- 三菱電機(jī)攜同汽車用J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊，大受廠家歡迎。
受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴(kuò)大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達(dá)驅(qū)動的功率半導(dǎo)體模塊，
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三菱 EV-IPM EV T-PM
- 三菱電機(jī)最新開發(fā)的Smart-1系列IGBT模塊，首度在6月21日于上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，連同其大受市場歡迎的V1系列IPM、新型PV-IPM和新型MPD系列模塊，向參觀者展示其強(qiáng)大的變頻工業(yè)技術(shù)，為客戶提供面積更小、損耗更低、和容量更大的功率模塊，深受業(yè)內(nèi)人士歡迎。
三菱電機(jī)的最新開發(fā)的Smart-1
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三菱 IGBT
- 摘要：分析了IGBT構(gòu)成的交流傳動逆變器的主電路原理、逆變電路結(jié)構(gòu)及緩沖保護(hù)電路結(jié)構(gòu)，并對主電路的安裝布局以及電壓電流參數(shù)的選取做出了說明，同時提出了一種由M57959構(gòu)成的IGBT驅(qū)動電路的設(shè)計，該電路對逆變器的
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逆變器 設(shè)計 傳動 交流 構(gòu)成 IGBT
- 盡管標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)燃機(jī)驅(qū)動的汽車可以相對輕松地從12V電池供電和相應(yīng)的12V/14V交流發(fā)電機(jī)獲取車載系統(tǒng)的電氣需...
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混合動力 電動車 大功率器件 IGBT MOSFET
- ????? ?5月31日，在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會（5月17日至19日）上，英飛凌科技展出的一系列創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案生動地詮釋了大會的宣傳口號“高能效之道（Energy – the efficient way）”。這些產(chǎn)品和解決方案可確保大幅降低電子設(shè)備和機(jī)器的能耗。
???? ? 國際能源機(jī)構(gòu)（IEA）預(yù)計，今后20年，全球能耗
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英飛凌 IGBT CoolMOS
- 本文介紹的激光電源為工作于重復(fù)脈沖方式的固體激光器提供電能。該激光器采用氙燈作泵浦光源，在惰性氣體燈中，氙氣的總轉(zhuǎn)換效率最高。激光器用于激光打標(biāo)，工作頻率每秒60次。電源系統(tǒng)采用IGBT管全橋逆變方式，工作頻率為20kHz，控制電路采用PWM方式。
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原理 性能 分析 電源 激光 IGBT 脈沖 橋型
- 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌科技(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)600V逆導(dǎo)型(RC)IGBT家族的兩名新成員閃亮登場。這兩款新的功率開關(guān)器件可在目標(biāo)應(yīng)用中實現(xiàn)最高達(dá)96%的能效。利用這些全新推出的RC-D快速IGBT，可以設(shè)計更高能效的電機(jī)驅(qū)動家用電器，它們使用更小的組件，因而總成本低于同類系統(tǒng)?！?/li>
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英飛凌 IGBT
- 在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(5月17日至19日)上，英飛凌科技展出了最新EconoPACK? + D家族——額定電流最高為450A的最新一代1200V和1700V系列功率半導(dǎo)體模塊。以業(yè)界享有盛譽的EconoPACK?+平臺為藍(lán)本，英飛凌開發(fā)了新的EconoPACK ? + D系列，以滿足諸如可再生能源系統(tǒng)、商用電動車輛、電梯、工業(yè)驅(qū)動裝置或電源等應(yīng)用不斷提高的要求。得益于諸如超聲波焊接功率端子、優(yōu)化基板結(jié)構(gòu)或可靠
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英飛凌 IGBT
- 介紹了IXYS公司大功率IGBT驅(qū)動芯片IXDN404的特點及性能，并在此基礎(chǔ)上，根據(jù)IGBT驅(qū)動的實際要求，設(shè)計出了一種具有過流保護(hù)及慢關(guān)斷功能的簡單有效的驅(qū)動電路，給出了實際電路圖和驅(qū)動波形。關(guān)鍵詞：IGBT；驅(qū)動與保護(hù)
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應(yīng)用 改進(jìn) IXDN404 芯片 驅(qū)動 IGBT
- 據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費領(lǐng)域的需求增長，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長一倍以上。
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IGBT MOSFET
- 摘要：文中對大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開關(guān)特性、驅(qū)動要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實用的IGBT驅(qū)動電路，并通過理論分析和仿真波形說明了該驅(qū)動電路的有效
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設(shè)計 仿真 電路 驅(qū)動 條件 IGBT 高頻
- 2008年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，全球的經(jīng)濟(jì)形勢受到重創(chuàng)。歐洲作為光伏最大的市場，受到的影響最為顯著。不少歐洲國家縮減了光伏電站的開支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計劃。中國作為世界上最大的太陽能電池產(chǎn)地，對出口有較強(qiáng)的依賴性，以消化產(chǎn)能。
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光伏 IGBT
- 英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個就業(yè)機(jī)會。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。
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英飛凌 IGBT
- 按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成 ，射頻接口部分是研究的重點。
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電路設(shè)計 驅(qū)動 可靠性 IGBT 基于
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