電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序文章最新資訊

熱插拔的原理、特性與應(yīng)用

隨著人類(lèi)生活對(duì)現(xiàn)代通信技術(shù)的依賴(lài)程度越來(lái)越高，人們對(duì)電源系統(tǒng)的可靠性也提出了越來(lái)越嚴(yán)苛的要求，工作系統(tǒng)短暫的中斷，也會(huì)給我們?cè)斐蔁o(wú)法估量的損失。若系統(tǒng)部件發(fā)生了故障或是需要升級(jí)，它必須在不中斷系統(tǒng)其余部分的情況下進(jìn)行替換，在系統(tǒng)維持運(yùn)轉(zhuǎn)的情況下，發(fā)生故障的電路板或模塊將被移除，同時(shí)替換部件被插入。為了達(dá)到這一目的，就必須將電源設(shè)備設(shè)計(jì)成具有可在帶電狀態(tài)下插入和拔出，同時(shí)不影響設(shè)備其他部分正常工作的特性，也就是我們常說(shuō)的“熱插拔” 特性。熱插拔熱插拔(HotSwap、HotPlug)即帶電插拔，是允許用戶(hù)在
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如何準(zhǔn)確監(jiān)測(cè)兩個(gè)不同量程的負(fù)載電流？

當(dāng)存儲(chǔ)、處理或網(wǎng)絡(luò)接口卡用于高可用性(始終保持工作狀態(tài))系統(tǒng)時(shí)，必須采用熱插拔控制器。負(fù)載卡插入系統(tǒng)或從系統(tǒng)拔出時(shí)，這種熱插拔電路控制其電源的打開(kāi)和關(guān)閉。它還防止系統(tǒng)在板卡故障條件下發(fā)生過(guò)流。一些更先進(jìn)的熱插拔控制器還具有負(fù)載電壓、電流監(jiān)測(cè)功能，可用于計(jì)算負(fù)載功率。這種信息對(duì)于優(yōu)化效率、制冷及分配有限的電源輸出非常有用。隨著板卡設(shè)計(jì)規(guī)模越來(lái)越大、系統(tǒng)越來(lái)越復(fù)雜，把輸入與板卡之間的功率劃分為兩級(jí)或多級(jí)“域”有助于系統(tǒng)監(jiān)測(cè)，其中一個(gè)“域”作為輔助電源監(jiān)測(cè)，功率要求比較??；另一個(gè)“域”則為板卡的主電源供電。這種
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如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器

在工業(yè)電子設(shè)備中，過(guò)壓保護(hù)是確保設(shè)備可靠運(yùn)行的重要環(huán)節(jié)。本文將探討如何使用開(kāi)關(guān)浪涌抑制器替代傳統(tǒng)的線性浪涌抑制器，以應(yīng)對(duì)長(zhǎng)時(shí)間的過(guò)壓情況。與傳統(tǒng)線性浪涌抑制器不同，開(kāi)關(guān)浪涌抑制器能夠在持續(xù)浪涌的情況下保持負(fù)載正常運(yùn)行，而傳統(tǒng)線性浪涌抑制器則需要在電源路徑中的 MOSFET 散熱超過(guò)其處理能力時(shí)切斷電流?？煽康墓I(yè)電子設(shè)備通常配備保護(hù)電路，以防止電源線路出現(xiàn)過(guò)壓，從而保護(hù)電子設(shè)備免受損壞。過(guò)壓現(xiàn)象可能在電源線路負(fù)載快速變化時(shí)發(fā)生，線路中的寄生電感可能導(dǎo)致高電壓尖峰。這個(gè)問(wèn)題可通過(guò)輸入保護(hù)電路來(lái)解決，比如圖
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英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

為了滿(mǎn)足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的?RDS(on)?。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)溝槽?MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面?MOSFET?的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過(guò)限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on
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電路設(shè)計(jì)要考慮的異常情況

電路設(shè)計(jì)要考慮的異常情況：電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序一、異常情況的思考異常情況的思考1、電流倒灌集成電路的典型模型如下：1、 D1在大多數(shù)CMOS集成電路中起著防靜電功能.同時(shí)輔助起著輸入端限幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT類(lèi)集成電路中無(wú)此二極管。2、D2是半導(dǎo)體集成所產(chǎn)生的寄生二極管(存在于所有數(shù)字集成電路),其輔助功能為對(duì)線路反射的下沖信號(hào)進(jìn)行限幅，提供一些放電保護(hù)功能。3、D3用于保護(hù)CMOS電路在放電時(shí)的干擾。在大多數(shù)雙極性器件中也存在此二極管，但為寄生
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過(guò)流過(guò)壓過(guò)溫保護(hù)設(shè)計(jì)

一、過(guò)流保護(hù)我們知道電路板損壞的重要現(xiàn)場(chǎng)之一就是過(guò)流導(dǎo)致器件燒毀，有的甚至起火冒煙引發(fā)事故。因此必須要進(jìn)行功率保護(hù)設(shè)計(jì)，如常用的保險(xiǎn)絲或者熱敏電阻就屬于其中簡(jiǎn)單的一種，但是這種保護(hù)屬于粗略保護(hù)，如果需要針對(duì)性的進(jìn)行電流檢測(cè)保護(hù)還是需要設(shè)計(jì)電路結(jié)構(gòu)。利用采樣電阻是我們常用的設(shè)計(jì)方式，通過(guò)采樣電阻進(jìn)行電流檢測(cè)然后輸出控制信號(hào)?，F(xiàn)在也有很多集成的IC專(zhuān)門(mén)來(lái)進(jìn)行高低邊電流檢測(cè)的，如LT6100等。過(guò)流保護(hù)主要在于電流檢測(cè)上，下面是利用電流鏡的方式采樣，IC內(nèi)部設(shè)計(jì)采用此方式進(jìn)行偏置電流設(shè)置，因?yàn)榫w管的電流是和溝
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過(guò)流保護(hù)的電路方案——限制的電流1A是怎么來(lái)的？

工程師在開(kāi)發(fā)一些電子項(xiàng)目，不知道是否遇到過(guò)類(lèi)似這樣的問(wèn)題——設(shè)計(jì)的PCBA電路板，內(nèi)部有5V電源電路，除了給各個(gè)功能電路供電之外，比如MCU單片機(jī)供電、PM2.5傳感器供電、喇叭供電，還需要給外部電路供電。5V電源給內(nèi)部電路供電還好處理，但給外部電路供電，就不那么簡(jiǎn)單了，因?yàn)楣こ處熜枰紤]各種不同的情況出現(xiàn)，如外部電路如果短路怎么辦？外部電路，如果電壓超過(guò)了5V怎么辦？還有就是如果外部電路，發(fā)生了異常，內(nèi)部的電路該怎么判斷呢？本文轉(zhuǎn)載自“電路一點(diǎn)通”賬號(hào)，原作者介紹了安森美(onsemi)一款專(zhuān)門(mén)用來(lái)進(jìn)行
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Bourns擴(kuò)展Multifuse? PPTC可復(fù)位保險(xiǎn)絲產(chǎn)品線推出四款60V產(chǎn)品

全新可復(fù)位保險(xiǎn)絲具備廣泛保持電流選項(xiàng)，可于 2920 封裝尺寸中提供更多設(shè)計(jì)選擇2023年12月26日 - 美國(guó)柏恩 Bourns 全球知名電源、保護(hù)和傳感解決方案電子組件領(lǐng)導(dǎo)制造供貨商，擴(kuò)展其 Multifuse? 聚合物 PTC 可復(fù)位保險(xiǎn)絲產(chǎn)品線，全新推出四款 MF-LSMF 系列。Bourns? MF-LSMF 具備 60 VDC 高額定電壓 Vmax 滿(mǎn)足在更大工作電壓應(yīng)用中日益增長(zhǎng)的過(guò)電流保護(hù)需求。全新 Bourns 高額定功率 PPTC 同時(shí)具備 0.3 A 至 1.1
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電機(jī)的過(guò)流保護(hù)元件如何選擇？

一，電機(jī)保護(hù)電路在什么情況下選擇采用電流保險(xiǎn)絲?在電路的保護(hù)應(yīng)用中，當(dāng)發(fā)生單一故障失效，或是并聯(lián)器件發(fā)生的短路情況下，讓保險(xiǎn)絲的及時(shí)動(dòng)作斷開(kāi)，保護(hù)人身安全，保護(hù)高價(jià)重要的元器件是一種十分必要的選擇。二，電機(jī)保護(hù)線路對(duì)保險(xiǎn)絲的技術(shù)參數(shù)要求① FUSE的額定電壓要求大于線路電壓保險(xiǎn)絲根據(jù)線路的電流I的大小會(huì)工作在三種工作狀態(tài)下：即正常工作區(qū)域，工作盲區(qū)和熔斷保護(hù)區(qū)域，當(dāng)I值小于1倍保險(xiǎn)絲額定電流值In，則保險(xiǎn)絲是要求不能斷的，我們稱(chēng)之為正常工作區(qū);而1x In<I<2x ln時(shí)，則視為盲區(qū)，保險(xiǎn)絲
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NPC2三電平拓?fù)錂M管過(guò)壓保護(hù)開(kāi)關(guān)邏輯

NPC2三電平拓?fù)湟驗(yàn)槠湫矢撸C波含量低，在光伏逆變器設(shè)計(jì)中應(yīng)用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個(gè)開(kāi)關(guān)管構(gòu)成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。在市電異常或者逆變器系統(tǒng)故障時(shí)，逆變器是否需要特殊的開(kāi)關(guān)邏輯，對(duì)NPC2拓?fù)渲械臋M管進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)呢？我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5，豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。當(dāng)市電異常時(shí)，逆變器啟動(dòng)保護(hù)機(jī)制，如下圖，從波形上看，T1與T2同時(shí)開(kāi)始關(guān)斷，但因?yàn)镠5芯片開(kāi)關(guān)
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MIKROE推出新開(kāi)源軟硬件解決方案使數(shù)百個(gè)Click板能夠熱插拔到Linux開(kāi)發(fā)環(huán)境中

2023年11月16日: MikroElektronika(MIKROE) ，作為一家通過(guò)提供基于成熟標(biāo)準(zhǔn)的創(chuàng)新式硬軟件產(chǎn)品來(lái)大幅縮短開(kāi)發(fā)時(shí)間的嵌入式解決方案公司，今天宣布推出一款基于單線設(shè)備的軟硬件開(kāi)源解決方案ClickID，允許Click?板或任何其他mikroBUS?熱插拔到運(yùn)行嵌入式Linux或類(lèi)似操作系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)環(huán)境中。 ClickID為嵌入式工具提升了自動(dòng)化和自診斷水平。當(dāng)在嵌入式系統(tǒng)上集成了Click板后，它允許軟件識(shí)別附加板外圍設(shè)備配置，使復(fù)雜的操作變得簡(jiǎn)單
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了解熱插拔：熱插拔電路設(shè)計(jì)過(guò)程示例

高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列（RAID）存儲(chǔ)和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計(jì)為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機(jī)時(shí)間。如果此類(lèi)系統(tǒng)的某個(gè)組件出現(xiàn)故障或需要更新，則必須在不中斷系統(tǒng)其余部分的情況下更換該組件。在系統(tǒng)保持正常運(yùn)行的同時(shí)，必須卸下電路板或模塊并插入其替換件。此過(guò)程稱(chēng)為熱插拔，或在某些情況下稱(chēng)為熱插拔（模塊與系統(tǒng)軟件交互）。高可用性系統(tǒng)（如服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、獨(dú)立磁盤(pán)冗余陣列（RAID）存儲(chǔ)和其他形式的通信基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)）需要設(shè)計(jì)為在其整個(gè)使用壽命期間幾乎為零停機(jī)時(shí)間。如
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輸出過(guò)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思路

介紹了五種輸出過(guò)壓保護(hù)電路的設(shè)計(jì)思路，并根據(jù)每種方案的優(yōu)缺點(diǎn)，分析如何在實(shí)際應(yīng)用中選擇最合適的輸出過(guò)壓保護(hù)電路。
關(guān)鍵字： 202304 過(guò)壓保護(hù) 電源可靠性電路對(duì)比

Vishay推出新型具備可調(diào)電流極限和過(guò)壓保護(hù)(OVP)的,在2.8V至23V工作的電子保險(xiǎn)絲

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出四款小型3 mm x 3 mm TDFN封裝，具有可調(diào)電流極限和過(guò)壓保護(hù)（OVP）功能的新型電子保險(xiǎn)絲---SiP32433A/B和SiP32434A/B。3.5 A SiP32433A/B和6 A SiP32434A/B在2.8 V至23 V輸入電壓范圍內(nèi)工作——最高達(dá)28 VIN?DC ——集成多種控制和保護(hù)功能，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，減少所需外部組件。日前發(fā)布的Vishay Siliconix單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)輸入電壓范圍寬，可用于廣
關(guān)鍵字： Vishay 過(guò)壓保護(hù) OVP 電子保險(xiǎn)絲

過(guò)壓保護(hù):TDK推出具有超低電容和鉗位電壓的超小型TVS二極管

TDK株式會(huì)社推出具有超低電容和鉗位電壓的ULC 系列TVS（瞬態(tài)電壓抑制）二極管，擴(kuò)展了其用于雙向過(guò)壓保護(hù)的 TVS二極管的產(chǎn)品組合。憑借二極管的超低電容值的特點(diǎn)，新推出的SD01005SL-ULC101 (B74111U0033M060) 型和SD0201SL-ULC101 (B74121U0033M060) 型在1 MHz 時(shí)的最小電容分別為 ~0.5 pF和 ~0.6 pF。新ULC系列的特點(diǎn)是超低殘壓的防護(hù)性能。啟動(dòng)電壓6.3V的產(chǎn)品，在峰值電流8A的條件下，殘壓水平～3.8V；峰值電流16A，
關(guān)鍵字：過(guò)壓保護(hù) TDK TVS二極管

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電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序介紹

您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序!
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