熟女俱乐部五十路二区av,又爽又黄禁片视频1000免费,国产卡一卡二卡三无线乱码新区,中文无码一区二区不卡αv,中文在线中文a

首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d-nand

3d-nand 文章 最新資訊

IC Insights：大陸半導體制造困難大，五年后自制率不過半

  • ICInsights最新報告顯示，大陸的集成電路生產仍遠低于政府的目標。報告指出，2018年大陸半導體市場為......
  • 關鍵字： 半導體  晶圓  NAND  

韓媒：存儲器產業(yè)陷入低迷，中國企業(yè)或放緩前進步伐

  • 根據韓國媒體Business Korea報道，由于存儲器產業(yè)從2018年年底迎來低迷，存儲器產品價格下跌，各大存儲器廠商先后宣布降低產量以來，雖然三星仍然穩(wěn)坐半導體產業(yè)頭把交椅，但是其盈利能力已經受到質疑?！　o獨有偶，SK海力士等廠商的日子也不好過。頭部廠商的日子尚且如此，那還在奮斗中的中國存儲器廠商又將面對怎樣的未來呢?　
  • 關鍵字： 存儲器，NAND  

集邦咨詢：供需失衡態(tài)勢難止，NAND Flash供應商2019年資本支出年減2%

  • 　　根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND Flash市場經歷全年供過于求，且2019年筆記本電腦、智能手機、服務器等主要需求表現仍難見起色，預計產能過剩難解。在此情況下，供應商將進一步降低資本支出以放緩擴產進程，避免位元成長過多導致過剩狀況加劇?！　RAMeXchange調查指出，2018年因供過于求難以遏制，韓系供應商帶頭降低資本支出。NAND Flash總體資本支出下調近10%，但供需失衡的情形仍無法逆轉。2019年美系廠商減少資本支出，使得NAND
  • 關鍵字： NAND  東芝  

存儲器行業(yè)的2018：冰與火之歌｜盤點2018

  • 存儲器一直被看成是半導體行業(yè)的晴雨表，它的表現也影響著整個市場的枯榮變換。2018年的存儲器行業(yè)在興奮和失望迷茫的情緒交替中前行，伴隨著技術上的幾許亮色，邁向了2019年。從熱火朝天到凜冬將至　　2017年的存儲器市場可以用火熱來形容，三大存儲器公司(三星、海力士、美光)的財報都非常喜人。
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

CES 2019：英特爾推出5G芯片 躋身無線基站

  • CES 2019展會上，英特爾宣布了因應5G時代的“Snow Ridge”。此外，該公司還同時發(fā)布了10nm工藝的下代桌面和移動處理器Ice Lake、服務器處理器Ice Lake、Foveros 3D立體封裝處理器Lakefield。
  • 關鍵字： CES2019  5G芯片  Snow Ridge  Foveros 3D  

2018年三大手機創(chuàng)新技術：屏下指紋/前后雙屏/3D ToF

  • 2018年，手機廠商在圍繞提升屏占比、充電速度、拍照素質等方面上都有不少突破和嘗試。衍生出滑蓋屏、水滴屏、打孔屏的設計，充電速度最高也提升到了50W、拍照則出現各種“超級夜景”，這些設計與創(chuàng)新為消費者提供了更多的選擇，但這些創(chuàng)新相比上述三種，它們出現并沒有讓消費者對手機的使用體驗有著超預期的提升，實用但并不令人心生向往。
  • 關鍵字： 屏下指紋  3D ToF  

中天弘宇：攻克核心設計缺陷 重建NOR閃存新生

  • 閃存是當今數據存儲的重要介質之一，主流的閃存體系有NAND和NOR兩種。不過隨著半導體工藝不斷發(fā)展，相比于NAND技術的快速演進，NOR技術似乎在幾年前工藝就遲滯不前，因為存在部分設計缺陷而讓NOR閃存無法繼續(xù)跟進先進工藝成為了阻礙NOR閃存大規(guī)模應用的關鍵。不過，因為中國企業(yè)中天弘宇集成電路有限公司的潛心研究，NOR閃存的應用也許將重獲新生。 “我們經過了近十年的研發(fā)積累，完成了對原有NOR閃存架構的大膽創(chuàng)新，也可以說是一個完全的顛覆。我們沿用了整個NOR的架構，但和英特爾最早發(fā)明的NOR完全不是一回事
  • 關鍵字： NOR  NAND  存儲器  

半導體設備廠商競爭格局生變？

  • 　　半導體設備供應商的排名在2016-2017年間沒有發(fā)生太大的變化，但是這種格局正在發(fā)生變化。不僅Lam Research、ASML和東京電子的位次發(fā)生調轉，排名第一的應用材料公司的寶座位置也岌岌可危?！　∽?990年以來，應用材料公司一直是半導體設備領域的市場領導者。在此之前的1989年，坐在鐵王座位置上的還是日本的東京電子，該公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名則是第二。除了位次的變化，也許更重要的是，領頭羊和第二名的差距正在迅速收窄?！　?016年，應用材料公司的市場份額比Lam
  • 關鍵字： ASML  NAND  

突破瓶頸，英特爾重塑數據中心存儲架構

  • 2018年12月11日，以“智數據·創(chuàng)未來”為主題的2018中國存儲與數據峰會在北京拉開帷幕。作為中國數據與存儲行業(yè)頂級的交流平臺，本次峰會匯集了全球近百位來自產業(yè)界、學術界的專家，就數據洪流時代下，企業(yè)如何實施數據戰(zhàn)略、深挖數據價值，變數據資源為實現更廣泛商業(yè)價值的數據資產等話題展開深入探討。
  • 關鍵字： 數據  存儲  傲騰  QLC 3D NAND  

AI芯天下丨DRAM價格將持續(xù)下跌

  • 　　全球DRAM市場上，三星一家獨大，接著是SK Hynix及美光，這三家的DRAM份額占到了全球95%左右，而華亞科被美光全資收購之后，Nanya南亞科技也就變成全球第四大內存芯片廠商了，雖然2.5%的份額跟前面三家公司20%—45%的份額相比是小巫見大巫?！　?　　DRAM連漲之后持續(xù)下跌　　在DRAM內存漲價超過9個季度之后，內存芯片價格終于在10月份大跌了一次，DRAMxChange稱10月份DRAM現貨價格跌了10%，預計2019年還會繼續(xù)跌20%?！　∈艽擞绊懀虻谒拇髢却嫘酒瑥S商南亞科
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

存儲領域競爭加劇，3D NAND蝕刻逐步明朗化

  • 　　3D NAND的出現也是因為2D NAND無法滿足人們的需求。NAND閃存不僅有SLC、MLC和TLC幾種類型之分，為了提高其容量、降低成本，NAND的制造工藝也在不斷進步，厚度開始不斷降低，但NAND閃存和處理器還是有很大不同的。雖然先進的工藝帶來了更大的容量，但是其可靠性和性能卻在下降，因為工藝越先進，NAND的氧化層越薄，其可靠性也就越差，廠商就需要采取額外手段彌補這一問題，這必然會提高成本，以至于在達到某個最高點之后完全抵消掉制造工藝帶來的優(yōu)勢?！　　　?D NAND將思路從提高制造工藝轉
  • 關鍵字： 存儲  NAND  

晉華事件透視：存儲器壟斷暴利之痛如何終結？

  • 壟斷加劇供求失衡，導致價格上漲，壟斷導致的暴利，是目前全球存儲器行業(yè)面臨的最大問題。
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

存儲器原廠Q3業(yè)績搶眼，但漲價優(yōu)勢不再，Q4風光難續(xù)

  • 　　前言：2018年Q3出貨旺季，在存儲器Bit出貨量增加帶動下，存儲器原廠業(yè)績搶眼。然而，存儲器漲價優(yōu)勢不再，Q4財報恐難抵下滑之勢?！　〈鎯ζ髟瓘SQ3財報搶眼，但NAND價格大跌超60%，引原廠產能“緊急制動”　　2018年以來，Flash原廠持續(xù)擴大64層3D TLC NAND供貨，且以256Gb和512Gb供貨為主，再加上美光和英特爾64層1Tb QLC NAND在市場應用，導致市場供過于求。即使在Q3出貨旺季，NAND Flash價格也依然表現跌勢。據中國閃存市場ChinaFlashMarket
  • 關鍵字： 存儲器  NAND  

產業(yè)高點已過，2019年閃存價格恐跌40%

  • 　　CINNOResearch對閃存供應商及其上下游供應鏈調查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價來刺激出貨成長，也因此第三季度閃存平均銷售單價普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關系，第三季成長幅度來到20-25%，整體第三季閃存產值達到172億美元，季成長約為5%，值得注意的是，也是近三年來在第三季度旺季期間表現最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
  • 關鍵字： 閃存  3D-NAND  

兆易創(chuàng)新宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key在閃存產品領域通力合作

  • 　　日前，業(yè)界領先的半導體供應商兆易創(chuàng)新(GigaDevice)宣布與全球知名電子分銷商Digi-Key Electronics合作。兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash及NAND Flash等閃存產品可通過Digi-Key實現全球即時發(fā)貨，并在交貨周期及產品價格上更貼近客戶需求。　　兆易創(chuàng)新的SPI NOR Flash產品容量目前涵蓋512Kb至512Mb，并即將推出1Gb及2Gb的更高容量產品，以及業(yè)界最小尺寸的1.5x1.5mm USON封裝(容量高達8Mb)。 NAND Flash產品包含SPI和
  • 關鍵字： 兆易創(chuàng)新  NAND   
共1712條 20/115 |‹ « 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 » ›|

3d-nand介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d-nand的理解，并與今后在此搜索3d-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網安備11010802012473