EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
3d nand
3d nand 文章 進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)
Gartner:蓬勃的DRAM市場(chǎng)為內(nèi)存制造商帶來增長(zhǎng)

- Gartner發(fā)布初步統(tǒng)計(jì)結(jié)果,2014年全球半導(dǎo)體總營(yíng)收為3398億美元,與2013年的3150億美元相比增長(zhǎng)7.9%。前25大半導(dǎo)體廠商合并營(yíng)收增長(zhǎng)率為11.7%,優(yōu)于該產(chǎn)業(yè)整體表現(xiàn)。前25大廠商占整體市場(chǎng)營(yíng)收的72.1%,比2013年的69.7%更高。 Gartner研究副總裁Andrew Norwood表示:“就群體來看,DRAM廠商的表現(xiàn)勝過半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)其他廠商。這股趨勢(shì)始于2013年DRAM市場(chǎng)因供給減少及價(jià)格回穩(wěn)雙重因素而蓬勃發(fā)展并持續(xù)至今,2014年?duì)I收也因而增長(zhǎng)31.
- 關(guān)鍵字: Gartner DRAM NAND
PCB LAYOUT(4):3D PCB

- 關(guān)于altium的3d模型,雖說沒有什么大用,但也有點(diǎn)小用,先上兩副3D PCB圖,看起來挺直觀的吧。 看起來還是比較直觀的,還可以生成.step文件,給我們的結(jié)構(gòu)工程師,這樣很容易看出是否與結(jié)構(gòu)干涉。那做這個(gè)3D模型難不難呢?其實(shí)非常簡(jiǎn)單。 只要在自己原有的PCB庫(kù)中,添加一下3D模型就可以了,這樣原來PCB板上就會(huì)帶有3D模型,在2D視圖狀態(tài)下,按一下快捷鍵“3”就會(huì)切換到3D視圖狀態(tài)。 關(guān)于如何添加3D封裝,百度上
- 關(guān)鍵字: PCB LAYOUT 3D PCB
三星2015年內(nèi)量產(chǎn)48層V NAND 已著手研發(fā)64層產(chǎn)品
- 三星電子(Samsung Electronics) 為與其他尚無法生產(chǎn)V NAND的競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者將技術(shù)差距拉大到2年以上,并在次世代存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)上維持獨(dú)大地位,計(jì)劃在2015年內(nèi)量產(chǎn)堆疊48層Cell的3D垂直結(jié)構(gòu)NAND Flash。 據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo),三星近來已完成48層結(jié)構(gòu)的V NAND研發(fā),并著手研發(fā)后續(xù)產(chǎn)品64層結(jié)構(gòu)V NAND。48層V NAND將于2015年內(nèi)開始量產(chǎn)。原本韓國(guó)業(yè)界推測(cè)三星會(huì)在2015年下半完成48層V NAND,并在2016年才投入量產(chǎn),然三星大幅提前了生產(chǎn)日程。
- 關(guān)鍵字: 三星 NAND Intel
高交會(huì)上東芝引領(lǐng)閃存技術(shù)走向

- 全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明,東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼,位出貨量季成長(zhǎng)25%以上,營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%。 東芝電子(中國(guó))有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露,2014年?yáng)|芝在中國(guó)的閃存生意非常好,在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產(chǎn)品,并且東芝的技術(shù)動(dòng)向,也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND 閃存 3D 201501
第七屆全國(guó)3D大賽暨3D大會(huì) 開啟3D全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)⒀?/a>

- 2014年12月8日,第七屆3D大賽暨3D大會(huì)在龍城常州圓滿落幕。來自全球3D及相關(guān)行業(yè)上中下游的數(shù)百名產(chǎn)學(xué)研精英、1000多家知名企業(yè)代表,全國(guó)800多所本科、職業(yè)類院校師生代表,100多家權(quán)威媒體人士,以及來自國(guó)內(nèi)外的30000多觀眾,用四天時(shí)間共同打造了一場(chǎng)3D全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)⒀?。 第七屆全?guó)3D大賽暨3D大會(huì)不僅是3D大賽總決賽,也是以“眾創(chuàng)、眾包、眾需?——?創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)、兩化融合、3D引領(lǐng)、應(yīng)用先行”為主題的3D上下游全產(chǎn)業(yè)鏈?zhǔn)?huì),大會(huì)以“關(guān)注3D!關(guān)注人才!關(guān)注應(yīng)用!關(guān)注創(chuàng)新
- 關(guān)鍵字: 3D 全產(chǎn)業(yè)鏈 201501
Spansion面向嵌入式市場(chǎng)推出新型工業(yè)級(jí)e.MMC NAND閃存產(chǎn)品

- 不久前,Spansion宣布面向嵌入式系統(tǒng)的全新工業(yè)級(jí)e.MMC產(chǎn)品系列。眾所周知,Spansion于2012年推出了立足嵌入式應(yīng)用的SLC NAND產(chǎn)品。至此,我們?yōu)镾LC NAND解決方案發(fā)展了一個(gè)強(qiáng)大的客戶群,而且我們還發(fā)現(xiàn),這些客戶對(duì)嵌入式集中規(guī)模存儲(chǔ)解決方案的需求也越來越大。對(duì)于那些不僅僅是要購(gòu)買一款“現(xiàn)成”產(chǎn)品的嵌入式客戶而言,Spansion全新的e.MMC系列產(chǎn)品是一個(gè)完美的選擇。 作為Spansion第一款管理型NAND產(chǎn)品系
- 關(guān)鍵字: Spansion NAND
海力士前高層加入慧榮 SSD大戰(zhàn)鳴槍
- 固態(tài)硬碟(SSD)戰(zhàn)火正熱,持續(xù)成為2015年產(chǎn)業(yè)焦點(diǎn),NAND Flash控制芯片業(yè)者為了布局上游半導(dǎo)體大廠,使出渾身解數(shù)綁樁,傳出慧榮將延攬前SK海力士(SK Hynix)的Solution Development Division資深副總Gi Hyun Bae擔(dān)任公司高層。 慧榮一向和SK海力士合作緊密,雙方合作內(nèi)嵌式存儲(chǔ)器eMMC業(yè)務(wù)外,有機(jī)會(huì)延伸至SSD產(chǎn)品線上,2015年更是關(guān)鍵年,慧榮內(nèi)部極度重視SSD產(chǎn)品線,立下通吃NAND Flash大廠和存儲(chǔ)器模組兩大族群的目標(biāo),看好公司營(yíng)運(yùn)
- 關(guān)鍵字: SSD NAND Flash SK海力士
NAND閃存將被RRAM顛覆?存儲(chǔ)器市場(chǎng)暗潮涌動(dòng)
- NAND閃存已經(jīng)成為固態(tài)存儲(chǔ)的霸主,不過它也存在諸多問題,尤其是壽命隨著工藝的先進(jìn)化而不斷縮短,TLC格式也引發(fā)了諸多質(zhì)疑,因此研發(fā)一種可取而代之的新式非易失性存儲(chǔ)技術(shù)勢(shì)在必行。 從FRAM到相變式存儲(chǔ)器,新選手不斷涌現(xiàn),但目前還未能挑戰(zhàn)NAND的地位。直到最近,名為電阻式RAM的新貴出現(xiàn)了,它最被看好,三星、閃迪等巨頭都在投入,不過,走在最前列的是一家美國(guó)創(chuàng)業(yè)公司Crossbar。 RRAM相較于NAND最大的優(yōu)勢(shì)就是更好的性能、壽命。NAND的讀取延遲一般在幾百微妙級(jí)別,Crossba
- 關(guān)鍵字: NAND 三星 閃迪
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利,儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。 DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面,各DRAM廠去年不僅全面獲利,并且是豐收的一年。 臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元,將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈,且難以預(yù)料;去年下半
- 關(guān)鍵字: DRAM 三星 海力士 NAND Flash
東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠,會(huì)是中國(guó)嗎
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示,公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠,并且在選擇建廠地址時(shí)會(huì)考慮海外地區(qū)。 東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠,田中久雄在接受采訪時(shí)稱,需求超過了產(chǎn)能,公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱:“三星已經(jīng)在中國(guó)西安市建廠,海力士也在中國(guó)建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國(guó)是否會(huì)是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí),他補(bǔ)充說
- 關(guān)鍵字: 東芝 NAND
基于iBeacon定位技術(shù)的智慧圖書館

- 摘要:本項(xiàng)目遵循物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)架構(gòu),設(shè)計(jì)了智慧圖書館整體解決方案。它以iBeacon室內(nèi)定位、3D實(shí)境、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)、SaaS等技術(shù)為基礎(chǔ),實(shí)現(xiàn)了圖書館場(chǎng)景下的智能定位與導(dǎo)航服務(wù)、圖書館增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)位置服務(wù)、3D運(yùn)行監(jiān)管、角色個(gè)性化服務(wù)等功能。針對(duì)讀者,可以獲得圖書智能檢索、館內(nèi)定位與導(dǎo)航、消息推送、向工作人員求助等服務(wù);針對(duì)工作人員,使用Unity3D構(gòu)建圖書館場(chǎng)景,實(shí)時(shí)獲取圖書館內(nèi)讀者與館區(qū)信息,實(shí)現(xiàn)圖書館全境動(dòng)態(tài)監(jiān)管。 引言 近年來,隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)以及相關(guān)技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用普及,圖書館服務(wù)
- 關(guān)鍵字: iBeacon 物聯(lián)網(wǎng) 傳感網(wǎng) 3D 藍(lán)牙 RSSI 201501
慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級(jí)單封裝SSD解決方案
- 在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級(jí)PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝,F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
- 關(guān)鍵字: 慧榮科技 NAND BGA
NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展,閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升,但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu),閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意,并且隨著工藝水平的提升,其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平,存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。 日前,鎂光在IEEE IEDM 2014(國(guó)際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
- 關(guān)鍵字: NAND MLC TLC
研調(diào):12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示,美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后,不再采取積極價(jià)格戰(zhàn),使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面,因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢(shì)將持續(xù),再加上手中庫(kù)存仍充足下,大多傾向12月月底再進(jìn)行采購(gòu)談判,以爭(zhēng)取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此,12月上旬因交易氣氛冷清,NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示,在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后,受到季節(jié)性因素影響,預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
- 關(guān)鍵字: NAND Flash eMMC
3d nand介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d nand的理解,并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
