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英特爾拿下首套High-NA EUV，臺積電如何應對？

  • 英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數(shù)值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節(jié)點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業(yè)界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業(yè)界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
  • 關鍵字： 英特爾  High-NA EUV  臺積電  

ASML：數(shù)值孔徑0.75超高NA EUV光刻設備2030年登場

  • 據(jù)日本媒體報導，光刻機設備龍頭阿斯麥（ASML）執(zhí)行副總裁Christophe Fouquet近日在比利時imec年度盛會ITF World 2023表示，半導體產業(yè)需要2030年開發(fā)數(shù)值孔徑0.75的超高NA EUV光刻技術，滿足半導體發(fā)展。Christophe Fouquet表示，自2010年以來EUV技術越來越成熟，半導體制程微縮至2020年前后三年，以超過50%幅度前進，不過速度可能會在2030年放緩。故ASML計劃年底前發(fā)表首臺商用High-NA（NA=0.55）EUV微影曝光設備（原型制作），
  • 關鍵字： ASML  NA  EUV  光刻設備  

SK海力士引領High-k/Metal Gate工藝變革

  • 由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設置下也實現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
  • 關鍵字： SK海力士  High-k  Metal Gate  

可穿戴與IoT用DC/DC：如何實現(xiàn)納安級消耗電流？ 　

  • 可穿戴等市場發(fā)展快。DC/DC轉換器成為影響這些產品電池壽命的重要器件。ROHM的BD70522GUL超輕載消耗電流只有180 nA，通過電路、布局和工藝實現(xiàn)。
  • 關鍵字： 可穿戴  DC/DC  降壓型  輕載  nA  201804  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關鍵字： 制作  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

High-end A4監(jiān)聽音箱的制作方法

  • 一、設計及制作由于普通家庭室.內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：no=knmiddot;f33middot;VB上式中，kn是箱體系
  • 關鍵字： 制作方法  音箱  監(jiān)聽  A4  High-end  

安森美ADS軟件的 High-Q IPD工藝設計套件

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： 安森美  ADS  High-QIPD  高電阻率  硅銅  

電流-頻率轉換電路--1NA~100UA轉0.1HZ~10KHZ

  • IIN/C1（V/S），1UA電流為10的負6次方/800*10的負12次方=1.25*10的6次方V/S，穿越-5.6~+5.6V的時間林約是9MS，頻率為111HZ。實際上必須加上上升時間，所以振蕩頻率大約為100HZ。 因為C1的微調很困難，所以允許A2的正
  • 關鍵字： 100  0.1  KHZ  NA    

如何制作High-end A4監(jiān)聽音箱

  • 一、設計及制作
    由于普通家庭室．內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：
    no＝knmiddot;f33middot;VB
    上式中，k
  • 關鍵字： 監(jiān)聽  音箱  A4  High-end  制作  如何  

Derive simple high-current source from lab sup

  • Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
  • 關鍵字： high-current  Derive  simple  source    

制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

  • 一、設計及制作
    由于普通家庭室．內空間不夠寬敞，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點f3有以下關系：
    no＝kn?f33?VB
    上式中，kn是箱體系數(shù)，
  • 關鍵字： 音箱  方法  監(jiān)聽  A4  High-end  制作  

半導體設備業(yè)研發(fā)經費拮據(jù)　聯(lián)盟關系將成救星

  • 　　市場研究機構Gartner警告，半導體設備產業(yè)的研發(fā)預算恐怕在接下來的五年內大幅削減80億美元，使該產業(yè)領域陷入危機。不過該機構資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。 　　缺乏適當?shù)耐顿Y將導致技術藍圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準備;在目前營收低迷的情況下，半導體設備業(yè)正面臨著如此的危機點。不過Freeman卻認為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結盟關系在某些程度上減輕了業(yè)者因營收減少對研發(fā)所帶來的沖擊。 　　Fr
  • 關鍵字： 半導體設備  通孔硅  high-k金屬閘極  

臺灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

  • 　　ASM International N.V. 宣布一家臺灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點high-k 閘極介電層量產制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(ALD)工具。 　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對最新世代的high-k閘極技術進行制程開發(fā)活動。 ASM 在2009年第2季將針對進階節(jié)點開發(fā)計劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎的high-k 閘極制程。 　　納米節(jié)點上實現(xiàn)成功的high-K制程
  • 關鍵字： ASM  high-k  晶圓  

凌華推出High Speed Link延伸模塊

  • 　凌華科技推出High Speed Link系統(tǒng)延伸模塊HSL-HUB3與HSL-Repeater。此產品可以為HSL用戶提供最長可達2400公尺的長距離使用及多點連接(multi-drop)接線架構，搭配高達十余種I/O及運動控制模塊的組合，提供客戶實時控制的完整解決方案。 　　   　　凌華的High Speed Link（HSL）技術是串列式遠程I/O實時控制的絕佳選擇。HSL-HUB3/Repeater基于HSL技術，針對接線的
  • 關鍵字： High  Link  Speed  工業(yè)控制  凌華  汽車電子  通訊  網絡  無線  延伸  模塊  工業(yè)控制  

瑞昱推出High Definition 音訊轉換芯片

  • 音訊內容保護 (Content Protection) 技術與透過傳統(tǒng)電話的Skype應用功能加速音訊轉換芯片在數(shù)字家庭的應用 瑞昱半導體在美國舊金山的Intel春季科技論壇推出最新一代的高精準音訊轉換芯片 (High Definition Audio Codecs; HD Audio Codecs) ALC885與ALC888 Telecom。瑞昱ALC885內建內容保護與防拷&nbs
  • 關鍵字： High  Definition  音訊轉換  瑞昱  通訊與網絡  芯片  
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