在過去十年里,CMOS圖像傳感器技術(shù)經(jīng)過連續(xù)改進(jìn)和不斷提高,已經(jīng)使其從主要服務(wù)于低端市場轉(zhuǎn)移到一些要求最苛刻的高性能應(yīng)用。伴隨著這種趨勢,CMOS圖像傳感器已經(jīng)開始主導(dǎo)圖像傳感器市場,并為原始設(shè)備制造商(OEM)
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提供 巨大 大市 機遇 應(yīng)用 多種 圖像 傳感器 主導(dǎo) CMOS
近年來,隨著CMOS工藝技術(shù)的不斷改進(jìn),CMOS傳感器的應(yīng)用范圍也越來越廣泛,包括數(shù)碼相機、電腦攝像頭、視頻電話、手機、視頻會議、智能型安保系統(tǒng)、汽車倒車視像雷達(dá)、玩具,以及工業(yè)、醫(yī)療等應(yīng)有盡有。實際上,CMOS
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CMOS 圖像 傳感器 方案 半導(dǎo)體 安森美 工業(yè) 醫(yī)療 應(yīng)用
東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)中提出了新戰(zhàn)略。東芝計劃將把瞄準(zhǔn)全球份額首位的NAND閃存業(yè)務(wù)實力,應(yīng)用于其他半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。具體做法是在分離式半導(dǎo)體業(yè)務(wù)、從原系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)中剝離出來的模擬成像IC業(yè)務(wù)、以及與硬盤業(yè)務(wù)進(jìn)行了整合的存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)中,應(yīng)用在存儲器業(yè)務(wù)中積累的制造技術(shù)實力。由此來培育出繼存儲器業(yè)務(wù)之后的又一支柱業(yè)務(wù)。東芝執(zhí)行董事高級常務(wù)、東芝半導(dǎo)體與存儲器公司社長小林清志在2011年8月公布了這一戰(zhàn)略。
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東芝 CMOS 傳感器
摘要:分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機理,以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系,并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計及優(yōu)化。在采用TSMC 0.25mu;m CMOS工藝,射頻信號為2.
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設(shè)計 平衡 CMOS ADS 采用
1 引言 鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場很大份額。然而,鋰電池產(chǎn)品在充放電過程中的過充電、過放電、放電過電流及其它異常狀態(tài)(例如
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保護(hù) 電路設(shè)計 電池 聚合物 CMOS 工藝 基于
為數(shù)億部數(shù)碼相機提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達(dá)克證券交易所代碼:ZRAN﹞日前宣布,其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機處理器平臺可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機。
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卓然 CMOS COACH 14
手機高級功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機用 CMOS 發(fā)射模塊,該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性,AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能,包括交換機和復(fù)合濾波器,可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。
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Amalfi CMOS
CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項成像技術(shù),它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景,就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求,合適選用CCD或CMOS技術(shù),便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外,還可看到,C
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分析 技術(shù) 主要 CMOS CCD
摘要:利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計方案,使用CMOS工藝設(shè)計了兩級全差分放大電路,在此基礎(chǔ)上設(shè)計輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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CMOS 共源共柵 功率放大器 方案
摘要:傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案,利用二級管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷,利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
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CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)
摘要:文章基于CMOS 0.18mu;m工藝,在Hspice下,對四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真,文中給出了每種電路仿真時的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。 關(guān)鍵詞:基準(zhǔn)電壓;CMOS集成電路;Hspice 0 引言 模擬電路廣泛
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仿真 分析 電壓 基準(zhǔn) CMOS
艾克賽利(Accelicon),器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者,宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference),并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
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艾克賽利 CMOS
摘要:片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過分析和對比各類功率放大器的特點,電路采用SMIC0.35-mu;mCMOS工藝設(shè)計2.4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級放大
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4GHz CMOS 35 集成
圖1中電路會根據(jù)一個脈沖,切換一個DPDT(雙刀雙擲)鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個瞬動開關(guān)至步進(jìn)電壓信號發(fā)生器,一個差分脈沖轉(zhuǎn)換器,一個繼電器驅(qū)動器,以及一個繼電器線圈?! ∷矂娱_關(guān)提供驅(qū)動電路的步進(jìn)電壓信
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研究 電路 CMOS 繼電器
我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點,新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
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CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
cmos“介紹
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