電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序文章最新資訊

美信內(nèi)置nFET的過(guò)壓保護(hù)控制器OVP達(dá)+28V

MaximIntegratedProducts(美信)推出內(nèi)置nFET過(guò)壓保護(hù)(OVP)控制器MAX4943-MAX4946/MAX4949。該系列器件可提供高達(dá)+28V的OVP。 MAX4943-MAX4946/MAX4949具有4.56V至8.9V的過(guò)壓門限以及2.45V至4.15V的欠壓門限。器件集成的nFET開關(guān)，采用2mm
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 美信過(guò)壓保護(hù) 工業(yè)控制模擬IC 電源

直流電路的過(guò)流保護(hù)法

采用普通熔絲的保護(hù)電路，其過(guò)電流反應(yīng)是較遲鈍的，因而不能作為靈敏的保護(hù)裝置。電子保護(hù)電路具有高速斷流、恢復(fù)容易的特點(diǎn)，可應(yīng)用于任何直流電路中作過(guò)流保護(hù)裝置。　　電子保護(hù)電路如附圖所示。當(dāng)微動(dòng)開關(guān)Ｋ接通時(shí)，單向晶閘管ＳＣＲ導(dǎo)通，直流電路也導(dǎo)通。當(dāng)用電量增大到超過(guò)規(guī)定的允許值時(shí)，檢測(cè)電阻Ｒ１上的電壓大于０．７Ｖ時(shí)，晶體管ＢＧ導(dǎo)通，此時(shí)晶體管集電極Ｃ和基極ｂ間的電壓下降到低于３ＣＴ的維持電壓，３ＣＴ關(guān)斷，切斷供電電路?！　≡x擇：當(dāng)電路兩端電壓≤１００Ｖ時(shí)，ＢＧ
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過(guò)流保護(hù)在可控硅整流裝置中的應(yīng)用

前言可控硅整流裝置不論在電力系統(tǒng)還是在現(xiàn)代工業(yè)的各行各業(yè)中已得到廣泛應(yīng)用。如冶金行業(yè)中，應(yīng)用于金屬冶煉；化工行業(yè)中，應(yīng)用于電解、電鍍；在電力系統(tǒng)中，既可作為系統(tǒng)控制、保護(hù)的工作電源，同是又可作為蓄電池的充電裝置?？煽毓枵餮b置要安全運(yùn)行，必須有可靠的保護(hù)措施。在整流裝置過(guò)載或者輸出短路時(shí)，保護(hù)措施能起到安全保護(hù)作用，使裝置不受損壞。我們把這種保護(hù)功能，歸結(jié)為限流保護(hù)和過(guò)流保護(hù)。這兩種保護(hù)是否可靠，直接影響產(chǎn)品的質(zhì)量，代表著產(chǎn)品的水平。 1 可控硅整流裝置的控制原理 1.1可控硅整
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熱插拔可靠性的新標(biāo)準(zhǔn)

　　大多數(shù)熱插拔系統(tǒng)都有一些內(nèi)在的故障機(jī)理，一個(gè)是功率FET 的安全工作區(qū)(SOA)問(wèn)題，另一個(gè)是在電流流過(guò)時(shí)拔出器件承受感應(yīng)尖峰(inductive spike)的能力問(wèn)題。本文介紹不采用高額定值的功率器件和短路引腳，而通過(guò)使用一個(gè)集成的熱插拔器件來(lái)解決這兩個(gè)問(wèn)題。　　典型的熱插拔控制器采用稱為斷路器(circuit breaker)的方案來(lái)保護(hù)電路及其FET。該方法使用雙電平限流使器件能在浪涌電流下工作，并在發(fā)生短路時(shí)仍可快速關(guān)斷。在這類電路中，F(xiàn)ET 處于開或關(guān)狀態(tài)。這是一種行之有效的保護(hù)連接電
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高可靠性分散供電板級(jí)解決方案

摘要：本文介紹了一種能夠提供過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、極性保護(hù)、軟啟動(dòng)、EMC以及自斷電功能的高可靠性分散供電板級(jí)解決方案。關(guān)鍵詞：分散供電；過(guò)流保護(hù)；過(guò)壓保護(hù)；極性保護(hù)；軟啟動(dòng)引言在當(dāng)前電信系統(tǒng)中存在分散供電與集中供電兩種解決方案。在分散供電系統(tǒng)中直接給各功能板提供-48V電源，然后由功能板上的DC/DC電源模塊產(chǎn)生本板所需的各種工作電壓。分散供電與集中供電相比具有輸入電壓范圍寬，效率高，功率損耗密度小，節(jié)省板位等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)分散供電要求各功能板必須獨(dú)立提供高可靠性的電源設(shè)計(jì)。電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)圖1 雙
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電流倒灌、熱插拔、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、上電時(shí)序介紹

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