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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)

功率半導(dǎo)體“放量年”,IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日,東芝電子元器件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社宣布,在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導(dǎo)體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。施工將分兩個(gè)階段進(jìn)行,第一階段的生產(chǎn)計(jì)劃在2024財(cái)年內(nèi)開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓,以應(yīng)對(duì)人員的增加。此外,今年2月下旬,日經(jīng)亞洲報(bào)道,東芝計(jì)劃到2024年將碳化硅功率半導(dǎo)體的產(chǎn)量增加3倍以上,到2026年增加10倍。而據(jù)日媒3月16日最新消息,東芝又宣布要增加SiC外延片生產(chǎn)環(huán)節(jié),布局完成后將形成:外延設(shè)備+外
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優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動(dòng)

  • 在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT,碳化硅(以下簡(jiǎn)稱“SiC”)MOSFET 有明顯的優(yōu)勢(shì)。使用硅MOSFET可以實(shí)現(xiàn)高頻(數(shù)百千赫茲)開關(guān),但它們不能用于非常高的電壓(>1 000 V)。而IGBT 雖然可以在高壓下使用,但其 “拖尾電流 “和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美,可實(shí)現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而,SiC MOSFET 的獨(dú)特器件特性意味著它們對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電路有特殊的要求。了解這些特性后,設(shè)計(jì)人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性
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SiC并購戰(zhàn):誰是頂級(jí)收購者?

  • 第三代半導(dǎo)體「愈演愈烈」。
  • 關(guān)鍵字: SiC  功率器件  

三次油電平價(jià) 促成中國電動(dòng)市場(chǎng)的大爆發(fā)

  • 大家應(yīng)該還記得,當(dāng)遭受國補(bǔ)退坡重創(chuàng)的電動(dòng)汽車于2019-2020年間慢慢恢復(fù)元?dú)?,開始走出國補(bǔ)退坡的陰影時(shí),市面上開始出現(xiàn)了一些在性能上追平甚至超越傳統(tǒng)燃油車的電動(dòng)汽車,當(dāng)時(shí)的電動(dòng)車市場(chǎng)呈現(xiàn)出來的是典型的啞鈴型結(jié)構(gòu):便宜的A00級(jí)車型和30萬以上的高端車型(包括部分B級(jí)車和C級(jí)車)賣得很好,但在10-30萬的主流區(qū)間,電動(dòng)車企的表現(xiàn)一直比較慘淡。這種市場(chǎng)格局在2016-2021國內(nèi)乘用車分級(jí)別電動(dòng)化率走勢(shì)圖上一展無遺,歷時(shí)五年的時(shí)間,A00車已經(jīng)達(dá)到了90%以上的滲透率。這兩年來,市場(chǎng)格局風(fēng)云變幻,正如歐
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特斯拉虛晃一槍,碳化硅高速邁進(jìn)

  • 被稱為“未來十年黃金賽道”的碳化硅行業(yè)近日又隨著華為發(fā)布SiC電驅(qū)平臺(tái)再被關(guān)注,在近期特斯拉大幅減少碳化硅使用風(fēng)暴下,業(yè)界在一次次的探討中,逐步廓清了碳化硅未來使用的信心與前景。華為的碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈布局近日華為舉辦了智能電動(dòng)新品發(fā)布會(huì),并發(fā)布了聚焦動(dòng)力域的“DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)”以及“新一代全液冷超充架構(gòu)”的充電網(wǎng)絡(luò)解決方案。其中,DriveONE新一代超融合黃金動(dòng)力平臺(tái)主要包括面向B/B+級(jí)純電、B/B+級(jí)增程混動(dòng),以及A級(jí)純電車型動(dòng)力總成解決方案,目標(biāo)是不斷提升整車度電里程和升油里程
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特斯拉降低造車成本,國內(nèi)新能源車企如何實(shí)現(xiàn)“價(jià)格戰(zhàn)”突圍?

  • 在國內(nèi)新能源車市場(chǎng),特斯拉稱得上是最大的“鯰魚”,一舉一動(dòng)總能攪動(dòng)起不小的“水花”。近日,“鯰魚”特斯拉在其投資者活動(dòng)日上公開了備受期待的“秘密宏圖第三篇章(Master Plan Part 3)”,其中一句“下一代平臺(tái)將減少75%的碳化硅使用”一度帶崩相關(guān)板塊,引發(fā)A股碳化硅中的個(gè)股集體跳水。近兩年,碳化硅在新能源汽車中占據(jù)著重要位置,相關(guān)概念在資本市場(chǎng)上也一度受到熱捧,更具戲劇性的是,特斯拉正是推動(dòng)碳化硅上車的“先驅(qū)”。如今,特斯拉對(duì)碳化硅的態(tài)度出現(xiàn)180度大反轉(zhuǎn),背后的真實(shí)意圖是什么?將會(huì)對(duì)國內(nèi)新能
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適用于運(yùn)輸領(lǐng)域的SiC:設(shè)計(jì)入門

  • 簡(jiǎn)介在這篇文章中,作者分析了運(yùn)輸輔助動(dòng)力裝置(APU)的需求,并闡述了SiC MOSFET、二極管及柵極驅(qū)動(dòng)器的理想靜態(tài)和動(dòng)態(tài)特性。 為什么使用寬帶隙(WBG)材料?對(duì)于任何電力電子工程師來說,必須大致了解適用于功率半導(dǎo)體開關(guān)器件的半導(dǎo)體物理學(xué)原理,以便掌握非理想器件的電氣現(xiàn)象及其對(duì)目標(biāo)應(yīng)用的影響。理想開關(guān)在關(guān)斷時(shí)的電阻無窮大,導(dǎo)通時(shí)的電阻為零,并且可在這兩種狀態(tài)之間瞬間切換。從定量角度來看,由于基于MOSFET的功率器件是單極性器件,因此與這一定義最為接近。功率MOSFET結(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通狀態(tài)電流
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采埃孚、意法半導(dǎo)體簽下碳化硅模塊供應(yīng)長(zhǎng)約

  • 據(jù)外媒報(bào)道,知名汽車電子廠商采埃孚(ZF)近日宣布將從意法半導(dǎo)體(ST)采購碳化硅模塊。雙方簽署的多年期合同據(jù)報(bào)道涉及供應(yīng)數(shù)量達(dá)數(shù)百萬的SiC模塊。報(bào)道稱,到2030年,采埃孚在電動(dòng)汽車領(lǐng)域的訂單總額預(yù)計(jì)將超過300億歐元,公司高管Stephan von Schuckmann表示,為了應(yīng)對(duì)蓬勃增長(zhǎng)的需求,采埃孚需要多家可靠的SiC供應(yīng)商?!霸? 意法半導(dǎo)體,我們現(xiàn)在找到了這樣一家供應(yīng)商,其在復(fù)雜系統(tǒng)方面的經(jīng)驗(yàn)符合我們的要求,最重要的是,該供應(yīng)商能夠以極高質(zhì)量和所需數(shù)量生產(chǎn)模塊。”意法半導(dǎo)體汽車和分立
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頭部企業(yè)再簽供貨長(zhǎng)約,全球碳化硅市場(chǎng)高速成長(zhǎng)

  • 據(jù)外媒報(bào)道,近日,德國汽車Tier-1廠商采埃孚(ZF)和功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體(ST)共同發(fā)布新聞稿稱,雙方簽訂了車用碳化硅多年采購合同。根據(jù)合同條款,采埃孚將自2025年起向ST采購數(shù)千萬顆第三代SiC MOSFET器件,滿足汽車逆變器對(duì)車規(guī)級(jí)SiC器件在量和質(zhì)上的需求。采埃孚將于2025年量產(chǎn)新型模塊化逆變器架構(gòu),這些SiC器件將集成到該平臺(tái)中。截至目前,采埃孚的在手訂單(到2023年)金額總計(jì)超過300億歐元(約合人民幣2274億元),其中一個(gè)汽車逆變器訂單來自歐洲一家車企,該車企計(jì)劃2025年
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碳化硅風(fēng)頭正勁,小心!氧化鎵蓄勢(shì)待發(fā)

  • 近期,媒體報(bào)道進(jìn)化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉,進(jìn)化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè),創(chuàng)立于2021年5月,專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。稍早之前,鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。為滿足日益增長(zhǎng)的多元需求,半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料,以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料,以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料,發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體
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汽車結(jié)構(gòu)性缺芯 國產(chǎn)碳化硅功率半導(dǎo)體有望四季度“上車”

  • 4月7日,中國汽車芯片產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟功率半導(dǎo)體分會(huì)在長(zhǎng)沙成立,將加快汽車功率芯片的國產(chǎn)化。在成立大會(huì)暨汽車功率芯片發(fā)展研討會(huì)期間,第一財(cái)經(jīng)記者獲悉,汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì),降本提質(zhì)是國產(chǎn)功率芯片尤其是碳化硅功率半導(dǎo)體“上車”的關(guān)鍵;三安光電用于電動(dòng)車主驅(qū)的碳化硅功率半導(dǎo)體有望今年四季度正式“上車”。  汽車結(jié)構(gòu)性缺芯給國產(chǎn)芯片帶來機(jī)會(huì)  有行業(yè)專家向第一財(cái)經(jīng)記者表示,一輛電動(dòng)車如果前驅(qū)與后驅(qū)都用功率半導(dǎo)體,功率半導(dǎo)體約占電機(jī)控制器的成本50%。奇瑞汽車研發(fā)總院芯片規(guī)劃總監(jiān)郭宇輝告訴第一財(cái)經(jīng)記者
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Diodes 公司推出功率密度更高的工業(yè)級(jí)碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產(chǎn)品:DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)、太陽能逆變器、數(shù)據(jù)中心及電信電源供應(yīng)、直流對(duì)直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器和電動(dòng)車 (EV) 電池充電器等應(yīng)用,對(duì)更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達(dá) 37A) 的條件下運(yùn)作,同時(shí)維持低導(dǎo)
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貿(mào)澤即日起備貨安森美EliteSiC碳化硅解決方案

  • 2023年4月12日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解決方案。EliteSiC產(chǎn)品系列包括二極管、MOSFET、IGBT和SiC二極管功率集成模塊 (PIM),以及符合AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的器件。這些器件經(jīng)過優(yōu)化,可為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供高可靠性和高性能??稍偕茉春痛蠊β使I(yè)應(yīng)用需要高擊穿電壓 (BV),1700V NTH4L028N170M1
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功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求攀升,盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設(shè)備采購訂單

  • 今日,盛美上海宣布,首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設(shè)備的采購訂單。盛美上海指出,該訂單來自中國領(lǐng)先的碳化硅襯底制造商,預(yù)計(jì)將在2023年第三季度末發(fā)貨。當(dāng)前,以碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)為主的第三代半導(dǎo)體迅速發(fā)揮發(fā)展,其中整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉,碳化硅襯底用于功率半導(dǎo)體制造,而功率半導(dǎo)體被廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電動(dòng)汽車和可再生能源等領(lǐng)域。碳化硅技術(shù)的主要優(yōu)勢(shì)包括更少的開關(guān)能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱,以及更強(qiáng)的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體需求的增加
  • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  盛美上海  Ultra C SiC  襯底清洗  

連接與電源:新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案

  • 3月下旬,全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動(dòng)。通過此次活動(dòng),Qorvo旨在向業(yè)內(nèi)介紹Qorvo在自身移動(dòng)產(chǎn)品和基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用上的射頻領(lǐng)導(dǎo)地位進(jìn)面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領(lǐng)域的最新進(jìn)展。Matter出世,化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們?cè)?jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實(shí),但要將數(shù)以百億計(jì)的設(shè)備進(jìn)行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘,Matter 標(biāo)準(zhǔn)的出現(xiàn)打破了這個(gè)局面。作為Matter的積極參與者,Qorvo 率先打造符合 Matter 標(biāo)準(zhǔn)的
  • 關(guān)鍵字: Qorvo  Matter  SiC FET  UWB  
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碳化硅(sic)介紹

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