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cascode jfet 文章 最新資訊

很基礎(chǔ)的MOS管知識

  • 半導體三極管中參與導電的有兩種極性的載流子，所以也稱為雙極型三極管。本文將介紹另一種三極管，這種三極管只有一種載流子參與導電，所以也稱為單極型三極管，因為這種管子是利用電場效應控制電流的，所以也叫場效應三極管（FET），簡稱場效應管。場效應管可以分成兩大類，一類是結(jié)型場效應管（JFET），另一類是絕緣柵場效應管（MOSFET）。在如果你在某寶里搜索“場效應管”你會發(fā)現(xiàn)，搜索出來的基本上是絕緣柵場效應管。即使搜索“結(jié)型場效應管”，出來的也只有幾種，你是不是懷疑結(jié)型場效應管已經(jīng)被人類拋棄了的感覺，沒錯，JFE
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還分不清結(jié)型場效應管與絕緣柵？看這一文就夠了，圖表展現(xiàn)

  • JFET 與 MOSFET的區(qū)別JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于，通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導，而在 MOSFET 中，導電性是由于嵌入在半導體上的金屬氧化物絕緣體中的橫向電場。JFET 與 MOSFET的區(qū)別兩者之間的下一個關(guān)鍵區(qū)別是，JFET 允許的輸入阻抗比 MOSFET 小，因為后者嵌入了絕緣體，因此漏電流更少。JFET?通常被稱為“ON 器件”是一種耗盡型工具，具有低漏極電阻，而?MOSFET?通常被稱為“OFF 器件”，
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結(jié)型場效應管極性判斷方法，幫你搞定jfet極性判斷

  • 今天給大家講講結(jié)型場效應管極性判斷方法。用萬用表來判斷JFET極性相對來說比較簡單，因為只有一個PN結(jié)要測：要么在柵極和源極之間測量，要么在柵極和漏極之間測量。1、結(jié)型場效應管極性判斷方法--引腳識別JFET的柵極對應晶體管的基極，源極對應晶體管的發(fā)射極，漏極對應晶體管的集電極。在這之前講過關(guān)于三極管測好壞的方法，極性的判斷。可以點擊標題直接跳轉(zhuǎn)。三極管的測量方法和管腳辨別方法，一文總結(jié)，幾分鐘教你學會將萬用表設置為“R×1k”，用兩根表筆測量 每兩個引腳之間的正反向電阻。當兩個引腳的正反向電阻均為幾千歐
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晶體管分類有哪些？收藏這一張圖就夠了！

  • 本文來自公眾號：8號線攻城獅，主要介紹了晶體管分類，并以NPN BJT為例，分析了晶體管的參數(shù)和特性。
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如何成為硬件高手

  • 　　摘要：駕駛著進取號電子飛船，從發(fā)射區(qū)進入充滿黑洞的基區(qū)，一些同伴被黑洞束縛，一些擄去另一世界，你幸運地躲過一劫飛到集電結(jié)，受到強大的吸力快速渡越出集電區(qū)，漫游在低阻導線上，松了一口氣。然而前路不如你所愿地一帆風順，阻力重重的負載中到處碰壁……　　古人學問無遺力，少壯工夫老始成。若問硬件速成法，猶似浮沙立大廈。千萬別認為看后就能成為高手，當然筆者亦非高手，水滴石穿又豈是朝夕之功!謹以過往經(jīng)歷和拙見與在校學生朋友和剛工作的工程師分享共勉。　　理論學習　　沒有滿腹經(jīng)綸，何能出口成章。但覺得書海茫茫，不知從何
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結(jié)型場效應管(JFET)的基礎(chǔ)知識

  • 　　結(jié)構(gòu)與符號：　　? ?　　在N區(qū)兩側(cè)擴散兩個P+區(qū)，形成兩個PN結(jié)。兩個P+區(qū)相連，引出柵極g。N體的上下兩端分別引出漏極d和源極s?！　щ娫恚骸　? ?　　(1)VGS=0時，N型棒體導電溝道最寬(N型區(qū))。有了VDS后，溝道中的電流最大。　　(2)VGS<0時，耗盡層加寬(主要向溝道一測加寬)，并向溝道中間延伸，溝道變窄?！　‘擵GS
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CMOS放大器和JFET放大器的輸入偏置電流

  • 　　由于具有較低的偏置電流，人們經(jīng)常選用CMOS和JFET運算放大器。然而你應該意識到，這個事實還與很多其它的原因相關(guān)。　　CMOS晶體管的柵極 (CMOS運算放大器的輸入端)有極低的輸入電流。必須設計附加的電路來對脆弱的柵極進行ESD和EOS保護。這些附加的電路是輸入偏置電流的主要來源。這些保護電路一般都通過在電源軌之間接入鉗位二極管來實現(xiàn)。圖1a中的OPA320就是一個例子。這些二極管會存在大約幾皮安的漏電流。當輸入電壓大約達到電源軌中間值的時候，漏電流匹配的相當好，僅僅會存在小于1皮安的殘余誤差電流
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場效應管工作原理- -場效應管工作原理也瘋狂

  • 一、場效應管的工作原理- -概念 　　場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數(shù)載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。 二、
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導入Cascode結(jié)構(gòu)　GaN FET打造高效率開關(guān)

  • 為提高高壓電源系統(tǒng)能源效率，半導體業(yè)者無不積極研發(fā)經(jīng)濟型高性能功率場效應電晶體（FET）；其中，采用Cascode結(jié)構(gòu)的...
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挑戰(zhàn)毫微安小電流測量技術(shù)

  • 幾千種應用都需要測試小電流的電路，最常見的是測量二極管受光照射所產(chǎn)生的光電電流。一些科學應用（如CT...
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確定JFET特性的簡單電路

  • 當使用分立的JFET時，設計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應。一般會使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個近似模型：ID=beta;(VGS-VP)2，其中，ID是漏極電流，VGS是柵源電壓，be
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JFET級聯(lián)實現(xiàn)恒定精確電流源的方法

  • 很多工藝控制傳感器（如熱敏電阻器和應變橋）都需要精確的偏置電流。增加一只電流設置電阻器R1后，電壓基準電路IC ...
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英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。
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Power Integrations將銷售SiC二極管和JFET

  • 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司今日宣布同SemiSouth Laboratories簽署代表其在歐洲以外市場銷售創(chuàng)新的碳化硅(SiC)二極管和JFET系列產(chǎn)品的協(xié)議。
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電腦的麥克風電路以及JFET-MOSFET耳機功放電路

  • 電腦的麥克風電路The sound card for a PC generally has a microphone input, speaker output and sometimes line inputs and outputs. The mic input is designed for dynamic microphones only in impedance rang
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