- 今年3月中國武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體后，中國政府正式向全世界宣布要進軍半導體領域。TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange統(tǒng)計顯示，2014年中國市場的DRAM消化量金額為102億美金，占全球營業(yè)額約20%，其龐大內需就足以撐起中國DRAM產業(yè)的發(fā)展，而美國芯成半導體的整并，只是中國DRAM產業(yè)的開端。DRAMeXchange表示，目前有六個地方政府積極爭取設立DRAM廠，而中國中央政府將會選出其中一個地方政府設廠，整合上游廠商發(fā)展出具中國自有的技
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DRAM
- 力晶成功轉型為晶圓代工廠，更瞄準物聯網(IoT)商機推出iRAM解決方案，整合嵌入式快閃存儲器(eFlash)、ARM架構處理器芯片和通訊技術成為SoC整合型芯片，預計下半年出貨，全面擁抱物聯網時代來臨。
力晶現在渾身上下都是“晶圓代工魂”，DRAM產品對力晶而言只是眾多布局的一小塊，除了繼續(xù)替臺系IC設計公司晶豪、鈺創(chuàng)、力積等代工SDRAM芯片，以及協助存儲器模組大廠金士頓(Kingston)代工標準型DRAM芯片外，力晶旗下的12吋晶圓廠已經全面擁抱晶圓代工產品線。
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物聯網 DRAM
- 華亞科技董事長高啟全今表示，最近產業(yè)沒什么變化，第1季DRAM比較差，因為PC DRAM價格掉比較多，預期第2季會回穩(wěn)，價格有機會回溫。他指出，目前看來今年第2、3、4季會相當穩(wěn)定，今年是DRAM史上第二次連三年大好，今年已連續(xù)好第三年，今年還是一個好年。
高啟全說，今年是繼1993年后的第二次連續(xù)三年好，但不同的是，前一次靠的是PC需求，今年則不是靠PC，全年還是會很好，2016年也不會太差。
他指出，華亞科下半年因為20奈米開始產出，表現仍會不錯。華亞科目前現金水位約400億元。
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華亞科 DRAM
- 在全球半導體行業(yè)掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業(yè)的發(fā)展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產業(yè)傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產業(yè)正趨于完整。
先說說半導體行業(yè)的并購潮，我們只看2015年，就可以發(fā)現像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業(yè)務以及震動半導體行業(yè)的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(關于收購案更多
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DRAM
- 在全球半導體行業(yè)掀起并購潮的背景下，中國政府也大力扶持國內半導體行業(yè)的發(fā)展。去年紫光集團收購展訊和銳迪科的消息振奮人心，不久前，DRAM產業(yè)傳來武岳峰收購芯成半導的消息。從這些并購案中，我們可以看到大陸半導體產業(yè)正趨于完整。
先說說半導體行業(yè)的并購潮，我們只看2015年，就可以發(fā)現像：東軟載波擬收購上海海爾、英飛凌完成收購美國國際整流器公司、GlobalFoundries收購IBM旗下的全球商用半導體技術業(yè)務以及震動半導體行業(yè)的恩智浦收購飛思卡爾的收購案在2015年開年就接連出現(關于收購案更多
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DRAM 展訊
- 全球最大內存廠韓國三星電子傳出DRAM擴產大減速消息。原本將在今年中量產的Line 17，全產能量產時間將延至年底，且外資圈傳出，三星有將近2萬片月產能的DRAM設備采購，下單及裝機時程均出現明顯延后(postpone)情況。
美光股價上周五受此消息激勵而大漲2.25%，法人認為，三星今年擴增DRAM產能只為了彌補20奈米微縮導致的產能自然減損，總產能不會增加，對南亞科、華亞科、華邦電等DRAM廠來說亦是重大利多。
業(yè)界去年9月時曾傳出，三星Line 17今年將全力擴充DRAM產能，預計第
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三星 DRAM
- SK 海力士 20日舉行股東會，社長樸星昱(Park Sung-wook)宣誓，20 奈米級DRAM最快可能在今年7月邁入量產，將可在高階產品趕上三星與美光等競爭者。
海力士目前最先進的制程為25與29奈米，而三星已在去年第四季搶先邁入20奈米制程領域，且預估今年下半年，半數PC用記憶體都會以20奈米制程打造。
據科技網站kitguru.net報導，20奈米制程在300mm 晶圓上塞進的晶粒數量較25奈米多三成，可降低每單位IC生產成本，并提高利潤空間。隨著8GB DDR4記憶體時代來臨，
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SK海力士 DRAM
- 過去存儲器一向扮演半導體制程的領頭羊地位，不僅DRAM廠率先投入最尖端制程，連臺積電、聯電最先進制程也先用存儲器來練兵。不過，近年來整個半導體出現改變，邏輯產品制程全面超越存儲器，晶圓代工廠也直接導入邏輯產品，存儲器退下晶圓廠制程領頭羊地位。
以往臺積電、聯電最先進制程均用存儲器來練兵，將良率提升到一定程度，再投入邏輯產品。臺積電一向用SRAM(Static RandomAccess Memory，靜態(tài)隨機存取存儲器)練兵，聯電則用DRAM(Dynamic RandomAccess Memory
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DRAM ARM
- SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術，以及固態(tài)硬盤(SSD)等優(yōu)勢領域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。
據ET News報導，日前SK海力士社長樸星昱在創(chuàng)下史上最高業(yè)績紀錄之際，反而在組織內部強調危機意識，透過員工電子郵件與公司內部電視等管道，不斷提醒現在不是放心的時刻，應透過強化根本競爭
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SK海力士 DRAM
- 首季DRAM市場呈現淡季氣氛，價格有所修正，法人估計，第2季跌價幅度將減少。研調機構集邦指出，三星最新旗艦機S6出貨量提升，帶動相關需求，可減緩淡季DRAM跌價幅度。外界認為，整體市況將回溫，對華亞科(3474)、南亞科等將有正面助益。
華亞科董事長高啟全認為，首季PC市況不佳，連帶影響PC DRAM價格下滑，但并沒有像以往大跌，預期整體DRAM市況會從第2季起逐漸回溫。
集邦分析師吳雅婷表示，三星新機S6與S6 Edge第2季出貨將優(yōu)于預期，且采用最新的行動式記憶體LPDDR4。另外，包
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DRAM LPDDR4
- 全球DRAM大廠三星電子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)紛搶進20納米制程世代，南亞科在美光協助下亦全力轉進20納米制程，并計劃投資新臺幣400億元。半導體業(yè)者指出，DRAM制程轉進20納米世代過程中，產能減損情況愈益嚴重，估計減損產能約2~3成，由于先進制程需要機臺設備大增，同樣無塵室空間能生產數量減少，使得DRAM廠為轉進20納米制程紛進行擴產，但產出卻出現停滯現象。
半導體業(yè)者表示，業(yè)界原本預期20納米制程恐將是DRAM產業(yè)最
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三星電子 DRAM
- 中國武岳峰資本日前宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體。TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，此并購案雖為中國武岳峰資本主導，但尚包含eTown MemTek、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè)，同時也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導基金有合作。
其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產業(yè)基金，因而此次收購意味著上海與北京二大基金的合作，加上去年近期中國官方正式宣布了金額高達1,200億人民幣的半導體政策，中國政府已在整合技術能量，往完整的DRAM之路積極邁進。
綜觀中國電
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TrendForce DRAM
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中國工信部主導的投資基金持續(xù)展開收購，此次收購利基型DRAM及SRAM廠矽成，被視為是為了打造更完整的物聯網系統(tǒng)作準備。
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2014年各DRAM產品在陸市占
大陸工信部領銜成立的國家積體電路產業(yè)投資基金，持續(xù)在全球展開收購，繼日前決定出手收購CMOS影像感測器大廠豪威(OmniVision)之后，由中國武岳峰資本主導的基金，也宣布將以每股19.25美元價格，收購美國記憶體設計廠矽成(ISSI)。
業(yè)界認為，大陸打造自己的半導體生產
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DRAM SRAM
- 大陸武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國上市的芯成半導體。此次收購意味著上海與北京兩大半導體產業(yè)基金的合作，加上去年大陸官方正式宣布金額高達1200億人民幣的半導體政策，大陸政府已在整合技術能量，往完整的DRAM之路積極邁進。
TrendForce旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，此并購案雖為武岳峰資本主導，但尚包含eTown MemTek Ltd.、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè)，同時也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導基金有合作，其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產業(yè)基金。
受此利多激勵，
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TrendForce DRAM
- 中國大陸智能型手機的高成長，使得內存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內存供應商不管是從零組件競爭還是手機整機的競爭上都倍感壓力。
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DRAM NAND Flash
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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