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非對(duì)稱可控硅
非對(duì)稱可控硅 文章 進(jìn)入非對(duì)稱可控硅技術(shù)社區(qū)
一種非對(duì)稱雙向可控硅靜電防護(hù)器件的設(shè)計(jì)*
- 非對(duì)稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)之后，為使I-V特性曲線對(duì)稱而設(shè)計(jì)的非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設(shè)計(jì)維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號(hào)端口的靜電保護(hù)。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對(duì)稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應(yīng)
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非對(duì)稱可控硅介紹
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