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ddr3-2133 文章 最新資訊

爾必達開發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片

  • 　　爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。 　　這種65nm XS制程技術的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的
  • 關鍵字： 爾必達  65nm  DDR3  

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關鍵字： DRAM  DDR2  DDR3   

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結(jié)束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關鍵字： DRAM  存儲  DDR3  DDR2  

爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復后，
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  DDR3  

基于Stratix III的DDR3 SDRAM控制器設計

  • 　1 引言　　DDR3 SDRAM是由JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會）制定的全新下一代內(nèi)存技術標準，具有 速度更快、功耗更低、效能更高以及信號質(zhì)量更好等優(yōu)點，對于解決高速系統(tǒng)(例如某些高速圖 像處理系統(tǒng))設計中由于存儲
  • 關鍵字： 控制器  設計  SDRAM  DDR3  Stratix  III  基于  控制器  

iSuppli：DDR3將成DRAM市場主流，市占一半以上

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu)iSuppli的最新預測，DDR3(Double Data Rate 3)標準型內(nèi)存將在2010年第2季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球DRAM市場出貨占比可望突破50%。 　　據(jù)國外媒體報道，以單位出貨量計算，DDR3明年第2季的市占率將達50.9%，較今年第2季的14.2%大幅竄升。 　　iSuppli另預估，至2010年底，DDR3出貨市占率將達到71%。 　　iSuppli分析師Mike Howard于報告中寫道，DDR3的速度比DDR2快50%，耗電量則低30%。他強調(diào)：&ldquo
  • 關鍵字： DRAM  內(nèi)存  DDR3  

iSuppli：明年第2季DDR3躍登DRAM市場主流

  • 　　根據(jù)市場研究機構(gòu) iSuppli 的最新預測，DDR3 (Double Data Rate 3) 標準型內(nèi)存將在 2010 年第 2 季成為產(chǎn)業(yè)主流，全球 DRAM 市場出貨占比可望突破 50%。 　　以單位出貨量計算，DDR3 明年第 2 季的市占率將達 50.9%，較今年第 2 季的 14.2% 大幅竄升。 　　iSuppli 另預估，至 2010 年底， DDR3 出貨市占率將達到 71%。 　　iSuppli 分析師霍華 (Mike Howard) 于報告中寫道，DDR3 的速度比 DD
  • 關鍵字： 微處理器  DDR3  Nehalem  

DRAM廠想靠DDR3翻身 得先過技術門檻

  • 　　市場研究機構(gòu)DIGITIMES Research指出，2007年以來，全球DRAM廠商在過度樂觀的預期下，相繼投入產(chǎn)能擴充競賽，這也使得DRAM供過于求的陰影揮之不去;自此，DRAM價格持續(xù)下挫，過去八季中，除龍頭廠商三星電子外，多數(shù)DRAM廠商也都難逃嚴重虧損的命運。 　　其中，德國DRAM制造商奇夢達更因不堪虧損，于2009年第一季宣布破產(chǎn)，自此退出DRAM市場。正因如此，新一代DRAM規(guī)格DDR3的推出，被視為全球DRAM產(chǎn)業(yè)再起的重要關鍵。 　　DIGITIMES Research指出，事
  • 關鍵字： 奇夢達  DRAM  DDR3  

DDR內(nèi)存合約價格大漲 南科華亞科受惠

  • 　　據(jù)臺灣媒體報道，11月上旬動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)合約價出爐，DDR2 1Gb與DDR3 1Gb顆粒合約均價皆大漲超過15%，DDR2 2Gb合約均價漲幅也達13.9%，預估11月下旬DDR2合約價可望持續(xù)攀高，以合約市場為主的南科、華亞科預估受惠較大。 　　集邦科技昨最新報價，11月上旬DDR2 1Gb顆粒合約均價達2.38美元，比10月下旬大漲15.53%;DDR3 1Gb顆粒合約均價達2.25美元，大漲15.98%。 　　另DDR2 2Gb合約均價從36美元上漲到41美元，漲幅達13.9
  • 關鍵字： 南科  DRAM  DDR2  DDR3  

DRAM合約價大漲，今年沒淡季

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)沒有淡季，11月上旬DDR2和DDR3合約價持續(xù)大漲近20%，2GB DDR2模塊甚至一度飆到50美元天價，足見PC OEM廠拉貨力道沒有休息跡象，DRAM廠為確保DDR2和DDR3買氣同步增溫，趁機向下游廠祭出搭售方式。DRAM廠認為，隨著PC OEM廠第4季大量轉(zhuǎn)進DDR3平臺，未來DDR3現(xiàn)貨及合約價將同步凌駕DDR2，而現(xiàn)貨市場DDR3報價亦展開攻勢，一舉站上3美元大關。 　　DRAM價格11月上旬漲幅超乎預期，2GB DDR2模塊漲勢尤其猛烈，大漲19~21%，平均價
  • 關鍵字： DRAM  DDR2  DDR3  

爾必達和茂德簽署DRAM代工協(xié)議

  • 　　茂德(ProMos)已和爾必達(Elpida)簽署DRAM代工合約，爾必達將提供先進的制程技術與產(chǎn)品技術給茂德，茂德將以中科12寸晶圓廠提供爾必達DRAM代工服務。 　　茂德表示，代工服務以爾必達最先進的1G DDR3產(chǎn)品為主，預計2010年上半完成試產(chǎn)，2010年下半大量生產(chǎn)。此外，爾必達發(fā)言人Hiroshi Tsuboi表示，茂德每月將使用多達3.5萬片12寸晶圓為爾必達制造芯片，同時，采用65奈米制程技術。 　　茂德董事長暨總經(jīng)理陳民良表示，爾必達在全球DRAM產(chǎn)業(yè)中以尖端制程技術的創(chuàng)新研發(fā)
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  晶圓  DDR3  

集邦：全球DRAM產(chǎn)業(yè)Q3營收季增率高達40.7％

  • 　　根據(jù)調(diào)查，今年第三季，DDR3在計算機系統(tǒng)廠商積極拉抬PC搭載DDR3比例下，需求量激增，DDR3合約價在第三季大漲36%，現(xiàn)貨價也在合約價的帶動下上漲24%。DDR2方面，由于DDR3合約價格大漲，亦帶動DDR2合約價格的漲勢，且在第三季國際DRAM大廠轉(zhuǎn)進DDR3相當積極，導致DDR2出貨量減少效應持續(xù)發(fā)酵，部份PC OEM廠商亦已逆向操作增加DDR2的庫存水位，使得本季DDR2合約價漲幅高達31%、現(xiàn)貨價格漲幅亦高達30%，漲幅與DDR3不惶多讓。 　　第三季各DRAM廠商營收在DDR3合約價
  • 關鍵字： 三星  DRAM  DDR3  DDR2  

金士頓：看好明年NAND Flash市場前景

  • 　　遠東金士頓(Kingston)董事長蔡篤恭指出，目前PC OEM廠對于DDR2和DDR3貨源都很缺，產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位不高，預計到2009年底前都沒有淡季，展望2010年存儲器產(chǎn)業(yè)，NAND Flash市場受惠終端應用多元化發(fā)展，包括手機應用起飛和固態(tài)硬碟(SSD)應用浮出水面，加上NAND Flash端的供應商有限，預計NAND Flash產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)可優(yōu)于DRAM產(chǎn)業(yè)，而DRAM產(chǎn)業(yè)供不應求偏向是短期產(chǎn)能不足，DRAM價格在2.5美元上下是健康的水位，對PC廠、DRAM廠雙方是可接受的價位。 　　蔡篤恭
  • 關鍵字： Kingston  存儲器  DDR2  DDR3  

海力士半導體預期第四季DRAM價格上揚 明年市場趨緊

  • 　　韓國海力士半導體預估，動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)晶片市場將在第四季維持強勁，并指出合約價格可能在11月進一步揚升，12月時趨穩(wěn)。 　　海力士公司主管在投資人電話會議中稱，由于產(chǎn)業(yè)供應增長有限，2010年料出現(xiàn)DRAM短缺。 　　他們表示，低耗能的高速DDR3晶片將在明年第一季成為DRAM市場的主流。
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  DDR3  

南亞科、華亞科沖刺50納米　明年資本支出逾600億新臺幣

  • 　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科和華亞科2009年第3季虧損均大幅縮小，并紛摩拳擦掌準備沖刺先進制程，其中，南亞科10月中已全數(shù)轉(zhuǎn)換至 68納米制程，首批50納米產(chǎn)品已試產(chǎn)成功，目標2010年第2季全數(shù)轉(zhuǎn)至50納米制程，屆時將全數(shù)出貨2Gb DDR3芯片，趕搭DDR3主流列車;華亞科則預計2010年第1季50納米制程量產(chǎn)，2010年底旗下13萬片12寸晶圓廠產(chǎn)能全轉(zhuǎn)至50納米制程，南亞科和華亞科2010年資本支出合計將達640億元，主要用于50納米制程。 　　南亞科和華亞科第3季營運表現(xiàn)明顯好轉(zhuǎn)，對于先
  • 關鍵字： 南亞科  DRAM  50納米  DDR3  68納米  
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