SiC MOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統(tǒng)典型的驅動芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個恒流源。功率開關器件在門極電壓一定時，發(fā)生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升至母線電壓，高壓二極管被阻斷，恒流源電流向電容CDESAT充電，當上電容CDESAT的電壓被恒流源充至大于比較器參考電壓后，觸發(fā)驅動器關閉輸出。
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