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3nm finfet 文章 最新資訊

格芯交付性能領先的7納米FinFET技術在即

  • 　　格芯今日宣布推出其具有7納米領先性能的(7LP)FinFET半導體技術，其40%的跨越式性能提升將滿足諸如高端移動處理器、云服務器和網(wǎng)絡基礎設施等應用的需求。設計套件現(xiàn)已就緒，基于7LP技術的第一批客戶產(chǎn)品預計于2018年上半年推出，并將于2018年下半年實現(xiàn)量產(chǎn)?！　?016年9月，格芯曾宣布將充分利用其在高性能芯片制造中無可比擬的技術積淀，來研發(fā)自己7納米FinFET技術的計劃。由于晶體管和工藝水平的進一步改進，7LP技術的表現(xiàn)遠優(yōu)于最初的性能目標。與先前基于14納米FinFET技術的產(chǎn)品相比，預
  • 關鍵字： 格芯  FinFET  

SoC系統(tǒng)開發(fā)人員：FinFET對你來說意味著什么？

  • 大家都在談論FinFETmdash;mdash;可以說，這是MOSFET自1960年商用化以來晶體管最大的變革。幾乎每個人mdash;mdash;除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI）的人，都認為20 nm節(jié)點以后，F(xiàn)inFET將成為SoC的未來。但是對于要使用這些SoC的系統(tǒng)開發(fā)人員而言，其未來會怎樣呢？
  • 關鍵字： SoC  Synopsys  FinFET  

ALD技術在未來半導體制造技術中的應用

  • 由于低溫沉積、薄膜純度以及絕佳覆蓋率等固有優(yōu)點，ALD（原子層淀積）技術早從21世紀初即開始應用于半導體加工制造。DRAM電容的高k介電質(zhì)沉積率先采用此技術，但近來ALD在其它半導體工藝領域也已發(fā)展出愈來愈廣泛的應用。
  • 關鍵字： ALD  半導體制造  FinFET  PVD  CVD  

FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn)

  • 　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設計挑戰(zhàn)。多重圖案拆分給設計實施過程帶來了許多重大布局限制，另外為降低功耗和提高性能而引入 FinFET 晶體管使之更加復雜，因為它對擺設和布線流程帶來了更多的限制。下面就隨模擬電子小編一起來了解一下相關內(nèi)容吧。 　　FinFET布局和布線要經(jīng)受各種挑戰(zhàn) 　　隨著高級工藝的演進，電路設計團隊在最先進的晶片上系統(tǒng)內(nèi)加載更多功能和性能的能力日益增強。與此同時，他們同樣面臨許多新的設
  • 關鍵字： FinFET  

英特爾推全新低功耗FinFET技術　22納米制程戰(zhàn)場煙硝起

  • 　　英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發(fā)套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續(xù)到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業(yè)者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)應用所生產(chǎn)之同類芯片而來。 　　據(jù)EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產(chǎn)品而開發(fā)出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(le
  • 關鍵字： 英特爾  FinFET  

傳梁孟松加盟中芯國際 兩岸半導體技術戰(zhàn)一觸即發(fā)

  • 　　繼網(wǎng)羅到蔣尚義這位臺灣半導體大將后，大陸半導體產(chǎn)業(yè)又有新動作。據(jù)報道，傳大陸行業(yè)領頭羊中芯國際要將梁孟松收入麾下，梁孟松或于 5 月出任中芯國際 CTO 或 COO。和蔣尚義一樣，梁孟松同樣來自臺積電技術研發(fā)高層，他曾任臺積電資深研發(fā)處長。 　　之前蔣尚義加入中芯時，已經(jīng)是半導體行業(yè)的一枚重磅炸彈了，畢竟無論是從他 40 多年的行業(yè)經(jīng)驗還是在臺積電的任職時間來看，他都堪稱元老。在臺積電，蔣尚義參與主導了從0.25微米、0.18微米直至16納米制程技術的研發(fā)，張忠謀曾感激他為“臺積電16年
  • 關鍵字： 中芯國際  FinFET  

臺積電公開回復：東芝競標案和3nm廠選址

  • 　　臺積電13日的法說會中，針對近期兩大熱門議題：日本半導體大廠東芝NAND Flash部門競標案、先進制程3奈米晶圓廠的選址，一一對外界做最新的回覆。 　　自從臺積電董事長張忠謀公開表示，考慮參與日本半導體大廠東芝(Toshiba)競標案后，臺積電對該案的態(tài)度備受市場關注，尤其參與競標者又是鴻海、SK海力士(SK Hynix)、威騰(WD)等全球大廠。 　　臺積電13日指出，內(nèi)部確實評估過該案，但最后決定不去參與競標，主要是兩大原因，第一，內(nèi)部認為這種標準型記憶體的商業(yè)模式和邏輯產(chǎn)業(yè)很不一樣，第二是
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

英特爾7億美金建廠美國 臺積電5000億投資3nm技術

  • 　　晶圓代工龍頭臺積電正式將赴美國設立晶圓廠列入選項，且目標直指最先進且投資金額高達5000億元的3納米制程。臺灣地區(qū)媒體報道稱，臺積電3納米出走將撼動全球半導體江山。 　　擔憂臺灣代工基地空氣不佳、電力不穩(wěn) 　　臺媒引述指出，臺積電政策轉(zhuǎn)向，主因是南科高雄園區(qū)路竹基地，環(huán)評作業(yè)完成時間可能無法配合臺積電需求，加上空氣品質(zhì)及臺灣電力后續(xù)穩(wěn)定不佳，也是干擾設廠的變數(shù)。 　　臺積電表示，南科高雄園區(qū)路竹基地也未排除在外，持續(xù)觀察，選地尚未決定。至于電力問題，臺積電重申，考慮設廠地點，水、電、土地、人才，
  • 關鍵字： 英特爾  3nm  

臺積電斥資157億美元打造5nm/3nm芯片生產(chǎn)線

  • 　　臺科技部長陳良基15日接受經(jīng)濟日報專訪時表示,他上任后主動拜會臺積電董事長張忠謀等科技大老,對臺積電3納米計劃需求,政府將全力協(xié)助,也會特別關注半導體產(chǎn)業(yè),并從近程及長期著手協(xié)助產(chǎn)業(yè)升級。 　　對于空污總量管制等環(huán)保要求,會否影響臺積電3納米進程,陳良基說:「我比較審慎樂觀。我有看到臺積電對3納米需求,水電、土地、空污等因應措施,并沒有不能解決的悲觀?！顾㈩A言,以人工智能(AI)技術為主的沛星互動科技(Appier),十年后有可能成為另一個「臺積電」。 　　陳良基說,他跟張忠謀常碰面,上任后
  • 關鍵字： 臺積電  3nm  

FinFET之父胡正明談人才培育

  • 　　潘文淵文教基金會日前舉行“潘文淵獎”頒獎典禮，2016年的得獎人是加州大學柏克萊分校講座教授胡正明，他曾回臺擔任臺積電首任技術長，也是工研院院士，他所研發(fā)的3D鰭式晶體管(FinFET)突破物理極限，堪稱半導體工業(yè)40多年來的最大變革。 　　胡正明目前仍深耕學術教育，為產(chǎn)學研界培育眾多優(yōu)秀人才。 在頒獎典禮中，胡正明與清華大學前校長劉炯朗以“創(chuàng)新人才培育─邁向科技新世代”為題進行高峰論壇，兩人提出許多深具啟發(fā)性的見解。 　　肯定自己 解決問題就是創(chuàng)新
  • 關鍵字： FinFET  

胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關注，為何?因為FD-SOI技術。 　　眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談談Fi
  • 關鍵字： FinFET  FD-SOI  

SOI與finFET工藝對比 中國需要發(fā)展誰才正確

  • 中國半導體業(yè)發(fā)展可能關鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實去干，去解決一個一個難題。任何進步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責任尤為重要。
  • 關鍵字： SOI  finFET  

高通總裁談服務器芯片：更低功耗實現(xiàn)相同性能

  • 　　2016年12月7日，高通宣布在服務器領域的最新進展：其首款10nm服務器芯片Qualcomm Centriq 2400開始商用送樣，預計在2017年下半年實現(xiàn)商用。作為Qualcomm Centriq系列的首款產(chǎn)品，Centriq 2400采用最先進的10nm FinFET制程技術，這也是全球首款10nm處理器芯片，最高可配置48個核心。 　　高通官方介紹，Qualcomm Centriq 2400系列主打QDT的ARMv8可兼容定制內(nèi)核——Qualcomm? Fa
  • 關鍵字： 高通  FinFET  

中國微電子所在FinFET工藝上的突破有何意義？

  • 　　最近，中國微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心在下一代新型FinFET邏輯器件工藝研究上取得重要進展。微電子所殷華湘研究員的課題組，利用低溫低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上實現(xiàn)了全金屬化源漏(MSD)，能顯著降低源漏寄生電阻，從而將N/PMOS器件性能提高大約30倍，使得驅(qū)動性能達到了國際先進水平。 　　基于本研究成果的論文被2016年IEEE國際電子器件大會(IEDM)接收，并在IEDM的關鍵分會場之一——硅基先導CMOS 工藝和制造技術(PMT)上，由張青竹
  • 關鍵字： FinFET  摩爾定律  

中國突破半導體新工藝 先要從這位美籍華人講起

  • 由于技術和商業(yè)上的原因，摩爾定律也失去了效力，而且受制于光刻技術、硅材料的極限等因素，芯片制程提升很可能會遭遇瓶頸，這種情況下胡正明教授的FinFET研究就尤為重要。
  • 關鍵字： 半導體  FinFET  
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