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界面陷阱檢測(cè)
界面陷阱檢測(cè) 文章 最新資訊
SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè)升級(jí)：Force-I QSCV 方法詳解
- 電容-電壓 (C-V) 測(cè)量廣泛用于半導(dǎo)體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)基于 SMU 施加電壓并測(cè)量電流的準(zhǔn)靜態(tài)方法適用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因電容更大易導(dǎo)致結(jié)果不穩(wěn)定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技術(shù)，通過施加電流并測(cè)量電壓與時(shí)間來(lái)推導(dǎo)電容，獲得更穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)。Force-I QSCV 技術(shù)在 SiC 功率 MOS 器件上體現(xiàn)出多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)。比如僅需 1 臺(tái)帶前
- 關(guān)鍵字： SiC MOSFET 界面陷阱檢測(cè) QSCV 泰克
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界面陷阱檢測(cè)介紹
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