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gan mos driver 文章 最新資訊

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

  • 如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
  • 關(guān)鍵字： mos  

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

  • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
  • 關(guān)鍵字： MOS  電源  

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

  • 　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。 　　 　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  

GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

  • 　　未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機(jī)市場，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機(jī)遇。 　　未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強(qiáng)勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%，帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
  • 關(guān)鍵字： GaN  5G  

5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

  • 展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
  • 關(guān)鍵字： 5G  GaN  

MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

  • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
  • 關(guān)鍵字： MOS  FinFET  

2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

  • 　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
  • 關(guān)鍵字： MOCVD  GaN  

拯救EMI輻射超標(biāo)，開關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

  • 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
  • 關(guān)鍵字： EMI  開關(guān)電源  MOS  

趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

  • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
  • 關(guān)鍵字： 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

  • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展，基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運(yùn)作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢，首先，最明顯的好 處是降低運(yùn)營成本；同時，更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
  • 關(guān)鍵字： GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

為IC設(shè)計(jì)減少天線效應(yīng)

  • 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
  • 關(guān)鍵字： IC設(shè)計(jì)  天線  天線效應(yīng)  充電損害  MOS  

DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解

  • 在開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計(jì)。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計(jì)，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
  • 關(guān)鍵字： DC-DC  MOS  同步  開關(guān)電源  非同步  

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件

  • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
  • 關(guān)鍵字： GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢

  • 　　MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 　　在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。 　　日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
  • 關(guān)鍵字： MACOM  GaN  

汽車功率元器件市場前景廣闊

  • 　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  
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gan mos driver介紹

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