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用于扇出型晶圓級封裝的銅電沉積

- 隨著集成電路設計師將更復雜的功能嵌入更狹小的空間,異構集成包括器件的3D堆疊已成為混合與連接各種功能技術的一種更為實用且經(jīng)濟的方式。作為異構集成平臺之一,高密度扇出型晶圓級封裝技術正獲得越來越多的認可。此種封裝解決方案的主要優(yōu)勢在于其封裝的基片更少,熱阻更低,電氣性能也更優(yōu)秀。這是一個體現(xiàn)“超越摩爾定律”的例子,即使用 “摩爾定律”以外的技術也能實現(xiàn)更高的集成度和經(jīng)濟效益。圖1. 2.5D封裝中的中介層結構異構集成技術高密度扇出型封裝技術滿足了移動手機封裝的外形尺寸與性能要求,因此獲得了技術界的廣泛關注。
- 關鍵字: RDL CMP
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