cmos 文章最新資訊

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

　　高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動射頻前端技術(shù)的一個重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡化的走線和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線開關(guān)，相信會在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。　　集成天線開關(guān)的QFE2320多模多頻功率放大器(MMMBPA)和集成收發(fā)器模式開關(guān)的QFE2340高頻段MMMBPA，以及首款用于3G/4GLTE移動終端的包絡(luò)追蹤(ET)芯片QFE1100，都是Qualcomm?RF360?前端解決方案的關(guān)鍵組件，并支持OEM廠商打造用于全球LTE移動網(wǎng)絡(luò)的單
關(guān)鍵字：高通 CMOS

一種14位210MSPS校準(zhǔn)電流DAC設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： DAC D/A CMOS 201402

一種0.1-1.2GHz的CMOS射頻收發(fā)開關(guān)芯片設(shè)計(jì)

　　本文設(shè)計(jì)了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS 射頻收發(fā)開關(guān)芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術(shù)，在1.8V電壓供電下，該射頻開關(guān)收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內(nèi)的測試結(jié)果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。本開關(guān)采用GLOBALFOUNDRIES 0.18μm CMOS工藝，芯片總面積為0.53mm2。
關(guān)鍵字：射頻開關(guān) CMOS 開關(guān)芯片 201402

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-5

前面我說過，要順帶介紹一下除了CMOS之外的邏輯電路。所以下面我們看一看都有哪些選擇，以及各自的利弊吧。
關(guān)鍵字： CMOS PMOS 傳輸門 NMOS CPU

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-4

上一帖我們說到了IC的性能取決于R與C的乘積?？吹搅粞院笪野l(fā)現(xiàn)還必須補(bǔ)充一個遺漏的事實(shí)：當(dāng)器件的尺寸變得越來越小，連線在IC中越來越成為一個瓶頸。這是由于一個非常簡單的原因：連線相對于器件的尺寸來說越來越長了。
關(guān)鍵字： EDA CMOS CPU 反相器 PMOS

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-3

從上面的帖子中我們看到了CMOS工藝下的反相器。如果用一張圖總結(jié)一下這種設(shè)計(jì)模式就是下面的這張圖
關(guān)鍵字： CMOS PUN VDD 電路 CPU

從4004到core i7——處理器的進(jìn)化史-CPU構(gòu)成零件-2

在上一個帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： MOS CMOS 反相器電路 NMOS

中國智能手機(jī)CMOS傳感器市場發(fā)展?fàn)顩r分析

這是一個好材料，很多行業(yè)的中國消費(fèi)習(xí)慣都是獨(dú)具特色的?？纯粗悄苁謾C(jī)上需要怎樣的傳感器，才能滿足中國人的獨(dú)特需要吧。在此提供一個引子，前置攝像頭很重要呦，為啥呢，下面自己來看吧。
關(guān)鍵字：智能手機(jī) CMOS

對高電壓CMOS放大器利用單個IC實(shí)現(xiàn)高阻抗檢測實(shí)驗(yàn)

引言電壓的準(zhǔn)確測量需要盡量減小至被測試電路之儀器接線的影響。典型的數(shù)字電壓表(DVM)采用10M電阻器網(wǎng)絡(luò)以...
關(guān)鍵字： CMOS 放大器

拍攝愛好者的福利 CMOS圖像傳感器之HDR渲染解析

高動態(tài)范圍(HDR)高動態(tài)范圍(HDR)成像的一個特色，是可用來拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對比度的圖像。通過擴(kuò)...
關(guān)鍵字： CMOS 圖像傳感器

韓國東部高科為Brigates提供閉路電視圖像傳感器

韓國東部高科(Dongbu HiTek)日前宣布，該公司已開始為Brigates, Inc提供閉路電視(CCTV)圖像傳感器。Brigates, Inc是中國的一家無晶圓廠企業(yè)，專注于面向監(jiān)控應(yīng)用程序開發(fā)圖像傳感器。
關(guān)鍵字：東部高科傳感器 CMOS

一款可實(shí)現(xiàn)超低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器的設(shè)計(jì)方案

隨著筆記本電腦、手機(jī)、PDA等移動設(shè)備的普及，對應(yīng)各種電池電源使用的集成電路的開發(fā)越來越活躍，高性能、低成...
關(guān)鍵字： CMOS 線性穩(wěn)壓器

電路入門小常識：電路概念之——TTL與CMOS集成電路

集成電路(integratedcircuit)是一種微型電子器件或部件。采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、二極管...
關(guān)鍵字：電路概念 TTL CMOS 集成電路

一種16位高速數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

基于Mixed-Signal CMOS工藝，本文設(shè)計(jì)了一種采用分段式電流舵結(jié)構(gòu)的高速高精度DAC。同時在該DAC的內(nèi)部電路中采用了一種新的電流校準(zhǔn)技術(shù)，既保證了DAC電路的高精度，又減小了梯度誤差的影響。電路流片后的實(shí)際測試結(jié)果表明，該16位DAC在400MSPS轉(zhuǎn)換速率下仍具有良好的性能。
關(guān)鍵字： DAC CMOS 電流源自校準(zhǔn) SFDR 201401

美國可替代CMOS器件的低功耗隧道晶體管

　　一種新型晶體管使更快、更低功耗的計(jì)算器件成為可能，可用于類似敏捷傳感器網(wǎng)絡(luò)、植入式醫(yī)療電子技術(shù)和高機(jī)動式計(jì)算等能量受限領(lǐng)域。近帶隙隧道場效應(yīng)晶體這種新型器件采用量子機(jī)制，電子遂穿超薄能量勢壘，可以低電壓產(chǎn)生高電流。　　賓夕法尼亞州立大學(xué)、美國國家標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)研究院以及專業(yè)晶片制造商IQE公司在國際電子器件會議(IEDM)上聯(lián)合宣布了這一發(fā)現(xiàn)。IEDM會議匯集了全部來自主要芯片公司的代表，是一個廣受認(rèn)可的論壇，用于報(bào)告半導(dǎo)體和電子技術(shù)方面取得的突破性進(jìn)展。　　芯片制造商正在尋找繼續(xù)縮小晶體管
關(guān)鍵字： CMOS 隧道晶體管

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cmos 介紹

CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor 指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝，它的特點(diǎn)是低功耗。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。在計(jì)算機(jī)領(lǐng)域，CMOS常指保存計(jì)算機(jī)基本啟動信息(如日 [ 查看詳細(xì) ]