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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

碳化硅(sic)mosfet 文章 最新資訊

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算介紹

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  驅(qū)動器  功耗計算    

提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

  • 標(biāo)簽：電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓?fù)渚哂休^高效率，很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機(jī)
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功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率器件  汽車電子    

MOSFET雙峰效應(yīng)的評估方法簡介

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機(jī)體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  雙峰效  方法    

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723)，高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商，日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管(超級結(jié)MOSFET)，具有如下的特點：600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷，適用于高速電機(jī)驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： 瑞薩  MOSFET  

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
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高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

  • 前言近年來，產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象，促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視，更造...
  • 關(guān)鍵字： 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動工具、電...
  • 關(guān)鍵字： MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護(hù)  MOSFET  

理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  開關(guān)損耗  主導(dǎo)參數(shù)  

羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出了功率MOSFET。
  • 關(guān)鍵字： 羅姆  MOSFET  DC/DC  

恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼：NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測的優(yōu)勢，與傳統(tǒng)無引腳封裝相比，焊接連接質(zhì)量更好。
  • 關(guān)鍵字： 恩智浦  MOSFET  

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質(zhì)國際研討會與展覽會”上，英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列，該產(chǎn)品系列增強(qiáng)了英飛凌在SiC(碳化硅)產(chǎn)品市場的領(lǐng)先地位。這個革命性的新產(chǎn)品系列，立足于英飛凌在SiC技術(shù)開發(fā)以及高質(zhì)量、大批量生產(chǎn)方面十多年的豐富經(jīng)驗。
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  SiC  JFET  

IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列，適合包括無刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： IR  MOSFET  
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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