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IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺

  •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺相比,該技術(shù)平臺可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識方面
  • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術(shù)問題

  • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
  • 關(guān)鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

  •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
  • 關(guān)鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

  •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長的。???????   “對實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說,在200mm硅晶圓上生長出
  • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

  •   要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網(wǎng),之后被3
  • 關(guān)鍵字: 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

中國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

  •   由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破,我國首臺具有自主知識產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。      該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備,目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
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藍(lán)色激光的應(yīng)用

合成儀器技術(shù)(04-100)

  •   合成儀器(SI)利用部件開放結(jié)構(gòu)環(huán)境中所用的核心硬件和軟件構(gòu)建單元組合,合成傳統(tǒng)儀器中的激勵(lì)和/或測量功能。合成儀器概念在70年代末和80年代初,主要是集中在軍事項(xiàng)目研究中。此時(shí),其技術(shù)不能為商業(yè)提供可用性。所能實(shí)現(xiàn)的主要是集中在RF/微波應(yīng)用中的低頻模擬、數(shù)字和基帶中。   現(xiàn)代合成儀器發(fā)現(xiàn)它們的根是在過去10年通信革命和呈現(xiàn)出的軟件無線電(SDR)概念中。根據(jù)SDR的定義,SDR是由DSP、發(fā)送器、接收器把數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)變?yōu)闊o線通信用的調(diào)制無線電波和把調(diào)制無線電波變換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)。DSP提供無線電功能,
  • 關(guān)鍵字: 合成儀器  SI  SDR  

基于虛擬線的交通信息視頻檢測技術(shù)及應(yīng)用

Si整流器與SiC二極管:誰與爭鋒

  •   在當(dāng)今的電氣設(shè)備中,功率半導(dǎo)體和電抗式元件(電容和電感)隨處可見。它們在正常工作過程中會在為其供電的交流電線上產(chǎn)生兩種不希望出現(xiàn)的副作用。   首先,這些器件會引起較小的功率因數(shù)。其次,它們會使線電流失真,引起電噪聲或者產(chǎn)生與線電壓之間的相位偏移。   功率因數(shù)是指實(shí)際使用的功率與交流線上產(chǎn)生的視在功率二者的比值。電氣設(shè)備中如果存在大電容或者電感就會導(dǎo)致視在功率大于實(shí)際使用的功率,出現(xiàn)較小的功率因數(shù)。   功率因數(shù)越小,在為設(shè)備供電的交流導(dǎo)線上損耗的電能就越多。如果設(shè)備中的功率半導(dǎo)體開關(guān)操作非常
  • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  Si  整流器  二極管  元器件用材料  

高速單片機(jī)硬件關(guān)鍵參數(shù)設(shè)計(jì)概述

  •   摘要:隨著目前新技術(shù)、新工藝的不斷出現(xiàn),高速單片機(jī)的應(yīng)用越來越廣,對硬件的可靠性問題便提出更高的要求。本文將從硬件的可靠性角度描述高速單片機(jī)設(shè)計(jì)的關(guān)鍵點(diǎn)。     關(guān)鍵詞:高速單片機(jī) 可靠性 特性阻抗 SI PI EMC 熱設(shè)計(jì) 引 言 隨著單片機(jī)的頻率和集成度、單位面積的功率及數(shù)字信號速度的不斷提高,而信號的幅度卻不斷降低,原先設(shè)計(jì)好的、使用很穩(wěn)定的單片機(jī)系統(tǒng),現(xiàn)在可能出現(xiàn)莫名其妙的錯(cuò)誤,分析原因,又找不出問題所在。另外,由于市場的需求,產(chǎn)品需要采用高速單片
  • 關(guān)鍵字: 高速單片機(jī)  可靠性  特性阻抗  SI  PI  EMC  熱設(shè)計(jì)  MCU和嵌入式微處理器  

OKI新型UV傳感器ML8511采用SI-CMOS制程

  • 沖電氣(OKI)推出內(nèi)建運(yùn)算放大器的紫外線(UV)傳感器IC——ML8511。該產(chǎn)品運(yùn)用絕緣上覆硅(SOI)-CMOS,為該公司首款模擬電壓輸出、無濾光器的UV傳感器。OKI將從6月份開始陸續(xù)針對可攜式等用途產(chǎn)品,提供新款UV傳感器樣品。 OKI的UV傳感器IC由于采用了容易高整合度的SOI-CMOS技術(shù),適合于數(shù)字及模擬電路。OKI表示,該公司未來將靈活運(yùn)用這一特長,加強(qiáng)與連接微處理器的數(shù)字輸出電路,進(jìn)而與感測式亮度控制傳感器(AmbientLightSensor)構(gòu)成單一芯片的商品陣容;未來
  • 關(guān)鍵字: OKI  SI-CMOS  傳感器  電源技術(shù)  模擬技術(shù)  IC  制造制程  

CISCO_服務(wù)器設(shè)計(jì)中的EMI和SI問題

  •   統(tǒng)時(shí)鐘設(shè)計(jì)和布線  (以減小時(shí)鐘傾斜(Skew)導(dǎo)致的時(shí)鐘余裕 (timing margin) 受損)  時(shí)鐘走線首先要注意避免阻抗不連續(xù),在驅(qū)動器端的時(shí)鐘線設(shè)定阻抗為Z0為40Ω,然后每條線扇出成一對線,每條的Z0基本加倍,使信號反射減至最小。時(shí)鐘傾斜(timing skew)的問題是通過仿真解決,并將走線布到同一層上,管腳上時(shí)序信息是經(jīng)過測試驗(yàn)證過的?!   ?yōu)化電源層結(jié)構(gòu),防止電源的電磁輻射影響信號層  (減小耦合噪聲,△I噪聲,模式轉(zhuǎn)換噪聲mode conversion noise)  在開始
  • 關(guān)鍵字: CISCO  EMI  SI  服務(wù)器  

AM OLED:OLED的“明日之星”

  • 摘要: 本文對近期平板顯示市場的一些變化,如液晶的大幅降價(jià)對PMOLED(被動式OLED)的沖擊,AMOLED(主動式OLED)的最新變化及技術(shù)趨勢進(jìn)行了概括分析。關(guān)鍵詞: AM OLED;TFT;LTPS;a-Si 目前OLED市場上占據(jù)絕對優(yōu)勢的PM OLED,因局限于中小尺寸顯示屏市場,并且在技術(shù)與價(jià)格上與LCD相比優(yōu)勢不明顯,受LCD降價(jià)沖擊很大,未來并不被業(yè)界看好。相反,AM OLED技術(shù)卻在市場一片叫好聲中,日漸成熟,蓄勢待發(fā)。三星SDI預(yù)計(jì)在2007年進(jìn)入市場,開始大規(guī)
  • 關(guān)鍵字: 0612_A  AM  a-Si  LTPS  OLED  TFT  消費(fèi)電子  雜志_關(guān)注焦點(diǎn)  有機(jī)發(fā)光二極管  OLED  消費(fèi)電子  
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