSA060；逆變器 1 引言    智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM
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通用光纖隔離驅(qū)動在大功率IGBT中的應(yīng)用

  • 引言自MOSFET及IGBT問世以來，電壓控制型電力電子器件，特別是IGBT正經(jīng)歷一個飛速發(fā)展的過程。IGBT單模塊器件的電壓越做越高，電流越做越大。同時，與之配套的驅(qū)動器件也得到了迅速發(fā)展。隨著器件應(yīng)用領(lǐng)域越來越廣，電源設(shè)備變換功率越來越大，電磁T擾也相應(yīng)增強(qiáng)。為此必須提高控制板的抗干擾能力，提高驅(qū)動耐壓等級。于是，光纖的使用也就成為了必然。 1 ICBT驅(qū)動的幾種方式不同功率等級的IGBT，對驅(qū)動的要求不盡相同，表1給出了目前常用的幾種驅(qū)動方式的比較。 　　  由表l可知，在大功率
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智能功率IGBT和MOSFET讓汽車更加舒適環(huán)保

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： IGBT  MOSFET  汽車  

單相逆變器智能功率模塊應(yīng)用電路設(shè)計

  • 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module，IPM)以開關(guān)速度快、損耗小、功耗低、有多種保護(hù)功能、抗干擾能力強(qiáng)、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領(lǐng)域得到越來越廣泛的應(yīng)用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應(yīng)用電路設(shè)計和在單相逆變器中的應(yīng)用。 2 IPM的結(jié)構(gòu) IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護(hù)電路構(gòu)成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合，由MOSFET驅(qū)動GTR，因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
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IGBT高壓大功率驅(qū)動和保護(hù)電路的應(yīng)用研究

基于IGBT的電磁振蕩設(shè)計

  • IGBT是絕緣柵極雙極型晶體管。它是一種新型的功率開關(guān)器件，電壓控制器件,具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性強(qiáng)、耐壓高方面的優(yōu)點，因此在現(xiàn)實電力電子裝置中得到了廣泛的應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  電磁振蕩    

倍頻式IGBT高頻感應(yīng)加熱電源負(fù)載短路的保護(hù)

  • 在工件淬火和焊接等工藝中，由于各種原因會造成電源負(fù)載端突然短路。為了減小負(fù)載短路時產(chǎn)生的浪涌電流對功率管的沖擊，采用降柵壓慢關(guān)斷技術(shù)，增強(qiáng)功率器件的瞬時過流能力，同時選擇合適的Cd和／LT的值，可以在一定程度上減小浪涌電流的大小，從而更好地保護(hù)功率管和主電路。
  • 關(guān)鍵字： 負(fù)載  短路  保護(hù)  電源  加熱  高頻  感應(yīng)  IGBT  

單電源供電的IGBT驅(qū)動電路在鐵路輔助電源系統(tǒng)中的應(yīng)用

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igbt-ipm介紹

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