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FSI國際宣布將ViPR全濕法去除技術(shù)擴展到NAND存儲器制造
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造晶圓加工、清洗和表面處理設(shè)備供應(yīng)商FSI國際有限公司(納斯達克:FSII)日前宣布:一家主要的存儲器制造商將FSI 帶有獨特ViPR全濕法無灰化清洗技術(shù)的ZETA清洗系統(tǒng)擴展到NAND閃存生產(chǎn)中。許多器件制造商對采用FSI的ZETA ViPR技術(shù)在自對準多晶硅化物形成過程所帶來的益處非常了解。該IC制造商就這一機臺在先進的NAND制造中可免除灰化引發(fā)損害的全濕法光刻膠去除能力進行了評估??蛻魧χ圃爝^程中無灰化光刻膠剝離法、實現(xiàn)用一步工藝替代灰化-清洗兩步工藝的機臺能力給予肯定。除了
- 關(guān)鍵字: FSI 半導(dǎo)體 NAND
解密16G MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細節(jié)
- 2006年初,美光科技公司與英特爾公司的合作企業(yè)IMFlashTechnologies公司(IMFT)在市場上閃亮登場。通過整合I...
- 關(guān)鍵字: NAND 閃存 技術(shù)細節(jié) 位密度 多晶硅
受益東芝海力士減產(chǎn) NAND閃存價格回穩(wěn)
- 12月25日消息,據(jù)臺灣媒體報道,NAND Flash12月下旬合約價出爐,終止先前下跌趨勢,至少都以平盤以上開出,主流規(guī)格晶片漲幅更在16%以上,隨價格回穩(wěn)走揚,將有助創(chuàng)見、威剛、群聯(lián)等模組業(yè)者降低庫存跌價損失壓力。 業(yè)者指出,這次NAND Flash價格止跌回穩(wěn),主要是反應(yīng)日本東芝與韓國海力士減產(chǎn)效益,隨晶片廠對力保價格不跌有了堅定共識,也意味NAND Flash回穩(wěn)態(tài)勢已逐步確立。 根據(jù)集邦科技昨日最新報價,NAND Flash12月下旬合約價都以平盤以上開出,其中以16Gb主流規(guī)格
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東芝削減NAND閃存芯片30%產(chǎn)量
- 東芝宣布,削減30%的閃存芯片產(chǎn)量,以應(yīng)對需求降低,庫存增加的考驗。 東芝還說,位于日本四日市的四家工廠本月將停工17天,以降低內(nèi)存卡與MP3播放器的產(chǎn)量。 東芝在一份聲明中說:“全球經(jīng)濟不景氣以及消費低迷正在對半導(dǎo)體需求產(chǎn)生嚴重沖擊。尤其是NAND閃存芯片,由于使用這種芯片的MP3播放器供應(yīng)過剩,其需求大幅下降。東芝慎重考慮了這種情形,決 定降低四日市工廠的產(chǎn)量。” 東芝在四日市有兩家300毫米晶圓工廠以及兩家200毫米晶圓工廠。300毫米晶圓廠將停工
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半導(dǎo)體巨頭推動工藝研發(fā) 三個陣營角力
- 國務(wù)院發(fā)展研究中心國際技術(shù)經(jīng)濟所研究員吳康迪 遵循“摩爾定律”的指引,全球半導(dǎo)體巨頭正邁向32納米工藝;不過,其研發(fā)策略卻各不相同。 全球32納米芯片微細技術(shù)開發(fā)主要有3個陣營,參加單位數(shù)目最多的是IBM陣營,其次是英特爾公司,第三是日本公司,此外還有中國臺灣地區(qū)的臺積電、歐洲比利時微電子中心IMEC等。 英特爾技術(shù)業(yè)界領(lǐng)先 2007年9月,英特爾公司領(lǐng)先業(yè)界在“開發(fā)者論壇”首次展出了32納米工藝的測試
- 關(guān)鍵字: 32納米 英特爾 NAND
3d nand介紹
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