EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
pgnd
pgnd 文章 進(jìn)入pgnd技術(shù)社區(qū)
Vishay推出新款30 V MOSFET半橋功率級(jí)模塊，輸出電流提高11 %
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n溝道MOSFET半橋功率級(jí)模塊 ——?SiZF300DT?,將高邊TrenchFET?和低邊SkyFET? MOSFET與集成式肖特基二極管組合在一個(gè)小型PowerPAIR? 3.3 mm x 3.3 mm封裝中。Vishay Siliconix??SiZF300DT?提高了功率密度和效率,同時(shí)有助于減少元器件數(shù)量,簡(jiǎn)化設(shè)計(jì),適用于計(jì)算和通信應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換。日前發(fā)布器件中
- 關(guān)鍵字： MOSEFET PGND
| 共1條 1/1 1 |
pgnd介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條pgnd!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)pgnd的理解，并與今后在此搜索pgnd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)pgnd的理解，并與今后在此搜索pgnd的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473