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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 缺陷

鈍化技術(shù)減少了鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的缺陷

  • 在過去的幾十年里，太陽(yáng)能電池越來越普遍，全球越來越多的個(gè)人和企業(yè)現(xiàn)在依靠太陽(yáng)能為他們的家庭或運(yùn)營(yíng)供電。因此，世界各地的能源工程師一直在努力尋找有前途用于光伏發(fā)展、環(huán)保無(wú)毒、易于采購(gòu)和加工的材料。這些材料包括基于鈣鈦礦的材料，例如 Cu?ZnSnS? （CZTS），這是一類半導(dǎo)體材料，其晶體結(jié)構(gòu)類似于天然存在的鈣鎂礦。與當(dāng)今最常用的傳統(tǒng)硅基光伏相比，Kesterite 太陽(yáng)能電池可能具有多種優(yōu)勢(shì)，包括更低的制造成本、更少的毒性成分和更大的靈活性。盡管具有潛力，但迄今為止開發(fā)的 Kesterite
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英特爾用AI技巧發(fā)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心芯片中隱藏的缺陷

  • 對(duì)于大型數(shù)據(jù)中心中的高性能芯片，數(shù)學(xué)可能是敵人。由于超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心正在進(jìn)行的計(jì)算規(guī)模龐大，在數(shù)百萬(wàn)個(gè)節(jié)點(diǎn)和大量硅片上全天候運(yùn)行，因此會(huì)出現(xiàn)極其罕見的錯(cuò)誤。這只是統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)。這些罕見的、“無(wú)聲的”數(shù)據(jù)錯(cuò)誤不會(huì)在傳統(tǒng)的質(zhì)量控制篩查中出現(xiàn)，即使公司花費(fèi)數(shù)小時(shí)尋找它們也是如此。本月，在加利福尼亞州蒙特雷舉行的 IEEE 國(guó)際可靠性物理研討會(huì)上，英特爾工程師介紹了一種使用強(qiáng)化學(xué)習(xí)來更快地發(fā)現(xiàn)更多無(wú)聲數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的技術(shù)。該公司正在使用機(jī)器學(xué)習(xí)方法來確保其 Xeon 處理器的質(zhì)量。當(dāng)數(shù)據(jù)中心發(fā)
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考慮缺陷可能性，將車用IC DPPM降至零

  • 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對(duì)所有設(shè)計(jì)流程中的新挑戰(zhàn)，方能在快速成長(zhǎng)的車用 IC市場(chǎng)中提升競(jìng)爭(zhēng)力。為了符合ISO 26262國(guó)際安全規(guī)范中零百萬(wàn)缺陷率（DPPM）的目標(biāo)，可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）工程師采用了新的測(cè)試模式類型，包括單元識(shí)別（cell-aware）、互連和單元間橋接（單元鄰域）；但是在選擇應(yīng)用模式類型和設(shè)置覆蓋率目標(biāo)時(shí)，傳統(tǒng)方式不管在質(zhì)量、測(cè)試時(shí)間還是測(cè)試成本上都存在著改善空間。 圖一 : 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對(duì)所有設(shè)計(jì)流程中的新挑戰(zhàn)，方能在快速成長(zhǎng)的車用IC市場(chǎng)中提升競(jìng)爭(zhēng)力。（sou
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基于DM642的橋梁纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  • 針對(duì)目前國(guó)內(nèi)橋梁纜索表面缺陷檢測(cè)的不足，提出一種基于DM642的纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)。介紹了該系統(tǒng)的硬件平臺(tái)以及軟件設(shè)計(jì)。系統(tǒng)的硬件平臺(tái)
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使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因

  • 錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用，為印刷過程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問題，根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對(duì)無(wú)鉛對(duì)生產(chǎn)線最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
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船體結(jié)構(gòu)焊縫超聲波探傷智能化方法

  • 摘要：通過使用計(jì)算機(jī)控制的陣列式超聲波探頭簡(jiǎn)化超聲波探傷過程中探頭的運(yùn)動(dòng)方式，實(shí)現(xiàn)超聲波探傷的自動(dòng)化和...
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數(shù)據(jù)采集硬件：如何避免缺陷與誤差

  • 誤差在日常生活中，我們對(duì)顯示在各種屏幕或計(jì)算機(jī)上的測(cè)量數(shù)據(jù)向來是深信不疑的。例如：汽車儀表盤上...
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電源設(shè)計(jì)小貼士 50：鋁電解電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其低成本的特點(diǎn)，鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是，它們壽命有限，且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會(huì)在電容器壽命期間蒸發(fā)，從而改變其電
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針對(duì)FPGA內(nèi)缺陷成團(tuán)的電路可靠性設(shè)計(jì)研究

  • 引 言微小衛(wèi)星促進(jìn)了專用集成電路(ASIC—ApplicatiON Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?，F(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實(shí)現(xiàn)形式，是中國(guó)航天目前集成
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LED燈具的致命缺陷―浪涌電壓

  • 所有的LED燈具都有這種致命的缺陷，而且至今為止，沒有人提出過好的解決辦法。所有搞LED電源的，或是搞LED成品燈具的，都對(duì)這個(gè)問題避而不談，裝作不知道，然而實(shí)際量產(chǎn)，這個(gè)問題更是層出不窮，當(dāng)然還有更多不怎么懂
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LED照明產(chǎn)品檢測(cè)方法中的缺陷和改善的對(duì)策

  • 傳統(tǒng)的LED 及其模塊光、色、電參數(shù)檢測(cè)方法有電脈沖驅(qū)動(dòng) ,CCD 快速光譜測(cè)量 法,也有在一定的條件下,熱平衡后的測(cè)量法,但這些方法的測(cè)量條件和結(jié)果與LED 進(jìn)入照明器具內(nèi)的實(shí)際工作情況都相差甚遠(yuǎn)。文章介紹了通過Vfm
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嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹

  • 嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見的錯(cuò)誤，并介紹的幾個(gè)技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯(cuò)誤。大部分軟件開發(fā)項(xiàng)目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試來識(shí)別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要，而且能發(fā)現(xiàn)大多
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巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計(jì)中的缺陷

  • 巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計(jì)中的缺陷,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見的錯(cuò)誤，并介紹的幾個(gè)技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯(cuò)誤。大部分軟件開發(fā)項(xiàng)目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試來識(shí)別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要，而且能發(fā)現(xiàn)大多
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LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測(cè)技術(shù)

  • 摘要：為了在大批量封裝生產(chǎn)線上對(duì)LED的封裝質(zhì)量進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)，利用LED具有與PD類似的光伏效應(yīng)的特點(diǎn)，導(dǎo)出了LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光生電流之間的關(guān)系，并根據(jù)LED封裝工藝過程的特點(diǎn)，研制了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測(cè)
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控制SMT焊接幾種缺陷方式的解析

  • 1、引言表面組裝技術(shù)在減小電子產(chǎn)品體積、重量和提高可靠性等方面的突出優(yōu)點(diǎn)，迎合了未來制造技術(shù)的要求。但是，要制定和選擇適用于具體產(chǎn)品的表面組裝工藝不是簡(jiǎn)單的事情，因?yàn)镾MT技術(shù)是涉及了多項(xiàng)技術(shù)的復(fù)雜的系統(tǒng)
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