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對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法

  • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
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工業(yè)高效多輸出電源設(shè)計(jì)方法簡(jiǎn)介

  • 本文詳細(xì)介紹了如何在典型工業(yè)用24V電源環(huán)境下，借助WEBENCH Power Architect 中的新的電源模塊來(lái)設(shè)計(jì)高效的多輸出電源。該工業(yè)用24V電源在第一階段中將電源轉(zhuǎn)換為中間電壓軌，最后轉(zhuǎn)換為典型負(fù)載點(diǎn)電壓和負(fù)載點(diǎn)電流
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iSCSI SAN系統(tǒng)保護(hù)的五種解決方法

  • iSCSI SAN系統(tǒng)保護(hù)的五種解決方法,如何才能將網(wǎng)絡(luò)黑客阻擋在iSCSI SAN系統(tǒng)的大門(mén)之外?本文中將會(huì)推薦5種解決辦法。提醒讀者注意的是，這些辦法雖然都能起到維護(hù)IP SAN系統(tǒng)安全的作用，但各自都存在一定的優(yōu)缺點(diǎn)。建議用戶在實(shí)施時(shí)仔細(xì)斟酌，只要使用得
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多核處理器架構(gòu)及調(diào)試方法介紹

  • 多核處理器架構(gòu)及調(diào)試方法介紹,認(rèn)識(shí)多核基本架構(gòu)　　多核處理器在同一個(gè)芯片中植入了多個(gè)處理器引擎，這就可以提供更高的CPU性能、功能特性和分區(qū)能力。一般說(shuō)來(lái)，多核有兩種實(shí)現(xiàn)形式。　　第一，SMP( Symmetric multiprocessing，對(duì)稱多處理)。在
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選擇ESD保護(hù)元件的方法

  • 選擇ESD保護(hù)元件的方法,本文將分析系統(tǒng)設(shè)計(jì)師可以采用的一些保護(hù)產(chǎn)品類型，并比較它們的特性。為了確保系統(tǒng)在遭受ESD事件時(shí)的魯棒性，必須按照IEC 61000-4-2等標(biāo)準(zhǔn)來(lái)測(cè)試這些產(chǎn)品。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用多種方法來(lái)確保產(chǎn)品符合主流的ESD標(biāo)準(zhǔn)，包括
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PXI和LXI實(shí)現(xiàn)通信測(cè)試自動(dòng)化的方法

  • 要點(diǎn)　　- 儀器與控制器通信以及彼此間通信的能力可追溯到上世紀(jì)60年代末，當(dāng)時(shí)HP公司發(fā)明了HP接口總線(HP-IB)，被制定為IEEE-488標(biāo)準(zhǔn)，并起了一個(gè)名字——通用接口總線(GPIB)?！　? PXI標(biāo)準(zhǔn)和LXI標(biāo)準(zhǔn)正在
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改善開(kāi)關(guān)電流電路主要誤差的方法

  • 　開(kāi)關(guān)電流技術(shù)是一種新的模擬信號(hào)采樣、保持、處理技術(shù)。它具有電流模電路的特有優(yōu)點(diǎn)，如速度快，適合于低電壓工作等。與傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)電容技術(shù)相比，開(kāi)關(guān)電流技術(shù)不需要線性電容和高性能的運(yùn)算放大器，整個(gè)電路由晶體
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UPS電源的穩(wěn)態(tài)和動(dòng)態(tài)測(cè)試方法

  • UPS電源的測(cè)試一般包括穩(wěn)態(tài)測(cè)試和動(dòng)態(tài)測(cè)試兩類。穩(wěn)態(tài)測(cè)試是在空載、50%額定負(fù)載以及100%額定負(fù)載條件下，測(cè)試輸入、輸出端的各相電壓、線電壓、空載損耗、功率因數(shù)、效率、輸出電壓波形、失真度及輸出電壓的頻率等。
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LED在汽車電子設(shè)計(jì)優(yōu)缺點(diǎn)及解決方法

  • LED是一種高效環(huán)保的新型半導(dǎo)體光源，有其它光源無(wú)法比擬的優(yōu)勢(shì)。在未來(lái)汽車照明應(yīng)用中前景光明。LED 可以用串聯(lián)、并聯(lián)等不同的方式組合成LED 陣列，以滿足汽車照明強(qiáng)度的要求。針對(duì)LED 的發(fā)光特性，重點(diǎn)討論了LED 驅(qū)
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可消除USB數(shù)據(jù)采集模塊潛在危險(xiǎn)的方法

  • USB用于測(cè)試與測(cè)量應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)很多，但是在選擇USB數(shù)據(jù)采集模塊之前，仔細(xì)考慮目標(biāo)應(yīng)用。如果瞬時(shí)電壓或地電位差存在，通過(guò)選擇帶隔離措施的USB數(shù)據(jù)采集模塊可保護(hù)PC并保持信號(hào)數(shù)據(jù)的完整性。本文詳細(xì)分析了使用USB數(shù)
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ＤＳ１９９１的簡(jiǎn)介及其帶密碼保護(hù)存儲(chǔ)器區(qū)的讀寫(xiě)方法分析

  • Ｄallas公司的iButton產(chǎn)品是一系列１－wire總線新型器件。ＤＳ１９９１是一種加密存儲(chǔ)器型信息紐扣，封裝于直徑為１６mm的不銹鋼外殼中，體積小巧，便于攜帶、保存，防塵、防腐蝕，可以在惡劣的應(yīng)用環(huán)境中實(shí)現(xiàn)帶密碼
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展方法介紹

  • 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
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pcb半塞孔方法簡(jiǎn)介

  • 1 前言　　在生產(chǎn)中，有時(shí)會(huì)碰到某些客戶，要求部分孔塞孔，但又不能完全塞飽滿，塞孔的背面阻焊開(kāi)窗，且有深度要求，通俗稱為“半塞孔”。據(jù)了解此類客戶是要在這些孔做測(cè)試，會(huì)把測(cè)試探針打入孔內(nèi)。如果
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Protel轉(zhuǎn)powerPCB的方法

  • 1：進(jìn)到protel打開(kāi)原理圖之后，選擇design－create netlist，然后在彈出的對(duì)話框里選PADS ASCII，然后其余選項(xiàng)默認(rèn)就可以了，然后選確定。這時(shí)會(huì)有兩個(gè)網(wǎng)表，一個(gè)叫***.par（也好像叫什么***.pat，其實(shí)叫什么無(wú)所謂的
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估算衰減時(shí)間的方法簡(jiǎn)介

  • 在電感測(cè)試夾具中，預(yù)期的特征衰減時(shí)間TUR與測(cè)試裝置的開(kāi)路上升時(shí)間T開(kāi)路的比不是很大：這個(gè)低的比值意味著初始的階躍上升完成之前，測(cè)試波形已經(jīng)開(kāi)始衰減。測(cè)量出的輸出波形不是簡(jiǎn)單的指數(shù)形式，面是更復(fù)形。仔細(xì)觀
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方法介紹

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