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3d nand 文章 最新資訊

分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商

  • 　　市場研究公司IC Insights日前預計，三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 　　基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃，三星的芯片營收將很快超過英特爾，成為第一大芯片廠商。IC Insights認為，在5到10年前，三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚，但從1999年到2009年，三星IC營收以13.5%年復合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長，而英特爾同期的年復合增長率僅為3.4%?；诖嗽鲩L速率，IC Insights預計，三星的芯片銷售額
  • 關鍵字： 三星芯片  DRAM  NAND  

中國3D市場三分天下 中日韓企業(yè)競爭激烈

  • 　　目前，中外企業(yè)瞄準中國的3D電視市場而競爭激烈。外資企業(yè)在彩電戰(zhàn)略上，首先通過普及LED電視，完成對傳統(tǒng)平板電視的更新，然后通過基于LED的3D電視，實現(xiàn)有別于傳統(tǒng)2D的顯示方式，重新描繪全球彩電業(yè)版圖。 　　3D電視的推出，徹底顛覆了傳統(tǒng)的平面終端顯示方式，成為提高產(chǎn)業(yè)附加值的有效途徑。3D電視不僅是一個接收終端，更是覆蓋了3D內(nèi)容制作、傳輸、存儲，以及外接設備的全方位產(chǎn)業(yè)鏈，3D電視的普及意味著當前彩電產(chǎn)業(yè)鏈需要整體進行切換。盡管3D電視短期內(nèi)很難成為主流，但未來幾年，全球3D電視市場將呈現(xiàn)高速
  • 關鍵字： 3D  LED  

全球3D兼容電視普及率明年高達5成

  • 　　錸德科技經(jīng)理吳孟翰于8/24出席由經(jīng)濟部工業(yè)局主辦、財團法人信息工業(yè)策進會承辦、光電科技工業(yè)協(xié)進會PIDA執(zhí)行的半導體學院計劃關于3D技術演講時指出，3D影像可能會為顯示器產(chǎn)業(yè)帶來第2次影像視覺革命，目前已有許多品牌大廠相繼推出搭載3D BD藍光技術的液晶電視、可制作或呈現(xiàn)3D效果畫面的攜帶型消費性電子產(chǎn)品。市場預期，2011年全球搭載3D兼容電視的出貨量將達1.2億臺，占整體電視市場普及率將達50%，2013年普及率更將上看98%。 　　所謂3D兼容的電視，系指電視本身具備3D畫面顯示技術條件，包
  • 關鍵字： 液晶電視  3D  

Intel鎂光生產(chǎn)出25nm 64Gb密度3位元NAND閃存芯片

  • 　　Intel與鎂光公司已經(jīng)成功生產(chǎn)出基于25nm制程技術的3位元型NAND閃存芯片產(chǎn)品，目前他們已經(jīng)將有關的產(chǎn)品樣品送往部分客戶手中進行評估，預計這款NAND閃存芯片將于今年年底前開始量產(chǎn)。這款25nm NAND閃存芯片的存儲密度為64Gb，為三位元型閃存。 　　這款閃存芯片是由Intel與鎂光合資的IM Flash公司研制，芯片采用了3位元(TLC)型設計，一個存儲單元可存儲3位數(shù)據(jù)，比一般的單位元(SLC)/雙位元(MLC)閃存的存儲量更大。 　　這款產(chǎn)品的面積要比現(xiàn)有Intel與鎂光公司推
  • 關鍵字： Intel  25nm  NAND  

英特爾和Micron稱下一代25納米NAND取得突破

  • 　　據(jù)國外媒體報道，英特爾和Micron已經(jīng)開始發(fā)布下一代25納米NAND存儲芯片，為達到最高效率，該芯片使用了三層存儲單元技術。 　　首款8GB和64GB芯片正在向選定的客戶發(fā)售，用于SD卡存儲設備。該芯片在每個存儲單元中保存三位信息，而非像傳統(tǒng)芯片那樣保存一到兩位信息，英特爾宣稱，這種芯片是目前市場上最有效率的。 　　英特爾副總裁及NAND開發(fā)組主管Tom Rampone聲稱25納米已經(jīng)是業(yè)界最小的尺寸，在開發(fā)完成25納米程度的三層存儲單元之后，公司還將繼續(xù)為用戶探索和發(fā)展更高級的產(chǎn)品。公司計劃利
  • 關鍵字： 英特爾  NAND  存儲芯片  

iSuppli:閃存價格可能會跌到1美元/GB

  • 　　iSuppli今天警告稱閃存價格可能崩潰性地調(diào)整到1美元/GB，這是因為用于閃存產(chǎn)品的NAND記憶體價格今年開始沖高回落，并且技術的演變讓內(nèi)存單元的價位開始雪崩。 　　由于下降的價格，目前看上去過于昂貴的SSD將在兩年時間內(nèi)開始成為主流，而成本低得多的硬盤處理器則開始在高端市場被SSD擠占。 　　此外，快閃記憶體價格的總體下降對于各種手持設備是一個極大的利好消息，各種手機、智能本廠商將會帶來更加豐厚的利潤空間，乃至最后降低產(chǎn)品售價。
  • 關鍵字： NAND  SSD  

英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片

  • 　　英特爾和美光當?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 　　新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 　　兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 　　兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
  • 關鍵字： 英特爾  NAND  閃存芯片  

引領3D新紀元 夏普四色技術3D新品發(fā)布

  • 2010年8月18日，北京。全球領先的液晶電視制造商夏普(SHARP)正式宣布在中國市場推出搭載多項創(chuàng)新技術的AQUOS...
  • 關鍵字： 夏普四色技術  3D  液晶電視  

NAND Flash市況兩極　靜待8月底補貨潮

  • 　　2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。 　　近期大陸因為亞運因素，
  • 關鍵字： Apple  NAND  Flash  

3D立體成像技術分析

  • 3D立體成像技術其實并不是一個新鮮事物。如果從時間上看,3D立體成像技術早在上個世紀中葉就已經(jīng)出現(xiàn)，比起現(xiàn)在主流的的液晶、等離子這些平板顯示技術，歷史更加悠久。 　　那么現(xiàn)在的3D電視，到底使用了哪些方式來實
  • 關鍵字： 分析  技術  成像  立體  3D  

海力士開始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

  • 　　韓國海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。 　　該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。 　　海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
  • 關鍵字： 海力士  20納米  NAND  

第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 　　三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 　　從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
  • 關鍵字： DRAM  NAND  

Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存

  • 　　南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? 　　Hynix Cheong-ju M11工廠 　　Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
  • 關鍵字： Hynix  NAND  20nm  

U-Boot從NAND Flash啟動的實現(xiàn)

  • 摘要：U-Boot不能從NAND Flash啟動給應用帶來些不便，因此修改U-Boot使其支持從NAND Flash啟動。分析了U-Boot啟動流程的兩個階段及實現(xiàn)從NAND Flash啟動的原理和思路，并根據(jù)NAND Flash的物理結構和存儲特點，增加U-
  • 關鍵字： 實現(xiàn)  啟動  Flash  NAND  U-Boot  

3D IC趨勢已成　SEMICON Taiwan推出封測專區(qū)

  • 　　由國際半導體設備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)主辦的臺灣國際半導體展(SEMICON Taiwan 2010)，即將于9月8~10日登場，3D IC再度成為年度關注話題。SEMI將針對3D IC等先進封測技術推出3D IC及先進封測專區(qū)，并將于3D IC前瞻科技論壇中由日月光、矽品、聯(lián)電、諾基亞(Nokia)、高通(Qualcomm)、應用材料(Applied Materials)、惠瑞捷(Verigy)等業(yè)界代表，以及Yole Developpment、IME、SEMATECH、工研院等研究分析機構，共同
  • 關鍵字： Qualcomm  3D  封測  
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3d nand介紹

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