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安森美半導(dǎo)體180 nm工藝技術(shù)嵌入Sidense的1T-OTP存儲器
- 領(lǐng)先的邏輯非易失性存儲器(LNVM)一次性可編程(OTP)存儲器知識產(chǎn)權(quán)(IP)內(nèi)核開發(fā)商Sidense與應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商(ON Semiconductor)宣布，Sidence已將其180納米(nm) OTP存儲器SLP產(chǎn)品線移配到安森美半導(dǎo)體的180 nm數(shù)字及混合信號技術(shù)平臺ONC18。 此特許協(xié)議將使SLP宏模塊能夠用于安森美半導(dǎo)體的專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品(ASSP)，以及那些期望安森美半導(dǎo)體制造的專用集成電路(ASIC)產(chǎn)品中包含OTP IP的客戶。此外，Sidenc
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