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gan mos driver 文章 最新資訊

一種S波段寬帶GaN放大器的設計

  • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
  • 關鍵字： GaN  S波段  寬帶  放大器    

GaN基量子阱紅外探測器的設計

  • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應，通過設計適當?shù)牧孔于褰Y構，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
  • 關鍵字： 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

電源變壓器的MOS場效應管逆變器制作

  • 這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
  • 關鍵字： 逆變器  制作  效應  MOS  變壓器  電源  

舞臺功放MOS管改裝方法

  • 以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
  • 關鍵字： 方法  改裝  MOS  功放  舞臺  

基于MOS開關的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

  • 摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
  • 關鍵字： 電磁兼容  問題  研究  脈沖  高壓  MOS  開關  高頻  基于  

MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

MOS—FET甲乙類功率放大器

MOS管驅動電路綜述連載（三）

  • 相對通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅動電路圖2用于PMOS的驅動電路這里只針對NMOS...
  • 關鍵字： MOS  驅動電路  

MOS管驅動電路綜述連載（二）

  • 現(xiàn)在的MOS驅動，有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結構，由于...
  • 關鍵字： MOS  

MOS管驅動電路綜述連載（一）

  • 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
  • 關鍵字： MOS  

MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

  • 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
  • 關鍵字： mos  

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關損耗

  • 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關鍵字： mos/開關損耗  

開關電源設計之MOS管反峰及RCD吸收回路

  • 對于一位開關電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
  • 關鍵字： 吸收  回路  RCD  管反峰  設計  MOS  開關電源  

一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

  • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
  • 關鍵字： 設計  功率放大器  GaN  一種  
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gan mos driver介紹

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