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22nm 文章 最新資訊

英特爾稱第二季度22nm將占總出貨量的25%

  •   據(jù)英特爾的首席財(cái)政官 Stacy Smith 在一次新聞發(fā)布會(huì)上討論公司的第一季度財(cái)務(wù)情況時(shí)稱,英特爾的22nm制造工藝技術(shù)的FinFET晶體管將占英特爾半導(dǎo)體第二季度出貨量的25%。   自從英特爾研發(fā)了用于臺(tái)式機(jī)和筆記本的 Ivy Bridge 處理器,英特爾就顯現(xiàn)了沖擊大容量的勢(shì)頭,盡管英特爾還未正式推出Ivy Bridge 處理器。Ivy Bridge 處理器相比較之前的 Sandy Bridge 處理器,尺寸從32nm減小到22nm。   這也表明了英特爾的一貫做法----等到它的一線客
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Netronome成為英特爾第三家代工客戶

  •   日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶,此前Achronix及Tabula先后宣布會(huì)采用Intel的22nmFINFET制程。   同以上兩家FPGA客戶不同,Netronome是一家網(wǎng)絡(luò)處理器公司,而且與Intel有著千絲萬(wàn)縷的關(guān)聯(lián)。2007年11月,Intel將IXP2800網(wǎng)絡(luò)處理器產(chǎn)品線的開(kāi)發(fā)授權(quán)給了Netronome,根據(jù)相關(guān)協(xié)議,由Netronome繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于IXP2800架構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)處理器NFP3200。   根據(jù)協(xié)議,Netronome也可以使用英特爾的EDA設(shè)計(jì)工具。
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英特爾宣布為Netronome代工22nm產(chǎn)品

  •   日前英特爾宣布Netronome為其第三家代工客戶,此前Achronix及Tabula先后宣布會(huì)采用Intel的22nm FINFET制程。   同以上兩家FPGA客戶不同,Netronome是一家網(wǎng)絡(luò)處理器公司,而且與Intel有著千絲萬(wàn)縷的關(guān)聯(lián)。2007年11月,Intel將IXP2800網(wǎng)絡(luò)處理器產(chǎn)品線的開(kāi)發(fā)授權(quán)給了Netronome,根據(jù)相關(guān)協(xié)議,由Netronome繼續(xù)開(kāi)發(fā)基于IXP2800架構(gòu)的網(wǎng)絡(luò)處理器NFP3200。   根據(jù)協(xié)議,Netronome也可以使用英特爾的EDA設(shè)計(jì)工具
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臺(tái)積電計(jì)劃2012年Q3開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

  •   據(jù)臺(tái)積電公司負(fù)責(zé)開(kāi)發(fā)的高級(jí)副總裁蔣尚義透露,他們計(jì)劃于2012年第三季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品,并將于2013年第一季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開(kāi)的一次半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇會(huì)議上透露這些信息的。   會(huì)上蔣尚義還透露了臺(tái)積電28nm制程推進(jìn)計(jì)劃的細(xì)節(jié),據(jù)他表示,臺(tái)積電將于今年6月底前開(kāi)始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品,基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺(tái)積電計(jì)劃啟動(dòng)首款基于HKMG
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Intel暫緩Fab 24升級(jí)22nm計(jì)劃

  •   面對(duì)日益低迷的需求,Intel正考慮暫停位于愛(ài)爾蘭的Fab 24工廠向22nm工藝升級(jí)的計(jì)劃。之前Intel已經(jīng)將下一代Ivy Bridge平臺(tái)的發(fā)布時(shí)間推遲了一個(gè)季度,以節(jié)省成本。消息來(lái)源確信Intel暫停Fab 24升級(jí)的計(jì)劃將在短時(shí)間內(nèi)對(duì)PC廠商以及半導(dǎo)體制造業(yè)中Intel的合作伙伴造成一定程度的沖擊。
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英特爾發(fā)布22nm技術(shù)

  •   英特爾于5月4日宣布將在22nm節(jié)點(diǎn)采用“Tri-Gate”(三柵)晶體管技術(shù),實(shí)現(xiàn)了歷史性的技術(shù)突破。   據(jù)英特爾介紹說(shuō),3-D Tri-Gate晶體管能夠支持技術(shù)發(fā)展速度,它能讓摩爾定律延續(xù)數(shù)年。該技術(shù)能促進(jìn)處理器性能大幅提升,并且可以更節(jié)能,新技術(shù)將用在未來(lái)22納米設(shè)備中,包括小的手機(jī)到大的云計(jì)算服務(wù)器都可以使用。   
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Globalfoundries與IMEC簽署亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS合作計(jì)劃

  •   擁有阿拉伯財(cái)閥背景的Globalfoundries公司最近與歐洲半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu),比利時(shí)的IMEC簽署了一項(xiàng)關(guān)于在亞22nm節(jié)點(diǎn)制程CMOS技術(shù)和 硅上氮化鎵(GaN-on-Si:可用于制造固態(tài)照明器件,功率器件和射頻電路器件等)技術(shù)結(jié)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作伙伴的合作協(xié)議。   
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GlobalFoundries和imec共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)

  •   全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工廠商之一GlobalFoundries與納電子研發(fā)中心imec簽署了一項(xiàng)長(zhǎng)期的戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同研發(fā)22nm節(jié)點(diǎn)以下CMOS技術(shù)以及GaN-on-Si技術(shù)。
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Finfet+平面型架構(gòu)混合體:傳Intel近期將公布22nm節(jié)點(diǎn)制程工藝細(xì)節(jié)

  •   據(jù)消息來(lái)源透露,Intel公司近期可能會(huì)公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細(xì)節(jié),據(jù)稱Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結(jié)構(gòu),而邏輯電路部分則仍采用傳統(tǒng)的平面型晶體管結(jié)構(gòu)。消息來(lái)源還稱Intel“很快就會(huì)”對(duì)外公開(kāi)展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過(guò)記者詢問(wèn)Intel發(fā)言人后得到的答復(fù)則是:"我們不會(huì)對(duì)流言或猜測(cè)進(jìn)行評(píng)論。"   盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開(kāi)過(guò)其22nm制程SRA
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英特爾下力氣投資22nm制程

  •   SandyBridge帶來(lái)了第二代32nm,對(duì)Intel來(lái)說(shuō)下一站自然就是22nm了,而且無(wú)論投資規(guī)模、工廠數(shù)量都將超越以往。   Intel首席財(cái)務(wù)官StacySmith近日表示:“為了支撐核心業(yè)務(wù)的強(qiáng)勢(shì)增長(zhǎng),以及圖形晶體管轉(zhuǎn)向新工藝,我們預(yù)計(jì)建設(shè)、裝備22nm工藝工廠的資本支出將增加到90億美元?!?/li>
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22nm節(jié)點(diǎn)制程帶來(lái)的思索

  •   從某些方面上看,22nm節(jié)點(diǎn)制程也許并不算是什么技術(shù)上的突破,相反,在人們的眼中這可能是一種吃力而不討好的活兒。從高端角度上看,向22nm節(jié)點(diǎn)制 程轉(zhuǎn)換并不需要對(duì)制程技術(shù)進(jìn)行什么翻天復(fù)地的大變革,而且實(shí)現(xiàn)這種制程技術(shù)的技術(shù)壁壘也不算很高(當(dāng)然工程師還是需要解決一些技術(shù)問(wèn)題),同時(shí)對(duì) Intel,臺(tái)積電,三星等業(yè)界巨頭而言,也完全有資源有能力解決這些問(wèn)題,但對(duì)其它實(shí)力稍差的競(jìng)爭(zhēng)者而言,也會(huì)有自己的技術(shù)和市場(chǎng)措施來(lái)抵擋這些巨頭的 22nm制程攻勢(shì)。  
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英特爾確認(rèn)備戰(zhàn)450mm晶圓生產(chǎn)

  •   讓整個(gè)產(chǎn)業(yè)猜測(cè)了一次又一次之后,Intel今天終于官方確認(rèn),他們的新工廠已經(jīng)在為下一代450mm晶圓做著準(zhǔn)備。   450mm(18英寸)指的都是硅晶圓的直徑,就像現(xiàn)在最普遍使用的300mm(12英寸),以及早被淘汰的200mm(8英寸)、150mm(6英寸)。晶圓尺寸越大,生產(chǎn)芯片的效率也就更高,直接結(jié)果就是單位成本更低、利潤(rùn)空間更大,但是晶圓尺寸所需要的研發(fā)和制造成本也是天文數(shù)字級(jí)別的,往往需要整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的攜手合作,而晶圓尺寸每一次擴(kuò)大也都需要長(zhǎng)達(dá)11年左右的周期。   
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英特爾開(kāi)放22nm工藝意在提高產(chǎn)品銷量

  •   英特爾做了一件前所未有的事——與Achronix半導(dǎo)體公司達(dá)成協(xié)議,將以22nm制造工藝為其代工FPGA(可編程門(mén)陣列)芯片。   說(shuō)前所未有,并不是英特爾初次為他人代工,也不是因?yàn)榇?duì)象是一家規(guī)模尚小的新公司。以往英特爾曾開(kāi)放過(guò)部分產(chǎn)能,但一定會(huì)落后于自己當(dāng)時(shí)主流的制造工藝。而這一回,英特爾要拿出來(lái)的可是業(yè)界最先進(jìn)的制造工藝。   半導(dǎo)體行業(yè)分工明確:很多廠商專攻芯片設(shè)計(jì),之后把制造委托給規(guī)模效應(yīng)顯著的代工大廠(如臺(tái)積電),只有英特爾等少數(shù)半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)行自行設(shè)計(jì)和制造的
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Sokudo早餐會(huì)上論光刻技術(shù)趨勢(shì)

  •   在SEMICON West舉行的Sokudo光刻論壇上對(duì)于實(shí)現(xiàn)22nm的各類光刻技術(shù)的進(jìn)展、挑戰(zhàn)與未來(lái)市場(chǎng)前景進(jìn)行了熱烈的討論。   作為193nm光刻技術(shù)的接替者,ASML仍是全球EUV(遠(yuǎn)紫外光光刻機(jī)) 技術(shù)的領(lǐng)先供應(yīng)商。該公司的首臺(tái)NXE3100機(jī)器將如期發(fā)貨,目前正在作最后的組裝及測(cè)試。盡管如此,由于EUV技術(shù)中目前能提供的光源功率及掩模缺陷仍是此類技術(shù)的主要挑戰(zhàn)。另外,為了達(dá)到工業(yè)使用指標(biāo)急需投入大筆資金。   Nikon指出它仍繼續(xù)采用兩次圖形曝光方法來(lái)延伸193nm高NA(數(shù)值孔徑)
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Gloabl Foundries 30億美元的賭局

  •   Gloabl Foundries(GF)聲稱將投資30億美元用來(lái)擴(kuò)充德國(guó)與美國(guó)的產(chǎn)能,以回應(yīng)全球代工近期呈現(xiàn)的產(chǎn)能饑餓癥。   歐洲:在Dresden新建Fab 12,目標(biāo)是45nm、28nm及22nm,月產(chǎn)能8萬(wàn)片,潔凈廠房面積11萬(wàn)平方英尺。項(xiàng)目已經(jīng)國(guó)家與歐盟批準(zhǔn),并于2011年開(kāi)始量產(chǎn)。   GF發(fā)言人稱Dresden投資在14-15億美元。   美國(guó):GF正在紐約的Luther Forecast興建Fab 8,目標(biāo)為28nm及22nm,總建筑面積為30萬(wàn)平方英尺,其中潔凈廠房為9萬(wàn)平方英
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22nm介紹

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