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耐用性 文章 最新資訊

電池架構(gòu)使用100%硅負(fù)極來提高能量密度和耐用性

  • 推出了采用 100% 硅負(fù)極設(shè)計的智能手機(jī)電池平臺，能量密度超過每升 900 瓦時 （Wh/L）。這款名為 AI-1 的電池專為執(zhí)行高級設(shè)備處理任務(wù)（包括人工智能工作負(fù)載）的智能手機(jī)而開發(fā)。這種電池架構(gòu)已以 7,350 毫安時 （mAh） 配置運(yùn)送給原始設(shè)備制造商 （OEM） 進(jìn)行評估和鑒定。該設(shè)計采用了以硅為主的陽極配置，解決了通常與硅材料相關(guān)的體積膨脹和機(jī)械應(yīng)變挑戰(zhàn)。通過優(yōu)化負(fù)極結(jié)構(gòu)和支撐材料（如陰極配方、隔膜和電解質(zhì)），電池支持高放電率，并在很寬的溫度范圍內(nèi)保持運(yùn)行完整性。初步內(nèi)部測試表明，支持 3
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耐用性更高的新型溝槽型功率MOSFET

  • 在線性模式供電的電子系統(tǒng)中，功率 MOSFET器件被廣泛用作壓控電阻器，電磁干擾 (EMI) 和系統(tǒng)總體成本是功率MOSFET的優(yōu)勢所在。?在線性模式工作時，MOSFET必須在惡劣工作條件下工作，承受很高的漏極電流(ID)和漏源電壓 (VDS)，然后還需處理很高的功率。這些器件必須滿足一些技術(shù)要求才能提高耐用性，還必須符合熱管理限制，才能避免熱失控。?意法半導(dǎo)體 (ST) 推出了一款采用先進(jìn)的 STPOWER STripFET F7制造技術(shù)和H2PAK 封裝的 100V功率 MOSFE
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驗證射頻功率晶體管的耐用性

  • 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴(yán)重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管，
  • 關(guān)鍵字： 射頻功率晶體管  耐用性  LDMOS  
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耐用性介紹

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