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薄膜電阻
薄膜電阻 文章 最新資訊
薄膜電阻技術(shù)深度解析與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用指南
- 一、薄膜電阻技術(shù)原理與核心優(yōu)勢(shì)1.1 技術(shù)原理薄膜電阻(Thin Film Resistor)通過(guò)物理/化學(xué)氣相沉積(PVD/CVD)工藝,在陶瓷基板(Al?O?或AlN)表面形成納米級(jí)(50-250nm)金屬或合金薄膜(如NiCr、TaN)。其核心工藝鏈包含:基板預(yù)處理:表面粗糙度Ra<0.05μm(SEMI標(biāo)準(zhǔn))薄膜沉積:磁控濺射工藝實(shí)現(xiàn)±3%厚度均勻性激光修調(diào):Nd:YAG激光刻蝕,精度±0.5μm(MIL-STD-883標(biāo)準(zhǔn))鈍化封裝:SiO?/Si?N?保護(hù)層,耐濕性達(dá)85℃/85%RH
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元器件分析:薄膜電阻器提供不滲透硫的解決方案
- 當(dāng)前的小型化趨勢(shì)將電阻器技術(shù)推到了極限。例如,0201尺寸的片狀電阻器僅封裝就大約占到了元件總成本的60%。...
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提高用于高溫環(huán)境和電負(fù)載的薄膜電阻的性能
- 摘要:可提高焊點(diǎn)在高工作溫度下可靠性的無(wú)鉛合金非常適用于汽車電子或特殊應(yīng)用。薄膜電阻的端接和結(jié)構(gòu)采用了一些最新的增強(qiáng)技術(shù),使設(shè)計(jì)者能夠使用這些大批量市場(chǎng)的器件,加上最新的焊錫配方,用更低的成本組裝出在惡劣環(huán)境下工作的設(shè)備。 關(guān)鍵詞:高溫環(huán)境;電負(fù)載;薄膜電阻;Vishay 隨著無(wú)鉛技術(shù)的成熟,目前已經(jīng)出現(xiàn)了可以用在高達(dá)140~150℃焊點(diǎn)溫度下的高溫焊錫合金,而且不會(huì)損失可靠性。一個(gè)例子是囊括了材料供應(yīng)商、器件供應(yīng)商和汽車系統(tǒng)開(kāi)發(fā)商的Innolot項(xiàng)目,該項(xiàng)目成功開(kāi)發(fā)出了包含SAC合金和用
- 關(guān)鍵字: Vishay 薄膜電阻 201009
Vishay推出ESD級(jí)別高達(dá)2kV的車用精密薄膜電阻

- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證、ESD級(jí)別高達(dá)2kV的新款PAT系列精密車用薄膜電阻。該電阻的標(biāo)準(zhǔn)TCR低至±25ppm/℃,經(jīng)過(guò)激光微調(diào)后的容差低至±0.1%,可滿足汽車行業(yè)對(duì)溫度、濕度提出的新需求,同時(shí)具有可靠的可重復(fù)性和穩(wěn)定的性能。 由于在高純度的氧化鋁基板上涂上了一層氮化鉭電阻薄膜,使PAT電阻實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的薄膜,在+70℃下經(jīng)過(guò)10,000小時(shí)后的性能特性為1000ppm。器件針對(duì)混合動(dòng)力/電控
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薄膜電阻介紹
薄膜電阻具有均勻厚度薄膜電阻的量度。通常被用作評(píng)估半導(dǎo)體摻雜的結(jié)果。這種工藝的例子有:參雜半導(dǎo)體領(lǐng)域(比如硅或者多晶硅),以及被絲網(wǎng)印刷到薄膜混合微電路基底上的電阻。
薄膜電阻這一概念的使用,與電阻或者電阻率相對(duì),是它直接用四終端感應(yīng)測(cè)量法(也稱為四點(diǎn)探針測(cè)量法)來(lái)測(cè)量。
薄膜電阻用歐姆/平方來(lái)計(jì)量,可被應(yīng)用于將薄膜考慮為一個(gè)二維實(shí)體的二維系統(tǒng)。它與三維系統(tǒng)下所用的電阻率的概念對(duì)等。當(dāng)使用到薄 [ 查看詳細(xì) ]
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