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基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小體積之PD快充方案

  • 過往產品的充電裝置多由各家廠牌使用各自的接口，導致裝置汰換時將造成許多浪費。由于USB的普及，市面大部分的產品都透過此接口傳輸數據，進而促使人們欲提升USB供電能力的想法。過去即使透過USB Battery Charging 1.2(BC1.2) 方式最多也只能提供7.5W (5V 1.5A)，則電子產品需要較長的時間來充電。USB-IF (USB Implementers Forum) 于2012年發(fā)表第一版USB Power Delivery規(guī)范 (USB Power Delivery Specifi
  • 關鍵字： ST  意法半導體  GAN  第三代半導體  Power and energy  PD  協(xié)議  快充  

GaN晶體管尺寸和功率效率加倍

  • 無論是在太空還是在地面，這些基于 GaN 的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢。
  • 關鍵字： GaN  晶體管  

GaN Systems推出第四代氮化鎵平臺

  • 全球氮化鎵功率半導體領導廠商GaN Systems?今推出全新第四代氮化鎵平臺?(Gen 4 GaN Power Platform)，不僅在能源效率及尺寸上確立新的標竿，更提供顯著的性能表現優(yōu)化及業(yè)界領先的質量因子?(figures of merit)。以GaN Systems 在?2022 年發(fā)表的?3.2kW 人工智能(AI) 服務器電源供應器來看，改采用最新第四代平臺，不僅效率超過鈦金級能效標準，功率密度更從?100W/in3提升至&nbs
  • 關鍵字： GaN Systems  氮化鎵  

日本新技術將GaN材料成本降90%

  • 據日經中文網，日本最大的半導體晶圓企業(yè)信越化學工業(yè)和從事ATM及通信設備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導體材料的技術。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產，用于快速充電器等用途廣泛，有利于普及。功率半導體裝入充電器、小型家電以及連接純電動汽車(EV)馬達與電池的控制裝置，用于控制電力等。如果使用GaN，可以控制大量的電力。根據TrendForce集邦咨詢研究報告顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率
  • 關鍵字： 日本  GaN  材料  成本  

自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

  • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資，特別是數據中心和電動汽車領域。根據彭博社最新的電動汽車展望報告，到 2050 年，幾乎所有道路運輸都將實現電氣化，預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的，包括比硅器件更快
  • 關鍵字： 寬禁帶  SiC  GaN  雙脈沖測試  

GaN 如何在基于圖騰柱 PFC 的電源設計中實現高效率

  • 幾乎所有現代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節(jié)良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
  • 關鍵字： ti  GaN  圖騰柱  PFC  電源  

GaN Systems 與上海安世博能源科技結盟 推進氮化鎵進入中國電動車應用市場

  • 【中國上海 – 2023年8月3日】氮化鎵功率半導體全球領導廠商 GaN Systems 今宣布與上海安世博能源科技策略結盟，共同致力于加速并擴大氮化鎵功率半導體于電動車應用的發(fā)展。安世博能源科技為電源行業(yè)領導廠商，擁有完整電源供應器、電動車充電模塊及車載充電器產品解決方案。結合 GaN Systems 尖端的氮化鎵功率器件、在車用領域所累積的應用實績，與安世博能源科技在高功率電源系統(tǒng)設計及批量生產的卓越能力，此次策略合作將為中國電動車行業(yè)帶來突破性革新。氮化鎵功率半導體將在實現下世代電動車對尺寸微縮、輕
  • 關鍵字： GaN Systems  安世博  氮化鎵  電動車  

意法半導體量產PowerGaN器件，讓電源產品更小巧、更清涼、更節(jié)能

  • 2023年8月3日，中國 -意法半導體宣布已開始量產能夠簡化高效功率轉換系統(tǒng)設計的增強模式PowerGaN HEMT(高電子遷移率晶體管)器件。STPOWER? GaN晶體管提高了墻插電源適配器、充電器、照明系統(tǒng)、工業(yè)電源、可再生能源發(fā)電、汽車電氣化等應用的性能。該系列先期推出的兩款產品SGT120R65AL 和 SGT65R65AL都是工業(yè)級650V常關G-HEMT? 晶體管，采用PowerFLAT 5x6 HV貼裝封裝，額定電流分別為15A和25A，在25°C時的典型導通電阻(RDS(on))分別為7
  • 關鍵字： 意法半導體  PowerGaN  氮化鎵  GaN  

GaN如何在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

  • 幾乎所有現代工業(yè)系統(tǒng)都會用到 AC/DC 電源，它從交流電網中獲取電能，并將其轉化為調節(jié)良好的直流電壓傳輸到電氣設備。隨著全球范圍內功耗的增加，AC/DC 電源轉換過程中的相關能源損耗成為電源設計人員整體能源成本計算的重要一環(huán)，對于電信和服務器等“耗電大戶”領域的設計人員來說更是如此。氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，即使效率增益僅為 0.8%，也能在 10 年間幫助一個 100MW 數據
  • 關鍵字： TI  GaN  PFC  

ROHM開發(fā)出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”， 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積！

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向數據服務器等工業(yè)設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1，開發(fā)出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”（BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB）。近年來，為了實現可持續(xù)發(fā)展的社會，對消費電子和工業(yè)設備的電源提出了更高的節(jié)能要求。針對這種需求，GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而，與Si MOSFET相
  • 關鍵字： ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

實測案例：1200V GaN HEMT功率器件動態(tài)特性測試

  • 氮化鎵器件是第三代半導體中的典型代表，具有極快的開關速度，能夠顯著提升功率變換器的性能，受到電源工程師的青睞。同時，極快的開關速度又對其動態(tài)特性的測試提出了更高的要求，稍有不慎就會得到錯誤結果。傳統(tǒng)氮化鎵器件多用于消費類電子市場，研發(fā)高壓氮化鎵器件將有助于在電力電子、新能源和電動汽車行業(yè)開拓新的應用市場。量芯微（GaNPower）是全球第一家推出1200V高壓硅基氮化鎵功率器件的廠家。這次測試的1200伏TO-252封裝的氮化鎵器件GPIHV15DK，在市場上具有標志性意義，傳統(tǒng)的氮化鎵功率器件最高電壓普
  • 關鍵字： GaN HEMT  功率器件  動態(tài)特性測試  

汽車芯片，有兩大好賽道

  • 汽車的智能化和電動化趨勢，勢必帶動車用半導體的價值量提升，其中功率半導體和模擬芯片便迎來了發(fā)展良機。先看功率半導體，車規(guī)功率半導體是新能源汽車的重要組件，無論整車企業(yè)還是功率半導體企業(yè)都在瞄準這一賽道。新能源汽車電池動力模塊都需要功率半導體，混合動力汽車的功率器件占比增至 40%，純電動汽車的功率器件占比增至 55%。再看車規(guī)模擬芯片，模擬芯片在汽車各個部分均有應用，包括車身、儀表、底盤、動力總成及 ADAS，主要分為信號鏈芯片與電源管理芯片兩大板塊。如今，新能源汽車在充電樁、電池管理、車載充電、動力系統(tǒng)
  • 關鍵字： 功率半導體  SiC  GaN  模擬芯片  

第三代半導體高歌猛進，誰將受益？

  • “現在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關于第三代半導體的爭奪劇集已經開始上演。一、三代半方興未艾產業(yè)進入高速成長期近日，科學技術部黨組成員、副部長相里斌在2023中關村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產業(yè)進入下行周
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  GaN  

泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠對寬禁帶器件（如SiC和GaN MOSFETs）提供自動可重復的、高精度測量功能。下一代功率轉換器設計師現在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
  • 關鍵字： 泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN  

Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型

  • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產品。這款產品的發(fā)布展現Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數據通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術相比，這些應用可受益于1
  • 關鍵字： Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)  
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