arm匯編u-boot-nand-spl啟動過 文章 進(jìn)入arm匯編u-boot-nand-spl啟動過技術(shù)社區(qū)
三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作
- 閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作,這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作,另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動和消費(fèi)級電子類應(yīng)用。 現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用,接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND
爾必達(dá)赴臺設(shè)NAND Flash研發(fā)中心
- 據(jù)了解,日商爾必達(dá)已決定來臺設(shè)立研發(fā)中心,且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺幣,未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。 據(jù)悉,爾必達(dá)與臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)合作雖然破局,但爾必達(dá)與臺灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在,政府單位與爾必達(dá)互動密切,爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書,經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。 官員透露,爾必達(dá)來臺設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟,已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中,研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動態(tài)存儲器
- 關(guān)鍵字: TIMC NAND DRAM
亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場強(qiáng)力支撐
- 全球半導(dǎo)體市場需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平,2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看,含大陸在內(nèi)的亞太市場占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中,已成為全球半導(dǎo)體市場需求的強(qiáng)力支撐。然因市場對歐洲經(jīng)濟(jì)成長仍持疑慮,2010年秋季后市場需求動態(tài)值得關(guān)注。 美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出,金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元,而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么?
- 編者點(diǎn)評:每年的SEMICON West時(shí),時(shí)間己經(jīng)過半,所以業(yè)界都會關(guān)心下半年與未來會是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗,似乎已成定局。然而對于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達(dá)90%,但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來,因?yàn)?010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊,增長點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。 SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會即將開幕,與去年全球IC下降不同,如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。 按市場調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì),2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM
力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
- 近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助,聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶,加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場,3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示,力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺幣70億元,是臺灣血統(tǒng)最純正技術(shù),目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代,但若未來成功走向20納米制程,對臺灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。 事實(shí)上,力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。 今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存芯片
因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲
- 據(jù)iSuppli稱,隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品,今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。 iSuppli高級半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說,當(dāng)市場供貨量緊張的時(shí)候,平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲數(shù)據(jù)。今年第二 季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢。但是,智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件,從而產(chǎn)生了額外的存儲需求。 廠商產(chǎn)量不會由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是,供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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U-Boot在MPC8265平臺上的移植與分析

- U-Boot在MPC8265平臺上的移植與分析,如何根據(jù)開發(fā)板的硬件資源設(shè)計(jì)引導(dǎo)加載程序是嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)的重點(diǎn)與難點(diǎn)。為解決引導(dǎo)加載程序的設(shè)計(jì)問題,針對一個(gè)基于MPC-8265處理器的硬件系統(tǒng)平臺,分析了U-Boot的源碼結(jié)構(gòu)組成和啟動流程,并提出U-Boot的移植方法。該方法可廣泛應(yīng)用于其他處理器及嵌入式系統(tǒng)。應(yīng)用結(jié)果表明,移植后的U-Boot-1.2.0在開發(fā)板上運(yùn)行良好,可以成功穩(wěn)定地引導(dǎo)Linux-2.6內(nèi)核以及NFS根文件系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: 分析 移植 平臺 MPC8265 U-Boot
10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)
- 至此,對于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的,而且是有相當(dāng)大的增長。 但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂,以下是對于2010年有10個(gè)理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。 1. IC熱,然后冷 Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示,2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元, 與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測,2010年增長19.9%相比有明顯提高。 芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM NAND
存儲器市場高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

- 按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 半導(dǎo)體制造
金士頓創(chuàng)辦人稱:看好DRAM下半年銷售
- 6月3日消息,據(jù)臺灣媒體報(bào)道,全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺表示,DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低,再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品,帶動DRAM需求,他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會好。 孫大衛(wèi)表示,DRAM制造廠越來越少,各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段,總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下,下半年的DRAM供需不僅趨于平衡,甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃,讓臺系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為,目前全球的
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 智能手機(jī)
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

- NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁,塊是擦
- 關(guān)鍵字: 閃存 設(shè)計(jì) 映射 適應(yīng) NAND
存儲器市場高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

- 按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
- 關(guān)鍵字: Hynix 存儲器 DRAM NAND
u-boot的Makefile分析
- u-boot的Makefile分析,U-BOOT是一個(gè)LINUX下的工程,在編譯之前必須已經(jīng)安裝對應(yīng)體系結(jié)構(gòu)的交叉編譯環(huán)境,這里只針對ARM,編譯器系列軟件為arm-linux-*。U-BOOT的下載地址: http://sourceforge.net/projects/u-boot
我下載的是1.1.6版本 - 關(guān)鍵字: Makefile分析 u-boot
arm匯編u-boot-nand-spl啟動過介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條arm匯編u-boot-nand-spl啟動過!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對arm匯編u-boot-nand-spl啟動過的理解,并與今后在此搜索arm匯編u-boot-nand-spl啟動過的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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