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用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
  • 關(guān)鍵字： DNW  USB  uboot  nand  

采取多元化戰(zhàn)略，加強(qiáng)在華合作

  • 編者按：8月初，Spansion宣布兩項重大舉措：一，完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務(wù)的收購;二，簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術(shù)許可協(xié)議?？梢?，Spansion由最大的獨(dú)立閃存公司變身為多元產(chǎn)品公司，并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
  • 關(guān)鍵字： 富士通  Spansion  MCU  NAND  201309  

三星宣布量產(chǎn)全球首個3D垂直閃存V-NAND

  • 　　三星電子在存儲技術(shù)上的領(lǐng)先的確無可匹敵，今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個采用3D垂直設(shè)計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭，3D堆疊已經(jīng)成了潮流，處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來。 　　三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB)，內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu)，通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來連接3D單元陣列。 　　三星稱，這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上，可靠性提升最少2倍、最多10倍，而且寫入性能也可達(dá)到1xnm N
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半導(dǎo)體廠擴(kuò)產(chǎn) 力成進(jìn)補(bǔ)

  • 　　不讓韓國三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺后段封測廠力成(6239)營運(yùn)挹注成長動能。 　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來首度做出增產(chǎn)決定，因為蘋果中低價手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。 　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球
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NAND閃存第一季度意外出現(xiàn)短缺

  • 據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告，今年第一季度中國低端智能手機(jī)的需求大增，讓內(nèi)存供應(yīng)商措手不及，刺激了NAND閃存市場的增長并導(dǎo)致其出現(xiàn)供應(yīng)短缺。
  • 關(guān)鍵字： IHS  NAND  

第一季度SSD出貨勁增，尤其是在超級本與PC平板領(lǐng)域

  • 據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告，超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增，在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領(lǐng)域的出貨量同比激增兩倍。
  • 關(guān)鍵字： IHS  SSD  NAND  HDD  

芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

  • 　　據(jù)國外媒體報道，芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關(guān)鍵信息是，盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空，但明年的前景要光明得多。 　　SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計，2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測，2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。 　　當(dāng)然，SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前，SEMI曾預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年：芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  • 　　根據(jù)國外媒體的報道，2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退，預(yù)計芯片制造設(shè)備的全年營收下降2%，而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。 　　這次衰退預(yù)計同樣出自SEMI，這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計已經(jīng)落空。實際上從2012年下半年開始，以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定，主要是因為消費(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大，三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。 　　不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  • 　　導(dǎo)語：路透社今天撰文指出，近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和，曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩，但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強(qiáng)勢崛起，以及中國移動市場的火爆，中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。 　　以下為文章全文： 　　重新掌握主動 　　隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增，以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起，東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國，成為全球第一大智能手機(jī)市場
  • 關(guān)鍵字： DRAM  NAND  

內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  • 　　7月5日消息，由于中國廉價平板、智能手機(jī)需求增長，由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn)，東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn)，開始收獲金錢了。 　　在高端產(chǎn)品領(lǐng)域，盡管市場增速沒過去那么快了，但是，這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存，也會刺激內(nèi)存銷售的增長。 　　兩種趨勢之下，加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資，DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升，在廠商面前，內(nèi)存制造商抬起頭來，它們有了更高的議價能力。 　　I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出：“
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NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

  • 　　存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會，執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季，并指出未來12個月，NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限，但需求十分強(qiáng)勁，幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容，因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。 　　根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查，由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴(kuò)產(chǎn)動作，加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩，第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%，但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進(jìn)入
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NAND閃存閃現(xiàn)光芒，今年營業(yè)收入有望大增

  • 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報，由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大，NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
  • 關(guān)鍵字： IHS  NAND  

NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告，低端平板電腦市場相對強(qiáng)健，幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn)，提升了全年營業(yè)收入水平，并縮減了2012年虧損程度。 　　2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元，比第三季度的48億美元增長17%，這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個季度，如圖3所示。在最后一個季度的強(qiáng)力推動下，2012年全年NAND營業(yè)收入達(dá)到200億美元，比2011年只下降4.6%，降幅小于最初擔(dān)憂的水平。 　　圖3：2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

  • 　　根據(jù)Digitimes的研究報告顯示，日本前三大半導(dǎo)體公司，東芝，瑞薩電子和索尼，盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低，但利潤已經(jīng)提高。 　　其中，東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元)，達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。 　　瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入，環(huán)比下降1.9%，達(dá)到1739億日元。然而，在連續(xù)七個季度的經(jīng)營虧
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DRAM看漲 類股營運(yùn)走俏

  • 　　由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲器供自家手機(jī)、平板及電視使用下，加上大陸白牌平板計算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動，存儲器近期報價緩步上揚(yáng)，DDR32Gb均價每顆站上1.74美元，站上二年多來新高，相關(guān)DRAM族群營運(yùn)看俏。 　　 ? 　　此外，NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期，今年7、8月，NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境，擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。 　　市場得知，三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后，市場備貨潮5月中旬再度啟動，讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚(yáng)升，站上
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