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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

  • 碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件，具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢(shì)，在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛，具有巨大的研究價(jià)值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進(jìn)展，總結(jié)了進(jìn)一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu)，介紹了針對(duì)高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀，對(duì)高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進(jìn)入高壓、特高壓領(lǐng)域，高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
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東芝推出采用新型高散熱封裝的車載40V N溝道功率MOSFET,支持車載設(shè)備對(duì)更大電流的需求

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布推出采用新型L-TOGL?（大型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝的車載40V N溝道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。這兩款MOSFET具有高額定漏極電流和低導(dǎo)通電阻。產(chǎn)品于今日開始出貨。近年來，隨著社會(huì)對(duì)電動(dòng)汽車需求的增長，產(chǎn)業(yè)對(duì)能滿足車載設(shè)備更大功耗的元器件的需求也在增加。這兩款新品采用了東芝的新型L-TOGL?封裝，支持大電流、低導(dǎo)通電阻和高散熱。上述產(chǎn)品未采用內(nèi)部接線柱[1]結(jié)構(gòu)，通過引入一個(gè)銅夾片將源極連接件和外
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Wolfspeed與采埃孚建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同發(fā)展未來碳化硅半導(dǎo)體項(xiàng)目

  • ●? ?Wolfspeed 將與采埃孚在德國建立聯(lián)合研發(fā)中心，旨在進(jìn)一步提升在全球碳化硅系統(tǒng)和器件創(chuàng)新領(lǐng)域的領(lǐng)先地位?！? ?采埃孚將向 Wolfspeed 投資，以支持全球最先進(jìn)、最大的碳化硅器件工廠的建設(shè)。全球碳化硅（SiC）技術(shù)引領(lǐng)者 Wolfspeed, Inc.和與致力于打造下一代出行的全球性技術(shù)公司采埃孚集團(tuán)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。這其中包括建立一座聯(lián)合創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室，共同推動(dòng)碳化硅系統(tǒng)和器件技術(shù)在出行、工業(yè)和能源應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)步。此次合作還包括采埃孚將向
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功率器件：新能源產(chǎn)業(yè)的“芯”臟

  • 功率半導(dǎo)體器件，也稱為電力電子器件，主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件。逆變（直流轉(zhuǎn)換成交流）、整流（交流轉(zhuǎn)換成直流）、斬波（直流升降壓）、變頻（交流之間轉(zhuǎn)換）是基本的電能轉(zhuǎn)換方式。MOSFET 和 IGBT 是主流的功率分立器件。一 新能源汽車是功率器件增量需求主要來源01 下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，新能源汽車為主作為電能轉(zhuǎn)化和電路控制的核心器件，功率器件下游應(yīng)用十分廣泛，包括新能源（風(fēng)電、光伏、儲(chǔ)能和電動(dòng)汽車）、消費(fèi)電子、智能電網(wǎng)、軌道交通等，根據(jù)每個(gè)細(xì)分領(lǐng)域性能要求
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Wolfspeed 宣布計(jì)劃在德國薩爾州建造全球最大、最先進(jìn)的碳化硅器件制造工廠

  • ?·??????? 將成為全球最大的200mm 半導(dǎo)體工廠，采用創(chuàng)新性制造工藝來生產(chǎn)下一代碳化硅器件?！??????? 擴(kuò)展至歐洲的碳化硅器件制造布局，將支持不斷加速中的客戶需求，同時(shí)也將支持公司在 2027 財(cái)年達(dá)成 40 億美元的長期營收展望?！??????? 將成為公司先前宣布的 6
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特斯拉 Model3 搭載 SiC，寬禁帶半導(dǎo)體迎來爆發(fā)

  • 去年 11 月底，特斯拉 Model 3 新款開售，其產(chǎn)品設(shè)計(jì)和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中，SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用，這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動(dòng)汽車，可提高續(xù)航里程，對(duì)突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸，乃至整個(gè)新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前，業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料，那么寬禁帶半導(dǎo)體當(dāng)前發(fā)展?fàn)顩r如何？國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別？未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)？01、特斯拉 Model 3 首批
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羅姆（ROHM）第4代：技術(shù)回顧

  • 羅姆今年發(fā)布了他們的第4代（Gen4）金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）產(chǎn)品。新系列包括額定電壓為750 V（從650 V提升至750 V）和1200 V的金氧半場(chǎng)效晶體管，以及多個(gè)可用的TO247封裝元件，其汽車級(jí)合格認(rèn)證達(dá)56A/24m?。這一陣容表明羅姆將繼續(xù)瞄準(zhǔn)他們之前取得成功的車載充電器市場(chǎng)。在產(chǎn)品發(fā)布聲明中，羅姆聲稱其第4代產(chǎn)品“通過進(jìn)一步改進(jìn)原有的雙溝槽結(jié)構(gòu)，在不影響短路耐受時(shí)間的情況下，使單位面積導(dǎo)通電阻比傳統(tǒng)產(chǎn)品降低40%?！彼麄冞€表示，“此外，顯著降低寄生電容使得開關(guān)損耗比我們的上一代碳
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Vishay推出的新款對(duì)稱雙通道MOSFET 可大幅節(jié)省系統(tǒng)面積并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  • 美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出兩款新型30 V對(duì)稱雙通道n溝道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，將高邊和低邊TrenchFET? Gen V MOSFET組合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR? 3x3FS單體封裝中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT適用于計(jì)算和通信應(yīng)
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瑞薩電子推出新型柵極驅(qū)動(dòng)IC 用于驅(qū)動(dòng)EV逆變器的IGBT和SiC MOSFET

  • 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）近日宣布，推出一款全新柵極驅(qū)動(dòng)IC——RAJ2930004AGM，用于驅(qū)動(dòng)電動(dòng)汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率器件。柵極驅(qū)動(dòng)IC作為電動(dòng)汽車逆變器的重要組成部分，在逆變器控制MCU，及向逆變器供電的IGBT和SiC MOSFET間提供接口。它們?cè)诘蛪河蚪邮諄碜訫CU的控制信號(hào)，并將這些信號(hào)傳遞至高壓域，快速開啟和關(guān)閉功率器件。為適應(yīng)電動(dòng)車輛電池的更高電壓，RAJ2930004AGM內(nèi)置3.75kV
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安森美與大眾汽車集團(tuán)就下一代電動(dòng)汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議，進(jìn)一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系

  • 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON）宣布與德國大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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重視汽車應(yīng)用市場(chǎng) ST持續(xù)加速碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

  • 意法半導(dǎo)體（ST）是一家擁有非常廣泛產(chǎn)品組合的半導(dǎo)體公司，尤其汽車更是ST非常重視的市場(chǎng)之一。 意法半導(dǎo)體車用和離散組件產(chǎn)品部策略業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Luca SARICA指出，2022年車用和離散組件產(chǎn)品部（ADG）占了ST總營收的30%以上。ST在2021年的營收達(dá)到43.5億美元，而若與2022年相比，車用產(chǎn)品部門與功率和離散組件部門的營收增幅都相當(dāng)顯著，達(dá)30%以上。車用和離散組件產(chǎn)品部擁有意法半導(dǎo)體大部分的車用產(chǎn)品，非常全面性的產(chǎn)品組合能夠支持汽車的所有應(yīng)用。 圖一 : ADG營運(yùn)策略ADG
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英飛凌與Resonac于碳化硅材料領(lǐng)域展開多年期供應(yīng)及合作協(xié)議

  • 英飛凌科技與其碳化硅 (SiC) 供貨商擴(kuò)展合作關(guān)系，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應(yīng)及合作協(xié)議，以補(bǔ)充并擴(kuò)展雙方在 2021年的協(xié)議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據(jù)合約內(nèi)容，Resonac將供應(yīng)英飛凌未來10年預(yù)估需求量中雙位數(shù)份額的SiC半導(dǎo)體。 英飛凌工業(yè)電源控制事業(yè)部總裁 Peter WawerResonac將先供應(yīng)6吋的SiC晶圓，并將于合約期間支持過渡至 8 吋晶圓，英飛凌亦將提供 Resonac 關(guān)于 SiC 材料技術(shù)的智財(cái) (IP)。雙
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碳化硅MOSFET尖峰的抑制

  • SiC MOSFET 作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體具有擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)，在各種各樣的電源應(yīng)用范圍在迅速地?cái)U(kuò)大。其中一個(gè)主要原因是與以前的功率半導(dǎo)體相比，SiC MOSFET 使得高速開關(guān)動(dòng)作成為可能。但是，由于開關(guān)的時(shí)候電壓和電流的急劇變化，器件的封裝電感和周邊電路的布線電感影響變得無法忽視，導(dǎo)致漏極源極之間會(huì)有很大的電壓尖峰。這個(gè)尖峰不可以超過使用的MOSFET 的最大規(guī)格，那就必須抑制尖峰。MOS_DS電壓尖峰產(chǎn)生的原因在半橋電路中，針對(duì)MOS漏極和源極產(chǎn)生的尖峰抑制
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安森美的EliteSiC碳化硅系列方案帶來領(lǐng)先業(yè)界的高能效

  • 2023年1月4日 — 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布將其碳化硅(SiC)系列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費(fèi)電子展覽會(huì)(CES)上，安森美將展示EliteSiC 系列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供可靠、高能效的性能，并突顯安森美在工業(yè)碳化硅方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。安森美的1700 V EliteSiC M
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庫存去化緩 MOSFET上半年市況嚴(yán)峻

  • PC、消費(fèi)性市況在2022年第四季需求持續(xù)疲弱，且今年第一季客戶端仍舊處于保守態(tài)度，使得MOSFET庫存去化速度將比原先預(yù)期更加緩慢，供應(yīng)鏈預(yù)期，最差情況可能要延續(xù)到今年第三季才可能逐步結(jié)束庫存去化階段。法人預(yù)期，尼克松（3317）、杰力（5299）、大中（6435）及富鼎（8261）等MOSFET廠營運(yùn)可能將維持平淡到今年中。PC、消費(fèi)性市況在歷經(jīng)2022年下半年的景氣寒冬，且直到2022年底前都未能有效去化，使得MOSFET市場(chǎng)庫存去化速度緩慢。供應(yīng)鏈指出，先前晶圓代工產(chǎn)能吃緊，客戶端重復(fù)下單情況在2
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碳化硅(sic)mosfet介紹

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