閃存文章進入閃存技術社區(qū)

閃存，是如何工作的？

NAND閃存將單元串聯(lián)排列以實現(xiàn)高密度存儲，優(yōu)先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
關鍵字：閃存 NAND

復旦大學研發(fā)出史上最快閃存，每秒操作25億次！

近日，復旦大學團隊研發(fā)出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現(xiàn)有技術快1萬倍，數(shù)據(jù)保存年限據(jù)實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯片與系統(tǒng)全國重點實驗室、芯片與系統(tǒng)前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現(xiàn)任復旦大學微電子學院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統(tǒng)閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
關鍵字：復旦大學閃存

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協(xié)議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協(xié)議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關鍵字：三星長江存儲 NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

西部數(shù)據(jù)宣布完成閃存業(yè)務分拆計劃

當?shù)貢r間2月24日，NAND Flash廠商西部數(shù)據(jù)（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業(yè)務的分拆計劃。圖片來源：西部數(shù)據(jù)據(jù)悉，分拆后的閃存業(yè)務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數(shù)據(jù)CEO David Goeckeler轉任閃迪CEO，而西部數(shù)據(jù)則將再次專注于機械硬盤HDD業(yè)務，由現(xiàn)任全球運營執(zhí)行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數(shù)據(jù)以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業(yè)務部門。不過在2022年，存
關鍵字：存儲大廠閃存西部數(shù)據(jù)

兩項閃存技術革新，美光、鎧俠各有動作

DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創(chuàng)新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯(lián)合研發(fā)的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
關鍵字：閃存美光鎧俠

從閃存到MRAM：滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求

在技術飛速發(fā)展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業(yè)的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等方面更進一步?，F(xiàn)代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統(tǒng)和先進的互連航空電子技術等應用
關鍵字：閃存 MRAM FPGA 萊迪思

NAND閃存再減產：三星、SK海力士將至少削減10%

據(jù)報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
關鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
關鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據(jù)媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數(shù)據(jù)顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據(jù)行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
關鍵字：三星 NAND 閃存存儲卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數(shù)據(jù) 美光長江存儲

TrendForce：預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

IT之家?10 月 15 日消息，根據(jù) TrendForce 集邦咨詢最新調查，NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響，wafer 合約價于第三季率先下跌，預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到，模組產品部分，除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐，有望于第四季小漲 0% 至 5%；PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期，采購策略更加保守。TrendForce 預估，第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現(xiàn)季減 3% 至
關鍵字： NAND 閃存存儲市場分析

第八代BiCS FLASH厲害在哪里？

第八代BiCS FLASH已然投入量產，意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升，特別是2Tb QLC NAND是當下業(yè)界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構，實現(xiàn)了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡，所開發(fā)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲陣列）和3.6Gbps接口速度，給AI應用、數(shù)據(jù)中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
關鍵字： BiCS FLASH 閃存 flash 鎧俠

閃存大廠鎧俠IPO又進一步

近日，媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預計籌資規(guī)模將達到5億美元，如若IPO順利進行，那么其有望成為2024年日本最大規(guī)模的IPO。知情人士透露，鎧俠可能在接下來的幾周內啟動其IPO流程，至于IPO的具體細節(jié)仍在討論之中，可能會根據(jù)市場環(huán)境的變化而有所調整。該公司的估值預計將超過1.5萬億日元（合103億美元）。資料顯示，鎧俠于2018年6月從日本東芝集團獨立出來，2020年鎧俠獲準在東京證券交易所上市，不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
關鍵字：閃存鎧俠 IPO

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運

IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式
關鍵字： NAND 閃存三星電子

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路，泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

IT之家 8 月 1 日消息，泛林集團 Lam Research 當?shù)貢r間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示：Lam Cryo 3.0 為（我們的）客戶實現(xiàn) 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產，而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創(chuàng)建高深寬比（IT之家注：High Aspect R
關鍵字： NAND 閃存泛林集團

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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息）的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細 ]