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cmos“ 文章 最新資訊

場(chǎng)效應(yīng)管和CMOS集成電路焊接技巧

  • 焊接絕緣柵（或雙柵）場(chǎng)效應(yīng)管以及CMOS集成塊時(shí)，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會(huì)感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過(guò)長(zhǎng)期實(shí)踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  場(chǎng)效應(yīng)管  集成電路  焊接    

主CMOS為鎂光合作產(chǎn)品 尼康V1全面拆解

  • 半導(dǎo)體行業(yè)網(wǎng)站Chipworks于近日對(duì)尼康新出品的微單相機(jī)V1做了非常詳細(xì)而且徹底的拆解，在這次拆解過(guò)程中我們也發(fā)現(xiàn)了不少秘密，首當(dāng)其沖的就是主CMOS上發(fā)現(xiàn)了Aptina的痕跡。Aptina是美國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)鎂光旗下的感光元件生產(chǎn)廠商，也推出過(guò)APS-C規(guī)格的16M像素CMOS。這也是首次明確發(fā)現(xiàn)尼康與Aptina合作，還是讓我們先來(lái)看看圖片吧！
  • 關(guān)鍵字： 尼康  V1  CMOS  

SuVolta發(fā)布Deeply Depleted Channel技術(shù)

  • 致力于開(kāi)發(fā)可微縮低功耗CMOS技術(shù)的公司SuVolta今日在2011年IEDM會(huì)議上發(fā)布其Deeply Depleted Channel (DDC - 深度耗盡通道)的技術(shù)細(xì)節(jié)。SuVolta的DDC技術(shù)是該公司的PowerShrink低功耗CMOS平臺(tái)的組成部分。該低功耗技術(shù)已向業(yè)界證明可以在不影響速度的前提下降低功耗百分之五十。配合先進(jìn)的電壓降低手段，DDC技術(shù)甚至可以降低功耗達(dá)百分之八十或更多。
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一種基于動(dòng)態(tài)閾值NMOS的1．2V CMOS模擬乘法器

  • 摘要 分析了以動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號(hào)的輸入晶體管，利用4個(gè)動(dòng)態(tài)閾值NMOS和2個(gè)有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)
  • 關(guān)鍵字： 模擬  法器  CMOS  2V  動(dòng)態(tài)  NMOS  基于  

共源共柵CMOS功率放大器效率的提高方案

  • 利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzW ...
  • 關(guān)鍵字： 共源  共柵  CMOS  功率放大器  

CMOS與CCD圖像傳感器

  • CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方
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不同電源供電的器件間的橋接

  • 半導(dǎo)體行業(yè)從一開(kāi)始就以“更小、更快、更便宜、更好”為宗旨。當(dāng)前的掌上電腦(PocketPC)比占地整整一幢樓...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  TTL  電源供電  

CMOS電路IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

  • 摘要：針對(duì)CMOS集成電路的故障檢測(cè)，提出了一種簡(jiǎn)單的IDDQ靜態(tài)電流測(cè)試方法，并對(duì)測(cè)試電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。所設(shè)計(jì)的IDDQ電流測(cè)試電路對(duì)CMOS被測(cè)電路進(jìn)行檢測(cè)，通過(guò)觀察測(cè)試電路輸出的高低電平可知被測(cè)電路是否存在物理缺
  • 關(guān)鍵字： 電路設(shè)計(jì)  測(cè)試  IDDQ  電路  CMOS  

自制 CMOS 集成電路測(cè)試儀

  • 電子技術(shù)的電控電路常采用CMOS邏輯控制系統(tǒng)，通過(guò)多年的維修實(shí)踐，我們自行設(shè)計(jì)和安裝了簡(jiǎn)易集成邏輯門(mén)電...
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一種低溫漂的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究

  • 摘要：為了滿足深亞微米級(jí)集成電路對(duì)低溫漂、低功耗電源電壓的需求，提出了一種在0．25mu;m N阱CMOS工藝下，采用一階溫度補(bǔ)償技術(shù)設(shè)計(jì)的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源電路。電路核心部分由雙極晶體管構(gòu)成，實(shí)現(xiàn)了VBE和VT的線性
  • 關(guān)鍵字： 研究  電壓  基準(zhǔn)  CMOS  低溫  

CMOS模擬多路復(fù)用器LTC1380/LTC1393

  • 描述　　該LTC1380/LTC1393都和SMBus ?兼容的數(shù)字接口的CMOS模擬多路復(fù)用器。該LTC1380是一個(gè)單端8通道多 ...
  • 關(guān)鍵字： CMOS  模擬  復(fù)用器  LTC1380  LTC1393  

CMOS電容式麥克風(fēng)設(shè)計(jì)詳解

  • 電容式麥克風(fēng)的中心議題： 電容式微麥克風(fēng)原理電容式麥克風(fēng)的解決方案： 電容式微麥克風(fēng)原理
    CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)電路設(shè)計(jì)
    CMOS微機(jī)電麥克風(fēng)工藝分類 純MEMS與CMOS工藝的差異
    隨著智能手機(jī)
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IDT推出全球首款超低功耗CrystalFree CMOS振蕩器

  • 　　擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號(hào)半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc.) ，推出業(yè)界首款擁有突破性 ±50 ppm 頻率精度和超低功耗的 CMOS 振蕩器。新器件代替了傳統(tǒng)的石英晶體振蕩器，在任何要求 ±50 ppm 時(shí)間基準(zhǔn)的廣泛應(yīng)用中，節(jié)省功耗高達(dá) 75%，包括計(jì)算、通信和消費(fèi)市場(chǎng)。 　　IDT 新的 3LG 系列 CrystalFree CMOS 振蕩器確保 ±50
  • 關(guān)鍵字： IDT  CMOS  

Vishay Siliconix推出CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款可使用2.7V～16V單電源或±2.7V～±8V雙電源工作的新器件，充實(shí)其DG92xx系列CMOS模擬開(kāi)關(guān)和多路復(fù)用器。新器件具有工作電壓范圍寬、小封裝尺寸和兼容低電壓邏輯的特點(diǎn)，可用于高速、高精度開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： Vishay Siliconix  CMOS  DG9236  DG9251  
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