基于iGaN的300W高能效游戲適配器參考設(shè)計(jì)

• 在科技演進(jìn)浪潮中，能源技術(shù)已逐漸成為現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動力。從移動設(shè)備到云服務(wù)器，從電動車到智慧城市，科技產(chǎn)品日益強(qiáng)調(diào)效能、速度與可持續(xù)能源的平衡，而這一切的背后都需要更高效、更穩(wěn)定的電源轉(zhuǎn)換技術(shù)。 隨著各種應(yīng)用對能源效率與功率密度的要求不斷提高，傳統(tǒng)以硅（Silicon, Si）為基礎(chǔ)的功率元件正面臨物理與性能的極限挑戰(zhàn)。這也促使業(yè)界開始尋求更具潛力的新型材料，其中氮化鎵（Gallium Nitride, GaN）無疑是最具代表性的技術(shù)之一。本文將介紹GaN技術(shù)優(yōu)勢、安森美iGaN概述、VD
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