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12 納米 文章 最新資訊

澳大利亞研制納米電子束曝光系統(tǒng)

  • 　　據(jù)澳大利亞莫納什大學(xué)網(wǎng)站報(bào)道,澳大利亞研究人員正在研制世界最強(qiáng)大的納米設(shè)備之一——電子束曝光系統(tǒng)(EBL).該系統(tǒng)可標(biāo)記納米級(jí)的物體,還可在比人發(fā)直徑小1萬倍的粒子上進(jìn)行書寫或者蝕刻. 　　電子束曝光技術(shù)可直接刻畫精細(xì)的圖案,是實(shí)驗(yàn)室制作微小納米電子元件的最佳選擇.這款耗資數(shù)百萬美元的曝光系統(tǒng)將在澳大利亞亮相,并有能力以很高的速度和 定位精度制出超高分辨率的納米圖形.該系統(tǒng)將被放置在即將完工的墨爾本納米制造中心(MCN)內(nèi),并將于明年3月正式揭幕. 　　MCN的臨時(shí)負(fù)責(zé)人阿
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鋰離子電池的又一次“瘦身”

  • 　　擁有每年270億美元的銷售額,鋰離子電池毫無疑問是充電電池市場(chǎng)的主導(dǎo)者。不過,人們總是希望能做到更好?，F(xiàn)在,科學(xué)家報(bào)告說他們運(yùn)用納米技術(shù)可以大大 增強(qiáng)鋰離子電池的儲(chǔ)電能力,或者在保持現(xiàn)有儲(chǔ)能水平的條件下大大減輕電池重量。這項(xiàng)新的成果可以帶來更小型的筆記本電腦、更遠(yuǎn)行程的電動(dòng)汽車等大量的應(yīng)用。 　　在傳統(tǒng)的充電電池中,帶正電的鋰離子儲(chǔ)存在碳基的陽極上,隨著電池放電流動(dòng)到陰極。這項(xiàng)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是碳在多次充放電之后仍能保持輕量和耐用,而缺點(diǎn)是6個(gè)碳原子才能支持1個(gè)鋰離子。最近,研究人員嘗試用晶體硅制作陽
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美國開發(fā)生物納米電子裝置 改善診斷工具性能

  • 　　美國研究人員在最新一期美國《國家科學(xué)院學(xué)報(bào)》上發(fā)表報(bào)告說,他們利用脂膜納米導(dǎo)線開發(fā)出一種融入生物成分的納米電子裝置,這種生物納米電子裝置不但可以 改善診斷工具的性能,而且可以提高神經(jīng)修復(fù)技術(shù)的水平.現(xiàn)代通訊設(shè)備依靠電場(chǎng)及電流傳遞信息,而生物系統(tǒng)則利用膜受體控制信號(hào)傳遞,其速度可以遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過世 界上最強(qiáng)大的計(jì)算機(jī).例如,將聲波轉(zhuǎn)換成神經(jīng)脈沖是一個(gè)非常復(fù)雜的過程,但人耳卻可以毫不費(fèi)力地完成這一過程.如果將生物系統(tǒng)與電子裝置相結(jié)合,無疑將有 助于提高計(jì)算機(jī)等電子設(shè)備的性能. 　　據(jù)此,研究人員將目光轉(zhuǎn)向脂膜
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美大學(xué)研究人員發(fā)明半導(dǎo)體制作新工藝

  • 　　美國北卡羅來納大學(xué)與賴斯大學(xué)的科學(xué)家最近發(fā)明了一種新的半導(dǎo)體制作工藝，研究人員稱這種發(fā)明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”，并造出更小更強(qiáng)的處理器。該項(xiàng)發(fā)明研究了一種新的硅半導(dǎo)體雜質(zhì)摻雜方法，科學(xué)家們稱之為“單分子層嫁接”。過去，半導(dǎo)體是通過向硅晶體內(nèi)部摻雜雜質(zhì)而制成的，但隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展，晶體管的尺寸也越來越小，這樣就很容易出現(xiàn)不同器件之間摻雜度存在差異的情況，造成器件間的性能差異。 　　為了解決這個(gè)問題，這項(xiàng)新發(fā)明改變了向半
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6月北美半導(dǎo)體設(shè)備訂單出貨比獲得改善 設(shè)備商處境依然艱難

  • 　　SEMI日前公布了2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單出貨比報(bào)告。按三個(gè)月移動(dòng)平均額統(tǒng)計(jì)，6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商訂單額為3.234億美元，訂單出貨比為0.77。訂單出貨比為0.77意味著該月每出貨價(jià)值100美元的產(chǎn)品可獲得價(jià)值77美元的訂單。 　　報(bào)告顯示，6月份3.234億美元的訂單額較5月份2.878億美元最終額增長12％，較2008年6月份的9.342億美元最終額減少69％。   　　與此同時(shí)，2009年6月份北美半導(dǎo)體設(shè)備制造商出貨額為4.196億美元，較5月份3.92
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Micron量產(chǎn)34nm NAND閃存芯片

  • 　　Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術(shù)的NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。 　　Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術(shù)做準(zhǔn)備，計(jì)劃于第四季度推出樣品。
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MIPS32 處理器強(qiáng)化 NXP 的創(chuàng)新 DTV 平臺(tái)

  • 　　為家庭娛樂、通信、網(wǎng)絡(luò)和便攜式多媒體市場(chǎng)提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)處理器架構(gòu)與內(nèi)核的領(lǐng)導(dǎo)廠商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布，恩智浦半導(dǎo)體公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 內(nèi)核進(jìn)行全球首款 45 納米數(shù)字電視處理器開發(fā)。這款型號(hào)為 PNX85500 的處理器是 NXP TV550 全球單芯片數(shù)字電視平臺(tái)背后的重要推動(dòng)力量，可協(xié)助制造商提供許多先進(jìn)的 HDTV 功能，并以無與倫比的圖像質(zhì)量獲取互聯(lián)網(wǎng)內(nèi)容。 　　市場(chǎng)研究公司 In-S
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NVIDIA部署微捷碼Talus 1.1版本到其生產(chǎn)環(huán)境中

  • 　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，NVIDIA公司已部署微捷碼的Talus® 1.1 IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)到其全面生產(chǎn)環(huán)境中。Talus 1.1版本提供了布線、優(yōu)化和運(yùn)行時(shí)間方面的顯著改善以及增強(qiáng)的可用性特征。NVIDIA是在參加這一最新Talus版本的beta測(cè)試后，基于肯定的測(cè)試結(jié)果以及改善的流程性能才決定開始使用Talus 1.1進(jìn)行其生產(chǎn)設(shè)計(jì)項(xiàng)目。 　　“基于核心算法、流程融合和整體可用性方面的顯著改善，我們近期已在我們的生產(chǎn)環(huán)境升級(jí)
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Linear推出雙通道 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

  • 　　凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3582、LT3582-5 和 LT3582-12，這些器件提供了很多偏置應(yīng)用所需的正和負(fù)輸出，例如有源矩陣 OLED (有機(jī)發(fā)光二極管) 顯示器以及 CCD (電荷耦合器件) 應(yīng)用。LT3582/-5/-12 提供一個(gè) I2C 接口，該接口可按照應(yīng)用要求，對(duì)輸出電壓、電源排序和輸出電壓斜坡動(dòng)態(tài)編程。這些參數(shù)也可以在制造過程中設(shè)置，并通過內(nèi)置非易失性 OTP (一次可編程) 存儲(chǔ)器成為永久
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22納米設(shè)備傳難產(chǎn)　延后進(jìn)駐臺(tái)積電

  • 　　22納米制程微顯影曝光設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper傳出設(shè)備進(jìn)度遞延，Mapper目前是與臺(tái)積電在新世代半導(dǎo)體曝光設(shè)備合作最密切的業(yè)者之一，Mapper的進(jìn)度遞延已經(jīng)讓原本預(yù)期進(jìn)駐臺(tái)積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設(shè)備向后延期。臺(tái)積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競(jìng)爭的曝光技術(shù)，Mapper技術(shù)出現(xiàn)瓶頸，將為臺(tái)積電技術(shù)進(jìn)程埋下未知數(shù)。 　　據(jù)了解，受到景氣沖擊，投資者資本支出保守，新興設(shè)備業(yè)者M(jìn)apper在22納米制程之后的曝光技術(shù)投資也受到影響，因而對(duì)于先
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科學(xué)家發(fā)明可用于制造超薄顯示器的新型納米晶體材料

  • 　　羅切斯特大學(xué)與柯達(dá)公司的研究人員近日宣稱他們研發(fā)出了一種新的納米發(fā)光晶體材料，這種材料能在吸收能量后持續(xù)保持發(fā)光狀態(tài)，而不是像以前那樣將能量通過發(fā)熱方式耗散掉。該材料有望應(yīng)用于高亮度LED照明，廉價(jià)激光器制造等應(yīng)用場(chǎng)合，還可以被用來開發(fā)更薄的電視，顯示器產(chǎn)品。 　　羅切斯特大學(xué)教授Todd Krauss說：“納米晶體從光子吸收能量后，將通過發(fā)光或發(fā)熱兩種方式來耗散能量。”通過第一種方式耗散能量的晶體類型被稱為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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納米硅膠體鉛酸蓄電池

  • 摘要：從原理上分析了納米氣相二氧化硅膠體鉛酸蓄電池的特性，介紹了一種研究成果，應(yīng)用于鉛蓄電池的硅膠體的制造原理和方法。主要是利用表面化學(xué)的基本原理和電化學(xué)動(dòng)力學(xué)催化的基本方法，應(yīng)用納米氣相Si02溶膠的半
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臺(tái)積電承認(rèn)40納米工藝遭遇障礙

  • 　　在公布最新季度財(cái)報(bào)的同時(shí)，臺(tái)積電也第一次公開承認(rèn)，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。 　　臺(tái)積電在去年底基本準(zhǔn)時(shí)地上馬了40nm生產(chǎn)線，并在今年第一季度貢獻(xiàn)了大約1%的收入，高于預(yù)期水準(zhǔn)，預(yù)計(jì)今年第二季度會(huì)達(dá)到2%左右。 　　臺(tái)積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時(shí)說：“良品率是有些問題。對(duì)制造商而言40nm是一項(xiàng)非常困難的技術(shù)。(不過)我們已經(jīng)找到了問題的根源，并且已經(jīng)或正在解決。” 　　結(jié)合此前消息，臺(tái)積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，
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東芝推出32納米工藝閃存芯片 7月批量生產(chǎn)

  • 　　東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應(yīng)用于記憶卡和USB存儲(chǔ)設(shè)備，未來會(huì)擴(kuò)展到嵌入式產(chǎn)品領(lǐng)域。 　　隨著越來越多的移動(dòng)設(shè)備在聲音和影像方面的逐步數(shù)字化，高容量、更小巧的內(nèi)存產(chǎn)品在市場(chǎng)上的需求也越來越強(qiáng)勁。 　　新的芯片產(chǎn)品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內(nèi)制造。東芝公司將比原計(jì)劃提前2個(gè)月，從2009年7月起，大批量生產(chǎn)32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產(chǎn)品則會(huì)從2009財(cái)年第三季度(2009年10月到12月)開
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Hynix成功研發(fā)世界最高性能移動(dòng)DRAM

  • 　　韓聯(lián)社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導(dǎo)體成功研發(fā)采用54納米技術(shù)的世界最高性能的1Gb移動(dòng)低電雙倍速率(LPDDR2)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)產(chǎn)品。Hynix表示，該產(chǎn)品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實(shí)現(xiàn)1066Mbps超高速數(shù)據(jù)傳輸速度的移動(dòng)DRAM，在工藝技術(shù)、電壓、速度方面具備世界最高性能。 　　據(jù)介紹，該產(chǎn)品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現(xiàn)有的1.8伏移動(dòng)DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產(chǎn)品的30%。這意味著，1秒內(nèi)下載5、6部普通長度的
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