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EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-mode gan fet

氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

  • 氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點在于其超快的開關速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨占鰲頭。這一特性直接促進了開關頻率的大幅提升，進而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅，通過實現極低的導通阻抗（即單位面積上可達到的最小電阻），相較于硅材料實現了數量級的優(yōu)化。這種高效的導電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢，氮化鎵的應用不僅促進了系統(tǒng)性
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN    

碳化硅模塊在太陽能逆變器中的應用

  • 碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
  • 關鍵字： 202407  太陽能  PV  SiC FET  寬帶隙  碳化硅  光伏  

氮化鎵（GaN）的最新技術進展

  • 本文要點? 氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。? 氮化鎵器件的開關速度更快、熱導率更高、導通電阻更低且擊穿強度更高。? 氮化鎵技術可實現高功率密度和更小的磁性。氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 是兩種寬禁帶半導體，徹底改變了傳統(tǒng)電力電子技術。氮化鎵技術使移動設備的快速充電成為可能。氮化鎵器件經常用于一些轉換器和驅動器應用氮化鎵是一種晶體半導體，能夠承受更高的電壓。通過氮化鎵材料的電流比通過硅半導體的電流速度更快，因此處理速度也更快。本文將探討氮化鎵材料以及氮化鎵技術如何顛覆整個行業(yè)。氮化
  • 關鍵字： GaN  

Guerrilla RF宣布收購Gallium GaN技術

  • 近期，Guerrilla RF宣布收購了Gallium Semiconductor的GaN功率放大器和前端模塊產品組合。Guerrilla RF表示，通過此次收購，公司獲得了Gallium Semiconductor 所有現有的元件、正在開發(fā)的新內核以及相關知識產權(IP)。公司將為無線基礎設施、軍事和衛(wèi)星通信應用開發(fā)新的GaN器件產品線并實現商業(yè)化。Guerrilla RF官方經銷商Telcom International的一位員工表示，公司計劃向韓國市場供應Guerrilla RF的射頻晶體管，并將其
  • 關鍵字： Guerrilla RF  Gallium GaN  

純晶圓代工廠格芯收獲一家GaN研發(fā)商

  • 7月1日，純晶圓代工廠格芯（GlobalFoundries）宣布已收購Tagore專有且經過生產驗證的功率氮化鎵（GaN）技術及IP產品組合，以突破汽車、物聯網和人工智能（AI）數據中心等廣泛電源應用的效率和性能界限。資料顯示，無晶圓廠公司Tagore成立于2011年1月，旨在開拓用于射頻和電源管理應用的GaN-on-Si半導體技術，在美國伊利諾伊州阿靈頓高地和印度加爾各答設有設計中心。格芯表示，此次收購進一步鞏固公司對大規(guī)模生產GaN技術的決心，該技術提供多種優(yōu)勢，可幫助數據中心滿足不斷增長的電力需求，
  • 關鍵字： 晶圓代工  格芯  GaN  

臺達電子與TI成立創(chuàng)新聯合實驗室，瞄準GaN

  • 6月21日，臺達電子宣布與全球半導體領導廠商德州儀器（TI）成立創(chuàng)新聯合實驗室。臺達表示，此舉不僅深化雙方長期合作關系，亦可憑借TI在數字控制及氮化鎵（GaN）等半導體相關領域多年的豐富經驗及創(chuàng)新技術，強化新一代電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢，增強臺達在電動車領域的核心競爭力。臺達交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動車方案事業(yè)群總經理唐修平表示：“透過與TI成立創(chuàng)新聯合實驗室，運用TI在數位控制及GaN領域豐富經驗與技術優(yōu)勢，提升電動車電源系統(tǒng)的功率密度和效能，期盼雙方達到更緊密的技術交流及合作，以更具前瞻
  • 關鍵字： 臺達電子  TI  GaN  

GaN“上車”進程加速，車用功率器件市場格局將改寫

  • 根據Yole機構2024 Q1的預測，氮化鎵 (GaN) 功率半導體器件市場2023至2029年平均復合年增長 (CAGR) 將高于45%，其中表現最為搶眼的是汽車與出行市場（automotive & mobility），“從無到有”，五年后即有望占據三分之一的GaN應用市場（圖1）。而相比之下，碳化硅（SiC）應用市場成長則顯得比較溫和，CAGR遠低于GaN（圖1）。隨著GaN“上車”進程加速，功率器件器件市場競爭格局或將被改寫。圖1：在GaN市場份額變化中，汽車與出行市場 “從無到有”，五年后
  • 關鍵字： GaN  車用功率器件  Transphorm  SiC  

德州儀器推出先進的GaN IPM，助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機

  • ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術，助力家電和暖通空調（HVAC）系統(tǒng)逆變器達到99%以上效率。●? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率，省去了對外部散熱器的需求，工程師可以將解決方案尺寸縮減多達 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機驅動器應用的先進 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設計大型家用電器及加熱、通風和空調 (HVAC) 系統(tǒng)時通常面臨的許多設
  • 關鍵字： 德州儀器  GaN IPM  高壓電機  

漲知識！氮化鎵（GaN）器件結構與制造工藝

  • 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質是外延結構的不同，本文通過深入對比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結構，再對增強型和耗盡型的氮化鎵HEMT結構進行對比，總結結構不同決定的部分特性。此外，對氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進行描述，加深對氮化鎵功率器件的工藝技術理解。在理解氮化鎵功率器件結構和工藝的基礎上，對不同半導體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進行對比說明。一、器件結構與制造工藝（一）器件結構對比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質結，目前市面上還未出現G
  • 關鍵字： 氮化鎵  GaN  結構  制造工藝  

純化合物半導體代工廠推出全新RF GaN技術

  • 6月14日，純化合物半導體代工廠穩(wěn)懋半導體（WIN Semiconductors Corp）宣布，公司擴大了其RF GaN技術組合，推出了基于碳化硅（SiC）的毫米波氮化鎵（GaN）技術測試版NP12-0B平臺。目前，NP12-0B鑒定測試已經完成，最終建模/PDK生成預計將于2024年8月完成，并計劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產版本。據穩(wěn)懋半導體介紹，該平臺的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術，該技術結合了多項改進，以增強直流和射頻的耐用性，并增加芯片級防潮性。NP12-0
  • 關鍵字： 純化合物  半導體  RF GaN  

CGD為電機控制帶來GaN優(yōu)勢

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN） 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克股票代碼：QRVO）合作開發(fā) GaN 在電機控制應用中的參考設計和評估套件（EVK）。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無刷直流電機（BLDC）和永磁同步電機（PMSM）應用中的使用，打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
  • 關鍵字： CGD  電機控制  GaN  

CGD為數據中心、逆變器等更多應用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝

  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于光學檢查。這兩種封裝均采用經過充分驗證的 DFN 封裝，堅固可靠。DHDFN-9-1（雙散熱器DFN）是一種薄的雙面冷卻封裝，外形尺寸僅為10x10 mm，并采用側邊可濕焊盤技術，便于光學檢查。它具有低熱阻（Rth(JC)），可采用底部、頂部和雙側冷卻方式運行，
  • 關鍵字： CGD  數據中心  逆變器  GaN  功率IC  

CGD與中國臺灣工業(yè)技術研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄

  • Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國臺灣工業(yè)技術研究院（ITRI）簽署了諒解備忘錄，以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關系、并共享市場信息、實現對潛在客戶的聯合訪問和推廣。Andrea Bricconi   | CGD 首席商務官“我們很高興能與ITRI合作，ITRI擁有一個電力解決方案研究團隊，在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經驗
  • 關鍵字： CGD  GaN  電源開發(fā)  

Power Integrations收購Odyssey Semiconductor資產

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations近日宣布達成協(xié)議，收購垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產。這項交易預計將于2024年7月完成，屆時Odyssey的所有關鍵員工都將加入Power Integrations的技術部門。此次收購將為該公司專有的PowiGaN?技術的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術已廣泛應用于該公司的眾多產品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
  • 關鍵字： Power Integrations  Odyssey  氮化鎵  GaN  

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

  • 近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個基于Transphorm SuperGaN平臺的系統(tǒng)級封裝GaN產品系列。新推出的兩款SiP器件型號分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準諧振/谷底開關）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
  • 關鍵字： 功率半導體  氮化鎵  GaN  
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