3d-ic 文章最新資訊

美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場(chǎng)

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對(duì)移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場(chǎng)，此區(qū)塊市場(chǎng)占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
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3D NAND風(fēng)暴來襲，中國(guó)存儲(chǔ)器廠商如何接招?

中國(guó)正在下大力度推進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，3D NAND被認(rèn)為是一個(gè)有利的突破口。
關(guān)鍵字： 3D NAND 存儲(chǔ)器

老杳:相比IC中國(guó)自主OS何以如此阿斗？

產(chǎn)業(yè)發(fā)展需要扶植巨頭，因?yàn)樗麄儾粌H擁有人才管理、企業(yè)運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn)，也擁有全球領(lǐng)先的管理制度和激勵(lì)制度，自主OS要崛起沒有捷徑可走。
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美光3D NAND將殺到！打破三星獨(dú)霸、大戰(zhàn)一觸即發(fā)

目前3D NAND由三星電子獨(dú)家量產(chǎn)，但是先有東芝殺入敵營(yíng)，如今美光也宣布研發(fā)出3D NAND，而且已經(jīng)送樣，三星一家獨(dú)大的情況將畫下句點(diǎn)，3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!
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面對(duì)大陸攻勢(shì)　三星海力士強(qiáng)化3D NAND投資

　　據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在政府的強(qiáng)力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國(guó)等主要半導(dǎo)體業(yè)者也紛紛強(qiáng)化投資。　　市調(diào)業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復(fù)合成長(zhǎng)率(CARG)47%的速度成長(zhǎng);清華紫光以新成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)進(jìn)行武漢新芯的股權(quán)收購(gòu)，成立長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場(chǎng)版圖變化。　　清華紫光擁有清華大學(xué)的人脈，在社會(huì)上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術(shù)方面
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能與IC整合的超小尺寸光探測(cè)器

　　德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器，占位面積不到100平方微米… 　　玻璃纖維(glass fibers)有可能成為資訊時(shí)代的傳輸高速公路──德國(guó)卡爾斯魯厄理工學(xué)院 (Karlsruhe Institute of Technology，KIT)研究人員成功開發(fā)了一種用以探測(cè)光學(xué)資料路徑的創(chuàng)新光探測(cè)器(photo detector)，是玻璃纖維接收端的核心零組件;此成果為該類元件的尺寸設(shè)立了新標(biāo)準(zhǔn)，研究人員聲稱其占位面積不到100平
關(guān)鍵字： IC 光探測(cè)器

Power Integrations推出可控硅調(diào)光LYTSwitch-7 LED驅(qū)動(dòng)器IC，可將BOM元件數(shù)減少40%

　　高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的業(yè)界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出適合于單級(jí)非隔離降壓式可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的LYTSwitch™-7 IC產(chǎn)品系列。這些器件采用超薄SO-8封裝，在無需散熱片的情況下可提供22 W輸出功率，并且效率極高，適合于燈泡、燈管及其它照明裝置的應(yīng)用。在LYTSwitch-7的設(shè)計(jì)中只需采用一個(gè)簡(jiǎn)單的無源衰減電路而無需泄放電路即可滿足可控硅調(diào)光器的要求。另外，設(shè)計(jì)中的電感可采用現(xiàn)成的只有單一繞組的市售標(biāo)準(zhǔn)電感。LYTSwitch-7的
關(guān)鍵字： Power Integrations LYTSwitch-7 IC

東芝沖NAND Flash產(chǎn)量 2018年3D NAND占其九成

　　東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(
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Cell on Peri構(gòu)造有利IDM提升3D NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　Cell on Peripheral Circuit(以下簡(jiǎn)稱Cell on Peri)構(gòu)造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營(yíng)開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構(gòu)造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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Digitimes：2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值受政策支持將成長(zhǎng)15%

　　受惠于大陸經(jīng)濟(jì)持續(xù)成長(zhǎng)，加上以中低階智能手機(jī)為主的行動(dòng)裝置出貨量亦在此期間大幅成長(zhǎng)，大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從2010年210.3億美元逐年成長(zhǎng)至2015年579.7億美元，2010~2015年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)19.1%。DIGITIME Research預(yù)估，雖然智能手機(jī)出貨量成長(zhǎng)趨緩，加上全球經(jīng)濟(jì)前景不確定性仍高，但在大陸IC內(nèi)需市場(chǎng)仍能穩(wěn)定成長(zhǎng)，加上半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)政策支持推動(dòng)下，2016年大陸IC產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值將達(dá)666.4億美元，年成長(zhǎng)15%。　　十二五規(guī)劃期間，拜全球智能手機(jī)，尤其是中低階智能手機(jī)出貨大幅成長(zhǎng)
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2016年下半3D NAND供應(yīng)商上看4家三星仍將具產(chǎn)能技術(shù)優(yōu)勢(shì)

　　DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應(yīng)3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲(chǔ)器業(yè)者陸續(xù)量產(chǎn)3D NAND Flash，三星獨(dú)家供應(yīng)3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產(chǎn)3D NAND Flash及朝64層堆疊架構(gòu)邁進(jìn)，短期內(nèi)仍將掌握產(chǎn)能與技術(shù)優(yōu)勢(shì)。　　三星已自2013年下半起陸續(xù)量產(chǎn)24層、32層
關(guān)鍵字：三星 3D NAND

3D保護(hù)玻璃市場(chǎng)產(chǎn)值將于18年超越2D保護(hù)玻璃

　　觸摸屏的保護(hù)玻璃，又稱之為保護(hù)蓋，用來保護(hù)顯示屏和觸控面板。為了適應(yīng)智能機(jī)的不同設(shè)計(jì)需求，保護(hù)玻璃有不同的形狀。保護(hù)玻璃通常位于顯示器和觸控面板的頂部，再根據(jù)保護(hù)玻璃的形狀分為2D，2.5D和3D等。隨著智能手機(jī)廠商越來越在外形和時(shí)尚設(shè)計(jì)方面競(jìng)爭(zhēng)，舒適的手感和靈敏的觸控反應(yīng)越來越重要，這也鼓勵(lì)著觸控面板廠商開發(fā)形狀更好的保護(hù)玻璃。　　2016年用于手機(jī)的3D保護(hù)玻璃出貨量預(yù)計(jì)將增至4,900萬片，占手機(jī)用保護(hù)玻璃市場(chǎng)總量的3.1%。IHS預(yù)測(cè)2017年其出貨量將飛漲103.9%達(dá)1億片的規(guī)模，
關(guān)鍵字： 3D 2D保護(hù)玻璃

全球IC產(chǎn)業(yè)“整并瘋”引燃的勞資糾紛不斷

　　同一家IC業(yè)者的前后兩場(chǎng)收購(gòu)案引發(fā)不少勞資糾紛，在德國(guó)、美國(guó)與中國(guó)都有尚未平息的爭(zhēng)議… 　　Microchip的管理高層已經(jīng)平息了大多數(shù)因?yàn)槭召?gòu)Atmel以及Micrel而產(chǎn)生的異議，不過在三塊大陸上仍有零星的不滿聲音。　　有一個(gè)駐在德國(guó)德勒斯登(Dresden)的前Atmel設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)要求Microchip支付遣散費(fèi)，聲稱該公司是做出錯(cuò)誤的裁員決定;另外在美國(guó)有一小群前Atmel員工也要求拿到他們認(rèn)為是前東家承諾支付的遣散費(fèi);還有在中國(guó)上海，有前Micrel員工抗議裁員。　　M
關(guān)鍵字： IC Microchip

3D NAND成半導(dǎo)體業(yè)不景氣救世主

　　韓媒NEWSIS報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)半導(dǎo)體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對(duì)策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進(jìn)入量產(chǎn)的技術(shù)，在這之前業(yè)界采用的是水平結(jié)構(gòu)，3D垂直堆疊技術(shù)成為克服制程瓶頸的解決方案。　　3D NAND比20納米級(jí)產(chǎn)品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲(chǔ)器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小?；谏鲜鰞?yōu)點(diǎn)，對(duì)于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺(tái)的相關(guān)服務(wù)，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
關(guān)鍵字： 3D NAND 半導(dǎo)體

WSTS：2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將萎縮2.4%

　　根據(jù)WSTS的資料指出，2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑2.4%。　　根據(jù)歐洲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(ESIA)引用世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)的資料指出，2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將下滑2.4%達(dá)到3,270億美元，而在隨后的幾年可望看到整體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)趨于適度成長(zhǎng)。　　WSTS一改先前對(duì)于2016年的成長(zhǎng)預(yù)測(cè)，同時(shí)也延緩對(duì)于成長(zhǎng)前景的預(yù)期。根據(jù)該市調(diào)公司的最新估計(jì)，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)可望在2017年和2018年之間看到成長(zhǎng)，成長(zhǎng)力道主要來自亞太地區(qū)，以及光電、感測(cè)器與類比IC市場(chǎng)的成長(zhǎng)。　　 &
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IC

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3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱之為中段，可由晶圓廠或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]