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FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以及低
- 關鍵字: FinFET 半導體
FinFET并非半導體演進最佳選項

- 在歷史上,半導體產(chǎn)業(yè)的成長仰賴制程節(jié)點每一次微縮所帶來的電晶體成本下降;但下一代晶片恐怕不會再伴隨著成本下降,這將會是半導體產(chǎn)業(yè)近20~30年來面臨的最嚴重挑戰(zhàn)。 具體來說,新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極(bulk high-K metal gate,HKMG) CMOS制程,與16/14奈米 FinFET 將催生更小的電晶體,不過每個邏輯閘的成本也將高出目前的28奈米塊狀HKMG CMOS制程。此成本問題部分源自于在新制程節(jié)點,難以維持高參數(shù)良率(parametric yields)以
- 關鍵字: FinFET 半導體
下一代晶體管技術何去何從
- 大量的金錢和精力都花在探索FinFET工藝,它會持續(xù)多久和為什么要替代他們? 在近期內(nèi),從先進的芯片工藝路線圖中看已經(jīng)相當清楚。芯片會基于今天的FinFET工藝技術或者另一種FD SOI工藝的平面技術,有望可縮小到10nm節(jié)點。但是到7nm及以下時,目前的CMOS工藝路線圖已經(jīng)不十分清晰。 半導體業(yè)已經(jīng)探索了一些下一代晶體管技術的候選者。例如在7nm時,采用高遷移率的FinFET,及用III-V族元素作溝道材料來提高電荷的遷移率。然后,到5nm時,可能會有兩種技術,其中一種是環(huán)柵F
- 關鍵字: 晶體管 FinFET
Synopsys力挺臺積電16納米FinFET
- 全球IC矽智財供應商新思科技(Synopsys)力挺臺積電的16納米FinFET(鰭式場效晶體管),全力協(xié)助臺積電加入導入這項新制程量產(chǎn)行列。 新思科技是「臺積電大同盟」成員之一,昨天也宣布獲臺積電頒發(fā)開放創(chuàng)創(chuàng)新平臺(OIP)「2013年度最佳伙伴獎」,以表彰對臺積電先進制程的貢獻。 臺積電16納米FinFET制程,是對抗英特爾及三星等勁敵的重要技術,臺積電將以大同盟的陣營,聯(lián)合IP、自動化工具、設備及芯片設計業(yè)的力量應戰(zhàn)。臺積電16納米預定明年第4季試產(chǎn),2015年第1季量產(chǎn)。
- 關鍵字: Synopsys FinFET
FinFET新技術對半導體制造產(chǎn)業(yè)的影響
- FinFET稱為鰭式場效晶體管,由于晶體管的形狀與魚鰭的相似性而得到該命名。這是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)晶體管。FinFET是對場效晶體管的一項創(chuàng)新設計,變革了傳統(tǒng)晶體管結(jié)構,其控制電流通過的閘門被設計成類似魚鰭的叉狀3D架構,將原來的單側(cè)控制電路接通與斷開變革為兩側(cè)。 FinFET這樣創(chuàng)新設計的意義,在于改善了電路控制并減少漏電流,縮短了晶體管的閘長,對于制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法等產(chǎn)生重要影響與變革。FinFET技術升溫,使得半導體業(yè)戰(zhàn)火重燃,尤其是以Fi
- 關鍵字: FinFET 半導體制造
FinFET引爆投資熱 半導體業(yè)啟動新一輪競賽

- 半導體業(yè)界已發(fā)展出運用FinFET的半導體制造技術,對制程流程、設備、電子設計自動化、IP與設計方法產(chǎn)生極大變化。特別是IDM業(yè)者與晶圓代工廠正競相加碼研發(fā)以FinFET生產(chǎn)應用處理器的技術,促使市場競爭態(tài)勢急速升溫。 過去數(shù)10年來,互補式金屬氧化物半導體(CMOS)平面電晶體一直是電子產(chǎn)品的主要建構材料,電晶體幾何結(jié)構則一代比一代小,因此能開發(fā)出高效能且更便宜的半導體晶片。 然而,電晶體在空間上的線性微縮已達極限,電晶體縮小到20奈米(nm)以下,會降低通道閘極控制效果,造成汲極(Dr
- 關鍵字: 半導體 FinFET
爭搶1xnm代工商機 晶圓廠決戰(zhàn)FinFET制程
- 鰭式電晶體(FinFET)將成晶圓廠新角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機,臺積、聯(lián)電和格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)正傾力投資FinFET技術,并各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,預計將于2014~2015年陸續(xù)投入量產(chǎn),讓晶圓代工市場頓時硝煙彌漫。 FinFET制程將成晶圓廠新的角力戰(zhàn)場。為卡位16/14納米市場商機,并建立10納米發(fā)展優(yōu)勢,臺積電、聯(lián)電和格羅方德正傾力投資FinFET技術,并已將開戰(zhàn)時刻設定于2014?2015年;同時也各自祭出供應鏈聯(lián)合作戰(zhàn)策略,期抗衡英特爾和三星
- 關鍵字: FinFET 晶圓
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