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臺積電擬攜ARM V8進(jìn)軍16nm FinFET
- 臺積電在本周二(10月16日)的年度大會中，宣布制訂了20nm平面、16nm FinFET和2.5D發(fā)展藍(lán)圖。臺積電也將使用ARM的第一款64位元處理器V8來測試16nm FinFET制程，并可望在未來一年內(nèi)推出首款測試晶片。 臺積電與其合作伙伴們表示，用于20nm和16nm FinFET的雙重圖形技術(shù)對晶片設(shè)計人員帶來了極大挑戰(zhàn)。臺積電的發(fā)展藍(lán)圖大致與競爭對手Globalfoundries 類似，都希望能在明年啟動20nm制程，2014開始14nm FinFET制程。 臺積電的目標(biāo)提前在
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GLOBALFOUNDRIES: 14nm準(zhǔn)備好了嗎?
- 日前，GLOBALFOUNDRIES宣布推出采用FinFET架構(gòu)的14nm-XM技術(shù)，其全球銷售和市場營銷執(zhí)行副總裁Michael Noonen近日接受媒體訪問，對有關(guān)問題進(jìn)行了解讀。 XM 是 eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領(lǐng)先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術(shù)可望實現(xiàn)電池功耗效率提升 40%~60%。 Noonen表示：“201
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英特爾Finfet晶體管架構(gòu)未到瓜熟蒂落時
- 自從Intel正式對外公布22nm制程節(jié)點將啟用Finfet垂直型晶體管結(jié)構(gòu)，吸引了眾人的注意之后，臺積電，GlobalFoundries等芯片代工廠最近紛紛表態(tài)稱芯片代工市場在未來一段時間內(nèi)(至少到下一個節(jié)點制程時)仍將采用傳統(tǒng)基于平面型晶體管結(jié)構(gòu)的技術(shù)。他們給出的理由是，Intel手上只有少數(shù)幾套芯片產(chǎn)品，因此Intel方面要實現(xiàn)到Finfet的晶體管架構(gòu)升遷時，在芯片設(shè)計與制造方面需要作出的改動相對較小，而芯片代工商則情況 完全不同。
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