燒寫前提:已經把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了,這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
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DNW USB uboot nand
編者按:8月初,Spansion宣布兩項重大舉措:一,完成對富士通微控制器(MCU)和模擬業(yè)務的收購;二,簽署與XMC(武漢新芯集成電路制造公司)的技術許可協(xié)議??梢?,Spansion由最大的獨立閃存公司變身為多元產品公司,并且加深與中國代工廠的合作。是什么促使Spansion做此決定?Spansion對華戰(zhàn)略如何?
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富士通 Spansion MCU NAND 201309
三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣布已經批量投產全球第一個采用3D垂直設計的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、內存什么的都要堆起來。
三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內部采用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲閃存技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。
三星稱,這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm N
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三星 V-NAND
不讓韓國三星專美于前,日本半導體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布,將共同斥資4,000億日圓(約新臺幣1,221.2億元),于日本三重縣四日市興建儲存型快閃存儲器(NAND Flash)新廠,導入最新16至17納米制程,使總產能提升20%,明年4月量產,為在臺后段封測廠力成(6239)營運挹注成長動能。
這是三星在上月宣布調高今年半導體資本支出后,東芝近兩年來首度做出增產決定,因為蘋果中低價手機和大陸手機的強勁需求。
研究機構統(tǒng)計,去年全球NAND Flash出貨量,三星居全球
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半導體 NAND
據(jù)IHS公司的移動與嵌入存儲市場追蹤報告,今年第一季度中國低端智能手機的需求大增,讓內存供應商措手不及,刺激了NAND閃存市場的增長并導致其出現(xiàn)供應短缺。
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IHS NAND
據(jù)IHS公司的存儲市場追蹤報告,超薄/超級本PC以及PC平板的使用大增,在第一季度極大地推動了固態(tài)硬盤(SSD)的發(fā)展。SSD在這些領域的出貨量同比激增兩倍。
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IHS SSD NAND HDD
據(jù)國外媒體報道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個關鍵信息是,盡管對芯片產業(yè)2013年增長的預期落空,但明年的前景要光明得多。
SEMI(半導體設備暨材料協(xié)會)預計,2013年芯片制造設備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預測,2014年芯片制造設備營收將猛增21%。
當然,SEMI以往曾對芯片制造設備營收作出過高的預期。1年前,SEMI曾預計2013年芯片制造設備營收將增長約1
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芯片制造 NAND
根據(jù)國外媒體的報道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預計芯片制造設備的全年營收下降2%,而此前SEMI曾經預計2013年芯片制造設備營收會增長10%。
這次衰退預計同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預計已經落空。實際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設備的訂單就已經開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因為消費類電子產品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。
不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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芯片制造 NAND
導語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機市場的需求趨于飽和,曾經推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。
以下為文章全文:
重新掌握主動
隨著中國低端智能手機和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設備廠商的強勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機市場
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DRAM NAND
7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。
在高端產品領域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設備渴望裝上更大的內存,也會刺激內存銷售的增長。
兩種趨勢之下,加上2011年以來內存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內存芯片價格已經開始回升,在廠商面前,內存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。
I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
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內存芯片 NAND
存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個月,NAND市場產能供給增加的幅度有限,但需求十分強勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。
根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調查,由于全球4大供應商近一年來沒有擴產動作,加上制程微縮難度太高導致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進入
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SSD NAND
據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報,由于在手機、游戲控制臺和混合存儲驅動器等產品中的使用擴大,NAND閃存市場今年有望實現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
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IHS NAND
據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報告,低端平板電腦市場相對強健,幫助NAND閃存產業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn),提升了全年營業(yè)收入水平,并縮減了2012年虧損程度。
2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元,比第三季度的48億美元增長17%,這是當年表現(xiàn)最好的一個季度,如圖3所示。在最后一個季度的強力推動下,2012年全年NAND營業(yè)收入達到200億美元,比2011年只下降4.6%,降幅小于最初擔憂的水平。
圖3:2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預估(以百
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NAND 平板電腦
根據(jù)Digitimes的研究報告顯示,日本前三大半導體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經提高。
其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達到了1730億日元(17.1億美元),達到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價格穩(wěn)定。東芝已經看到半導體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個季度增長。
瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達到1739億日元。然而,在連續(xù)七個季度的經營虧
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瑞薩電子 閃存 NAND
由于韓國三星半導體將七成存儲器供自家手機、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計算機、智能手機備貨潮重新啟動,存儲器近期報價緩步上揚,DDR32Gb均價每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關DRAM族群營運看俏。
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此外,NANDFlash應用大廠群聯(lián)預期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強力貨源為后盾的廠商將受惠。
市場得知,三星將把七成行動存儲器產能保留給自家產品后,市場備貨潮5月中旬再度啟動,讓標準型DRAM現(xiàn)貨報價再度揚升,站上
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DRAM NAND
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