意法半導(dǎo)體(st) 文章進(jìn)入意法半導(dǎo)體(st)技術(shù)社區(qū)

用于檢測(cè)裸硅圓芯片上少量金屬污染物的互補(bǔ)性測(cè)量技術(shù)

就產(chǎn)品質(zhì)量和生產(chǎn)環(huán)境的清潔度而言，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是一個(gè)要求很高的產(chǎn)業(yè)。金屬污染對(duì)芯片有害，所以應(yīng)避免裸晶圓芯片上有金屬污染。本文的研究目的是交流解決裸硅圓芯片上金屬污染問(wèn)題的經(jīng)驗(yàn)，介紹如何使用互補(bǔ)性測(cè)量方法檢測(cè)裸硅圓芯片上的少量金屬污染物并找出問(wèn)題根源，解釋從多個(gè)不同的檢測(cè)方法中選擇適合方法的難度，以及用壽命測(cè)量技術(shù)檢測(cè)污染物對(duì)熱處理的依賴性。前言本文旨在解決硅襯底上的污染問(wèn)題，將討論三種不同的金屬污染。第一個(gè)是鎳擴(kuò)散，又稱為快速擴(kuò)散物質(zhì)[1]，它是從晶圓片邊緣上的一個(gè)污點(diǎn)開(kāi)始擴(kuò)散的金屬污染。第二個(gè)是鉻污染，
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導(dǎo)入NFC卷標(biāo)功能實(shí)作全球連網(wǎng)香水首見(jiàn)現(xiàn)身

Phantom是全球第一款連網(wǎng)香水，噴頭內(nèi)裝有ST25TV02K近場(chǎng)通信（NFC）標(biāo)簽，讓Paco Rabanne可為顧客提供獨(dú)特功能。運(yùn)作機(jī)制其實(shí)很簡(jiǎn)單：使用者將手機(jī)靠近瓶身，就會(huì)跳出通知并傳送一個(gè)連結(jié)網(wǎng)址。瓶身做成機(jī)器人形狀，有如顧客進(jìn)入香水世界及相關(guān)服務(wù)的門戶。目前Paco Rabanne提供顧客一份播放列表，里面有特定日期或月份的排行榜暢銷歌曲。舉例來(lái)說(shuō)，顧客可以找出歷年來(lái)自己生日時(shí)所有流行曲目。該公司還提供一款機(jī)器人形狀的IG貼紙，為自拍增添天馬行空的創(chuàng)意。Paco Rabanne已在8月時(shí)全球
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適用于電池供電設(shè)備的熱感知高功率高壓板

電池供電馬達(dá)控制方案為設(shè)計(jì)人員帶來(lái)多項(xiàng)挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱效能至今仍十分棘手且耗時(shí)；但現(xiàn)在，應(yīng)用設(shè)計(jì)人員可利用現(xiàn)代化電熱仿真器輕松縮短上市時(shí)間。如今，電池供電馬達(dá)驅(qū)動(dòng)解決方案通?？捎脴O低的工作電壓提供數(shù)百瓦的功率。在此類應(yīng)用中，為確保整個(gè)系統(tǒng)的效能和可靠性，必須正確管理馬達(dá)驅(qū)動(dòng)設(shè)備的電流。事實(shí)上，馬達(dá)電流可能會(huì)超過(guò)數(shù)十安培，導(dǎo)致變流器內(nèi)部耗散功率提升。為變流器組件施加較高的功率將會(huì)導(dǎo)致運(yùn)作溫度升高，效能下降，如果超過(guò)最額定功率，甚至?xí)蝗煌Ｖ惯\(yùn)作。優(yōu)化熱效能同時(shí)縮小大小，是變流器設(shè)計(jì)過(guò)程中的重要一
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ST與Sierra Wireless合作簡(jiǎn)化加速物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)方案部署

意法半導(dǎo)體（ST）與全球領(lǐng)先的物聯(lián)網(wǎng)服務(wù)供貨商Sierra Wireless宣布合作協(xié)議，讓STM32微控制器（MCU）開(kāi)發(fā)社群能夠使用Sierra Wireless彈性的蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案。 STM32 MCU與Sierra Wireless彈性的全球蜂巢式物聯(lián)網(wǎng)聯(lián)機(jī)和邊緣至云端解決方案，簡(jiǎn)化物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備部署。該協(xié)議可協(xié)助開(kāi)發(fā)者解決建立和部署物聯(lián)網(wǎng)解決方案所涉及的各種挑戰(zhàn)，包含裝置設(shè)計(jì)研發(fā)、蜂巢式網(wǎng)絡(luò)安裝和與云端服務(wù)聯(lián)機(jī)，以加速產(chǎn)品上市。意法半導(dǎo)體部門副總裁暨微控制器事業(yè)部總經(jīng)
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ST：以可持續(xù)方式為世界創(chuàng)新技術(shù)

ST以可持續(xù)方式為可持續(xù)世界創(chuàng)造技術(shù)，實(shí)際上，這并不是新鮮事，ST自1987 年成立時(shí)就開(kāi)始這樣做了。這個(gè)理念已深入我們的商業(yè)模式和企業(yè)文化 30余年，ST的創(chuàng)新技術(shù)讓客戶能夠因應(yīng)各種環(huán)境和社會(huì)挑戰(zhàn)。意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX現(xiàn)今，新冠疫情還在世界各處肆虐，為加速推動(dòng)各種可持續(xù)發(fā)展行動(dòng)創(chuàng)造了條件，CTIMES特別訪問(wèn)了意法半導(dǎo)體集團(tuán)副總裁暨可持續(xù)發(fā)展負(fù)責(zé)人Jean-Louis CHAMPSEIX，了解該公司可持續(xù)發(fā)展的策略。Jean-Louis指出，對(duì)
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Rosenberger與ST合作開(kāi)發(fā)獨(dú)特60GHz高速非接觸式連接器

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）和Rosenberger合作，開(kāi)發(fā)非接觸式連接器，用于工業(yè)和醫(yī)療設(shè)備的超可靠近距離點(diǎn)對(duì)點(diǎn)全雙工數(shù)據(jù)交換。 Rosenberger創(chuàng)新的非接觸式連接器 RoProxCon利用意法半導(dǎo)體的60GHz射頻收發(fā)器ST60A2高速傳輸數(shù)據(jù)，不受連接器的移動(dòng)、震動(dòng)、旋轉(zhuǎn)和污物（濕氣和灰塵）之影響，若為傳統(tǒng)的插銷與插座則可能導(dǎo)致聯(lián)機(jī)故障。ST60A2兼具Bluetooth?藍(lán)牙低功耗和高數(shù)據(jù)傳輸速率，打造出不再受線纜羈絆的新型醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用。Rosenberg
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意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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ST和Exagan攜手開(kāi)啟GaN發(fā)展新章節(jié)

氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過(guò)去的十多年里，產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，GaN功率開(kāi)關(guān)組件的黃金時(shí)期即將到來(lái)。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力，這
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意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓

意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）宣布，ST瑞典Norrkoping工廠制造出首批8吋（200mm）碳化硅（SiC）晶圓，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代功率電子芯片產(chǎn)品原型。將SiC晶圓升級(jí)到8吋代表著ST針對(duì)汽車和工業(yè)客戶的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃獲得重要階段性的成功，其鞏固了ST在此一開(kāi)創(chuàng)性技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，且提升了功率電子芯片的輕量化和效能，降低客戶獲取這些產(chǎn)品的擁有總成本。意法半導(dǎo)體制造首批8吋碳化硅晶圓意法半導(dǎo)體首批8吋SiC晶圓質(zhì)量十分優(yōu)良，對(duì)于芯片良率和晶體位錯(cuò)誤之缺陷非常低。其低缺
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為技術(shù)找到核心多元化半導(dǎo)體持續(xù)創(chuàng)新

觀察2021年主導(dǎo)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新技術(shù)趨勢(shì)，可以從新的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)著眼?；旧习雽?dǎo)體技術(shù)可以分為三大類，第一類是獨(dú)立電子、計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)，基礎(chǔ)技術(shù)是CMOS FinFET。在今天，最先進(jìn)的是5奈米生產(chǎn)制程，其中有些是FinFET 架構(gòu)的變體。這是大規(guī)模導(dǎo)入極紫外光刻技術(shù)，逐步取代多重圖形光刻方法。圖一 : 半導(dǎo)體的創(chuàng)新必須能轉(zhuǎn)化為成本可承受的產(chǎn)品。我們知道，目前三星、臺(tái)積電和英特爾等主要廠商與IBM 合作，正在開(kāi)發(fā)下一代3/2奈米，在那里我們會(huì)看到一種新的突破，因?yàn)樗麄冏钣锌赡苻D(zhuǎn)向奈米片全環(huán)繞
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ST BCD制程技術(shù)獲頒IEEE里程碑獎(jiǎng) 長(zhǎng)跑35年第十代即將量產(chǎn)

意法半導(dǎo)體（ST）宣布，電機(jī)電子工程師學(xué)會(huì)（Institute of Electrical and Electronics Engineering，IEEE）授予意法半導(dǎo)體IEEE里程碑獎(jiǎng)，表彰ST在超級(jí)整合硅閘半導(dǎo)體制程技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新研發(fā)成果。ST的BCD技術(shù)可以單芯片整合雙極制程高精密模擬晶體管、CMOS制程高性能數(shù)字開(kāi)關(guān)晶體管和高功率DMOS晶體管，滿足高復(fù)雜度、大功率應(yīng)用的需求。多年來(lái)，BCD制程技術(shù)已賦能硬盤驅(qū)動(dòng)器、打印機(jī)和汽車系統(tǒng)等終端應(yīng)用獲得重大技術(shù)發(fā)展。在意法半導(dǎo)體Agrate工廠的實(shí)時(shí)／
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歐時(shí)元件擴(kuò)大與意法半導(dǎo)體的全球特許經(jīng)營(yíng)協(xié)議

為全球工業(yè)客戶及供應(yīng)商提供全方位解決方案的合作伙伴Electrocomponents plc (LSE: ECM)旗下的貿(mào)易品牌歐時(shí)元件（RS Components，簡(jiǎn)稱：RS）已大大擴(kuò)展與世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造公司 -- 意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST）之間所簽供應(yīng)鏈協(xié)議的范圍。至此，兩家公司之間的合作進(jìn)入新的階段，RS將經(jīng)營(yíng)種類更廣泛、數(shù)量更多的ST產(chǎn)品。ST的相關(guān)技術(shù)更新還將定期發(fā)布在屢獲殊榮的DesignSpark在線工程設(shè)計(jì)中心上。ST歐洲、中東和非洲地區(qū)副總裁兼渠
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意法半導(dǎo)體再發(fā)漲價(jià)通知

5月17日，有供應(yīng)鏈爆料，意法半導(dǎo)體(STM)再發(fā)最新漲價(jià)通知，所有產(chǎn)品線從6月1日起開(kāi)始漲價(jià)。這是意法半導(dǎo)體在1月1日漲價(jià)之后的再次調(diào)漲。
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意法半導(dǎo)體發(fā)布面向高性能汽車應(yīng)用的下一代MEMS加速度計(jì)

意法半導(dǎo)體 AIS2IH三軸線性加速度計(jì)為汽車防盜、遠(yuǎn)程信息處理、信息娛樂(lè)、傾斜/側(cè)傾測(cè)量、車輛導(dǎo)航等非安全性汽車應(yīng)用帶來(lái)更高的測(cè)量分辨率、溫度穩(wěn)定性和機(jī)械強(qiáng)度，還為性能要求很高的新興汽車、醫(yī)療和工業(yè)應(yīng)用鋪平了道路。借助意法半導(dǎo)體在MEMS技術(shù)和汽車技術(shù)方面的領(lǐng)先地位，AIS2IH具有市場(chǎng)領(lǐng)先的可靠性，在-40oC至+115oC的寬工作溫度范圍內(nèi)提供高性能的運(yùn)動(dòng)測(cè)量功能。此外，新加速度計(jì)采用超低功耗技術(shù)和緊湊的LGA-12柵格陣列封裝，售價(jià)具有極高的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。新產(chǎn)品有五個(gè)不同的工作模式：一個(gè)高性能模式(
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DC充電站：ST在功率與控制層面所遇到之挑戰(zhàn)

預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)規(guī)模迅速擴(kuò)展，而亞太地區(qū)電動(dòng)汽車銷量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)的成長(zhǎng)。意法半導(dǎo)體（ST）產(chǎn)品可支持此一市場(chǎng)／應(yīng)用。本文介紹主要系統(tǒng)架構(gòu)以及主要適用的ST產(chǎn)品。預(yù)計(jì)到2027年，全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)規(guī)模將從2020年估計(jì)的2,115,000個(gè)成長(zhǎng)至30,758,000個(gè)，復(fù)合年均成長(zhǎng)率高達(dá)46.6%。該報(bào)告的基準(zhǔn)年為2019年，預(yù)測(cè)期為2020年至2027年。[1] 從地理位置來(lái)看，亞太地區(qū)（尤其是中國(guó)）電動(dòng)汽車銷量的迅速成長(zhǎng)推動(dòng)了全球電動(dòng)汽車充電站市場(chǎng)
關(guān)鍵字： DC充電站 ST 功率