boost(buck)芯片 文章 最新資訊
SanDisk與東芝合資開發(fā)3D內(nèi)存芯片
- 6月19日消息,據(jù)國外媒體報道,閃存制造商SanDisk公司近日發(fā)布了報送給美國證券交易委員會的一份報告,該報告稱,SanDisk將與東芝公司合作,共同開發(fā)和制造可重寫3D內(nèi)存。 SanDisk公司稱,兩家公司將共同致力于3D內(nèi)存芯片的開發(fā)和生產(chǎn),并共享與開發(fā)項目有關的專利許可技術。作為合資企業(yè)一部分,東芝將向SanDisk支付許可費用。 雙方合資最終將導致一種可替代NAND閃存的新型內(nèi)存技術,SanDisk是NAND型閃存的主要生產(chǎn)商之一。后者被iPod、iPhone、數(shù)碼相機和其他設備
- 關鍵字: SanDisk 東芝 3D 內(nèi)存 芯片
降低制造成本 東芝將關閉200毫米閃存工廠
- 日本電子制造商東芝將關閉它與美國晨碟公司合資構建的200毫米閃存工廠。 市場分析師認為,東芝此舉的目標是為了在全球閃存市場保持競爭力,公司正在努力尋求削減制造成本的途徑。 市場調(diào)研機構Nomura Securities分析師Masaya Yamasaki表示,在產(chǎn)品價格日益下跌的趨勢下,目前東芝的半導體運作仍然面臨著嚴峻的市場環(huán)境。我們認為東芝選擇退出200毫米晶圓生產(chǎn)線產(chǎn)品,能夠提升公司的成本競爭力。 隨著手機和蘋果ipod數(shù)字音樂播放器系列產(chǎn)品的流行,目前全球閃存產(chǎn)品市場前景被看
- 關鍵字: 東芝 閃存 手機 ipod 芯片
Vishay推出新型20V P 通道TrenchFET? 功率 MOSFET

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)推出新型 20V p 通道 TrenchFET® 功率 MOSFET --- Vishay Siliconix Si8445DB,該器件采用 MICRO FOOT® 芯片級封裝,具有業(yè)界最小占位面積以及 1.2 V 時業(yè)界最低的導通電阻。 隨著便攜式電子設備的體積越來越小以及它們功能的不斷增加,電源管理電路的可用板面空間會極大減少。為實現(xiàn)消費者對用電池做電源的電子設備的更長運行時間的期望,
- 關鍵字: Vishay MOSFET 芯片 手機 PDA 數(shù)碼相機 MP3 智能電話
億萬芯片 用心零售
- 近期,ICBUY億芯電子網(wǎng)與利爾達科技合作,攜手在ICBUY上推出了工程樣片零售業(yè)務,專為工程師提供小批量采購服務;首期可為客戶提供近2萬種現(xiàn)貨產(chǎn)品的零售服務,產(chǎn)品覆蓋電子元器件的各個品種,產(chǎn)品均由原廠和代理商供貨,能基本滿足工程師、學生、老師、維修人員對元器件產(chǎn)品的各種需求。 細節(jié)—從解決阻容采購難題開始 億芯網(wǎng)推出目的是為了幫助工程師能夠快速的采購到所需零件,通過深入分析,億芯網(wǎng)決定從工程師采購最難的電阻、電容產(chǎn)品出發(fā),為工程師提供阻容產(chǎn)品購買服務,不設最小起訂量;據(jù)了解,
- 關鍵字: 芯片 億萬 ICBUY 利爾達
全球半導體市場增長放緩但前景仍然看好
- 美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)日前發(fā)表半年度研究報告指出,受內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累,08年全球半導體銷售整體增長放緩,不過半導體銷售額在2011年前仍將保持強勁增長,2011年銷售額將從08年的2666億美元增長到3241億美元。 SIA表示,雖然內(nèi)存IC市場價格走勢疲軟繼續(xù)導致整個半導體產(chǎn)業(yè)受壓,但由于PC、移動設備和其它消費電子產(chǎn)品領域?qū)Π雽w的需求旺盛,半導體總體產(chǎn)業(yè)銷售額將保持強勁增長,預計08-11年芯片銷售額的復合年增率為6.1%。其中,今年PC總體銷量有望達到3億臺左右,手機單位出貨量預
- 關鍵字: 半導體 SIA 芯片 手機 三星 海力士 Gartne
電信設備及芯片制造商因重組而獲益
- 中國電信運營商的重組對電信設備商以及產(chǎn)業(yè)鏈上游的芯片制造商是一個利好消息。iSuppli預計,到2010年,中國移動TD系統(tǒng)設備投資規(guī)模將達180億元以上。未來3年中國電信為完善CDMA網(wǎng)絡而在系統(tǒng)設備方面的投資將達到500億元。中國聯(lián)通把CDMA網(wǎng)絡業(yè)務賣給中國電信之后,將有充足的資金來發(fā)展他的GSM網(wǎng)絡。預計中國聯(lián)通拿到3G牌照后將很快升級到WCDMA,甚至有可能在發(fā)達城市直接將現(xiàn)有網(wǎng)絡升級到HSDPA,利用成熟的3.5G網(wǎng)絡吸引數(shù)據(jù)用戶。預計中國聯(lián)通未來3年在GSM網(wǎng)絡的升級過程中在系統(tǒng)設備方面
- 關鍵字: 重組 電信設備 芯片 3G 牌照 WCDMA
數(shù)字電源控制器與芯片應用

- 1、數(shù)字電源基本特征 數(shù)字電源一直是系統(tǒng)架構師與電源設計者的熱門話題。由于電源管理業(yè)在不斷發(fā)展,而數(shù)字電源正是發(fā)展的重要一環(huán)。那么,什么是真正的數(shù)字電源,它又能帶來什么直接的好處呢?目前公認的數(shù)字電源定義是:提供監(jiān)控與配置功能,使用數(shù)字算法擴展至全環(huán)路控制的數(shù)字控制電源產(chǎn)品。因此,數(shù)字電源必須執(zhí)行的電源管理功能可以保留在模擬區(qū)域,也可以轉(zhuǎn)移至數(shù)字區(qū)域。數(shù)字電源可以完成對PWM控制環(huán)路的數(shù)字控制和數(shù)字電源管理與通信任務。系統(tǒng)可以使用一種或兩種形式的數(shù)字電源。數(shù)字電源組成包括好幾個部分,典型的產(chǎn)品由
- 關鍵字: 數(shù)字電源 控制器 芯片 PWM UPS
TD-LTE芯片設計的最大挑戰(zhàn)
- LTE在芯片設計時,需要考慮帶寬、實時性要求,通過硬件與軟件的分工,進行系統(tǒng)體系架構設計。其中最主要的是處理帶寬,對應不同的處理量,有不同的采樣率、總線帶寬以及外部通信口的帶寬。 在芯片設計之初,芯片處理需求分析主要包括功能的需求分析和性能的需求分析。在性能要求比較高的時候,需要增加新的功能模塊來提高整個芯片的性能。在系統(tǒng)分析的初期要對整個系統(tǒng)的硬件和軟件進行分工,做出系統(tǒng)的架構分析。 結(jié)合系統(tǒng)指標,我們認為最主要的是如何處理帶寬。不同帶寬需求,對應著不同的處理數(shù)據(jù)量的需求,還有不同的采樣
- 關鍵字: TD LTE 芯片
基于Ap1661芯片的熒光燈電子鎮(zhèn)流器設計

- 前言 熒光燈應用廣泛,種類繁多,特性參數(shù)專業(yè)性較強,通常可根據(jù)管徑、光色、功率進行分類。 熒光燈管按管徑大小分為:T12、T10、T8、T6、T5、T4、T3等規(guī)格。T+數(shù)字組合,表示管徑的毫米數(shù)值:T=1/8英時,一英時為25.4mm,數(shù)字代表T的個數(shù),故T12=25.4mm×1/8×12=38mm。熒光燈管管徑與電參數(shù)的關系是管徑越細,光效越高,節(jié)電效果越好;管徑越細,燈點燃的啟輝電壓越高,對鎮(zhèn)流器技術性能要求也越高。管徑大于T8(含T8),點燃啟輝電壓較低。點
- 關鍵字: 芯片 鎮(zhèn)流器
意法半導體推出全新電壓監(jiān)控器
- 意法半導體推出四通道和五通道電壓監(jiān)控器STM6904/5,新產(chǎn)品可以節(jié)省電路板空間、成本和電能,用于機頂盒、電信設備、網(wǎng)絡設備、計算機和數(shù)據(jù)存儲應用等,確保多電壓系統(tǒng)的完整性。 具備低電流消耗(典型值12µA)特性,加上8引腳MSOP微型封裝,新產(chǎn)品對系統(tǒng)總體功耗和電路板布局的影響微乎其微。STM6905提供五條電壓監(jiān)控通道和固定的延時到復位時間(210ms);而STM6904提供四條電壓監(jiān)控通道和用戶可選的復位延時參數(shù)。 由于新產(chǎn)品比前一代產(chǎn)品提供更多的監(jiān)控通道,工程師能夠在
- 關鍵字: 意法半導體 電壓監(jiān)控器 芯片
高集成度促傳感器市場日益數(shù)字化
- 模擬還是數(shù)字?在工業(yè)化測量和控制領域,這還存在爭執(zhí)。盡管問題很簡單,并且有越來越多的數(shù)字化產(chǎn)品,但仍然很難下結(jié)論。 傳感器設備集成了越來越多的數(shù)字化電路和接口。一些控制領域的應用,要求很多不同的輸入以及多變量的處理。這些復雜的要求只有數(shù)字電路應付得過來。然而,在另一些應用中,模擬依舊占主導地位。 傳感器提供了數(shù)字輸出信號,這需要內(nèi)部具備集成的電路,如ADC以及串行器。因為制造方式相同,所需材料相同,基于MEMS的傳感器非常適合數(shù)字化。 歐洲Measurement Specialtie
- 關鍵字: 芯片 傳感器 模擬 數(shù)字 MEMS 集成電路
也談芯片生產(chǎn)中的“過程能力指數(shù)”分析

- 在芯片的生產(chǎn)過程中,會經(jīng)歷許多次的摻雜、增層、光刻和熱處理等工藝制程,每一步都必須達到極其苛刻的物理特性要求。但是,即使是最成熟的工藝制程也存在不同位置之間、不同晶圓之間、不同工藝運行之間以及不同時段之間的變異。有時,這種變異會使工藝制程超出它的制程界限,生產(chǎn)出不符合工藝標準的晶圓,從而嚴重地影響成品率(Yield)。而任何對半導體工業(yè)有過些許了解的人都知道:整個工業(yè)對其良品率都極其關注。因此,正確地評估和控制芯片生產(chǎn)過程中的變異顯得尤為重要,而研究過程變異的常用方法之一就是過程能力分析。 一般
- 關鍵字: 芯片 過程能力指數(shù) 半導體 JMP
boost(buck)芯片介紹
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