- 從軟磁材料的u~H曲線出發(fā)，研究在磁導率u的測量過程中，測試線圈匝數N對測試結果的影響。闡明N取一定數值時測出磁導率u值為最高的原因。關于測試樣環(huán)上測試磁場H徑向不均勻的影響，用積分法解決。指出環(huán)磁導率與材料
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匝數 磁導率 測試 分析
- 基于復用的SOC測試技術,1 引言90年代國際上出現的SOC概念，以系統(tǒng)為中心、基于IP模塊多層次、高度復用的設計思想受到普遍重視和廣泛應用。SOC的高集成度和復雜度使得SOC測試面臨挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的基于整個電路的測試方法不再適用。對于IP模塊和S
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技術 測試 SOC 復用 基于
- IC，即集成電路是采用半導體制作工藝，在一塊較小的單晶硅片上制作上許多晶體管及電阻器、電容器等元器件，并按照 ...
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IC 測試
- 如今，伴隨著新技術的不斷涌現和各行業(yè)新需求的不斷增加，更多差異化產品投放市場的步伐也在不斷加快，這些產品不但集成了更多功能，而且還必須縮減開發(fā)周期，以便在與同類產品的競爭中獲得優(yōu)勢。與此同時，各企業(yè)也
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軟件 核心 測試 系統(tǒng)設計
- 在可用的測試和測量硬件和軟件范圍內進行選擇，對初次用戶和有經驗的用戶來說，都一樣難辦，這是可以理解的。技術的進步使測量和測試方法的發(fā)展呈指數方式加快，給用戶提供難以想象的強大系統(tǒng)功能。測試和測量設備跨
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測試 測量系統(tǒng) 注意事項
- 在對納米器件進行電流-電壓（I-V）脈沖特征分析時通常需要測量非常小的電壓或電流，因為其中需要分別加載很小的電流或電壓去控制功耗或者減少焦耳熱效應。這里，低電平測量技術不僅對于器件的I-V特征分析而且對于高電
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I-V 納米器件 脈沖 測試
- 目前，市場上有許多可供選擇的分析儀，有些具備非常特殊的專業(yè)用途，有些則提供了較多的通用射頻測量能力；有些被稱為頻譜分析儀，有些則被稱為信號分析儀。這些分析儀都是用來測量和顯示信號頻率與幅度之間的關系的
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發(fā)射器 測試 分析儀
- 一、示波器不可不知的問題 Q1: 在高速串行測試時，對測試所需示波器有什么樣的要求?哪幾個指標是最關鍵的 ...
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測試 測量 示波器
- 一、簡易多波形信號發(fā)生器電路設計 信號發(fā)生器在電子實驗中作為信號源，通常用得多的是正弦波、三角波、 ...
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測試 測量設計
- 1 引言移動互聯網用戶在過去的幾年中高速增長，據統(tǒng)計目前全球范圍內移動寬帶用戶數已經超過了有線寬帶用戶數（540M，480M），權威機構預測這個數字在未來的5年內將會達到1.7B。同時，移動互聯網的業(yè)務流量也呈現了爆
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IxLoad WAP 網關系統(tǒng) 測試
- 前言作為DDR2的繼任者，根據JEDEC標準, 目前DDR3的數據速率跨度從800Mbps開始直至1.6Gbps。在帶給用戶更快性能體驗的同時, DDR3卻能保持較低的功耗，相比DDR2減少約20%。雖然2008年整個DRAM市場低迷，DDR3的出貨量遠
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DDR3 測試 方法
- 現在由于需要支持10G以太網的測試，各個標準正在對儀器需要的精度進行討論，基本只有達到IV精度的儀器才能支持10G以太網的測試?！ 〉?，現在不論是TIA,ISO還是IEEE,都還沒有對IV精度應該達到什么樣的標準最后定
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布線系統(tǒng) 測試
- 復雜 IC 不僅吸引了更多系統(tǒng)，而且還吞食著設計者用于建立、評估與校準芯片的測試設備。要 點芯片設計者正開始在自己的復雜 IC上設計測試與測量儀器。在IC中設計測試儀器的潮流開始于CPU核心與總線的數字調試硬件?，F
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SoC 發(fā)展 測試 測量設備
- 又到六一，大家的目光自然又投向了那些祖國的花朵身上。隨著消費者對于汽車安全的日益重視，對兒童的保護已成為衡量一輛車安全與否的重要因素之一。歐洲的EURONCAP試驗、美國的NHTSA(美國公路交通安全局)和IIHS(美國
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測試 保護 評級
- 隨著微型化程度不斷提高，元件和布線技術也取得巨大發(fā)展，例如BGA外殼封裝的高集成度的微型IC，以及導體之間的絕緣間距縮小到0.5mm，這些僅是其中的兩個例子。電子元件的布線設計方式，對以后制作流程中的測試能否很
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電路設計 測試
測試介紹
中文名稱：
測試
英文名稱：
test
定義1：
對在受控條件下運動的裝備，進行其功能和性能的檢測。
應用學科：
航空科技(一級學科);航空器維修工程(二級學科)
定義2：
用任何一種可能采取的方法進行的直接實際實驗。
應用學科：
通信科技(一級學科);運行、維護與管理(二級學科)
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