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存儲(chǔ)器 文章 最新資訊

MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì)

  • 摘    要:本文提出了一種在MPEG-4 SP級解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì),并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關(guān)鍵詞:SDRAM;MPEG-4;填充 引言圖像處理系統(tǒng)都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲(chǔ)介質(zhì)。SRAM操作簡單,但其昂貴的價(jià)格會(huì)使產(chǎn)品成本上升。相比較而言,SDRAM的控制較RAM復(fù)雜,但具有價(jià)格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn),所以從降低成本的角度出發(fā),本文采用SDRAM實(shí)現(xiàn)MPEG-4 SP(Simple Profile)級解
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基于PCI總線的實(shí)時(shí)DVB碼流接收系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)

  • 摘    要:本文介紹了基于PCI專用芯片PCI9054和CPLD的DVB碼流接收系統(tǒng)的硬件設(shè)計(jì)。該設(shè)計(jì)采用了PCI9054+CPLD的數(shù)字處理方案,并采用一種新的方法更高效地利用雙端口RAM,保證了高速、大容量數(shù)據(jù)流的實(shí)時(shí)處理。關(guān)鍵詞:DVB;PCI;CPLD;雙端口RAM;WDM模式  前言通過PC接收DVB(數(shù)字視頻廣播)碼流已成為一項(xiàng)新的多媒體數(shù)據(jù)接收技術(shù)。因此,設(shè)計(jì)基于PC平臺(tái)的DVB碼流接收卡,是數(shù)字廣播電視發(fā)展的需要。由于DVB傳輸流的平均傳輸速率為6
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基于FPGA的非對稱同步FIFO設(shè)計(jì)

  • 摘    要:本文在分析了非對稱同步FIFO的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及其設(shè)計(jì)難點(diǎn)的基礎(chǔ)上,采用VHDL描述語言,并結(jié)合FPGA,實(shí)現(xiàn)了一種非對稱同步FIFO的設(shè)計(jì)。關(guān)鍵詞:非對稱同步FIFO;VHDL;FPGA;DLL;BlockRAM引言FIFO是一種常用于數(shù)據(jù)緩存的電路器件,可應(yīng)用于包括高速數(shù)據(jù)采集、多處理器接口和通信中的高速緩沖等各種領(lǐng)域。然而在某些應(yīng)用,例如在某數(shù)據(jù)采集和處理系統(tǒng)中,需要通過同步FIFO來連接8位A/D和16位數(shù)據(jù)總線的MCU,但是由于目前同步FIFO器件的輸入與輸
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LSI邏輯 SAS設(shè)計(jì)方案使其在存儲(chǔ)技術(shù)轉(zhuǎn)型中繼續(xù)保持領(lǐng)先地位

  • LSI邏輯公司于2005年1月24日宣布,全球五大服務(wù)器生產(chǎn)商中有四家已成功地選用LSI邏輯的SAS設(shè)計(jì)方案,并準(zhǔn)備推出第一代SAS企業(yè)級平臺(tái),他們將使用LSI邏輯上SAS設(shè)計(jì)方案中的控制器IC、HBA、MegaRAID® 存儲(chǔ)適配器等。SAS設(shè)計(jì)方案的成功將使LSI邏輯繼續(xù)保持其在存儲(chǔ)市場中的領(lǐng)先地位,目前LSI邏輯已開始批量供應(yīng)其4端口、8端口SAS 控制器IC和SASx12擴(kuò)展器。 這些設(shè)計(jì)方案的成功進(jìn)一步印證了LSI邏輯存儲(chǔ)技術(shù)的領(lǐng)先地位、率先向市場(first-to-marke
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瑞薩科技的superAND閃存存儲(chǔ)器驅(qū)動(dòng)器軟件與Symbian操作系統(tǒng)兼容

  • 瑞薩科技加入Symbian同盟技術(shù)計(jì)劃   倫敦和東京,2005年1月19日-今天瑞薩科技公司宣布,瑞薩科技的superAND閃存存儲(chǔ)器使用的驅(qū)動(dòng)器軟件,將包括在Symbian OS™的發(fā)貨中,提供給Symbian 操作系統(tǒng)許可使用商。通過Symbian同盟技術(shù)計(jì)劃,瑞薩科技將為使用Symbian操作系統(tǒng)生產(chǎn)智能電話的手機(jī)生產(chǎn)商提供簡單、低風(fēng)險(xiǎn)的機(jī)制,以評估其電話中使用的superAND閃存存儲(chǔ)器。通過授權(quán)許可使用,世界領(lǐng)先的移動(dòng)電話生產(chǎn)商可以使用Symbian OS™。   
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新一代存儲(chǔ)器發(fā)展動(dòng)向

  • 2004年9月A版   在下一代存儲(chǔ)器的開發(fā)中,強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器MRAM(磁膜RAM)、OUM(雙向一致存儲(chǔ)器)是最有力的修補(bǔ)者,多家公司都進(jìn)行產(chǎn)品化。不過各家公司的產(chǎn)品戰(zhàn)略有所不同,其產(chǎn)品或邏輯電路與強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器結(jié)合而成系統(tǒng)LSI,或做成替代EEPROM、內(nèi)存及DRAM的單個(gè)存儲(chǔ)器。   強(qiáng)電介質(zhì)存儲(chǔ)器(FERAM/FRAM)為非易失性存儲(chǔ)器,除了象DRAM及SRAM一樣無需數(shù)據(jù)保持電源外,比起同樣非易失的閃速存儲(chǔ)器及EEPROM來,在寫入時(shí)間、寫入電壓、耐改寫性(寫入次數(shù))、數(shù)據(jù)保存時(shí)間方面也十分
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瑞薩科技發(fā)布H8S/2189F微控制器,具有業(yè)界首個(gè)軟件IP保護(hù)功能

  •   日前瑞薩科技公司宣布推出H8S/2189F 16位片上閃存存儲(chǔ)器微控制器,可以提供業(yè)界首個(gè)軟件IP(知識產(chǎn)權(quán))保護(hù)。在2005年1月7日,將從日本開始樣品發(fā)貨。   H8S/2189F包括完整的標(biāo)準(zhǔn)片上外設(shè)功能,通過安裝網(wǎng)絡(luò)、圖像處理或其它專用軟件IP,這些外設(shè)功能可以用在很多領(lǐng)域。   H8S/2189F的特性總結(jié)如下。   (1)   軟件IP保護(hù)功能,可以防止非法讀出。   片上閃存存儲(chǔ)器中有64K字節(jié)的區(qū)域用于軟件IP安裝。實(shí)現(xiàn)對此區(qū)域的保護(hù)可以防止外部對它的訪問,
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日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)新推出存儲(chǔ)解決方案及合作形式

  •   日立集團(tuán)(NYSE:HIT)全資子公司日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)有限公司(HDS)發(fā)布拓展全球中小型企業(yè)市場的重要舉措,即推出專為渠道優(yōu)化的、構(gòu)建在最新日立 Thunder 9520VTM 工作組模塊存儲(chǔ)系統(tǒng)之上的 SAN 整合與數(shù)據(jù)備份的解決方案。這些解決方案將主要面向微軟 Windows 2003 服務(wù)器平臺(tái)市場,是日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)推出的首款渠道專用的解決方案。日立數(shù)據(jù)系統(tǒng)將通過日立 TrueNorthTM 全球渠道合作伙伴進(jìn)行銷售,其中包括亞洲的聯(lián)想和宏基、美洲的 Gateway 等電腦巨頭,以及歐洲的 MAXD
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意法半導(dǎo)體推出性能卓絕的64兆位代碼存儲(chǔ)閃存

  • 意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)推出了一款64兆位的串行代碼存儲(chǔ)閃存,這個(gè)器件是世界上速度最快的64兆位串口閃存,數(shù)據(jù)傳輸時(shí)鐘頻率達(dá)被提高到50MHz,數(shù)據(jù)讀取吞吐量高達(dá)50兆位每秒,簡單的四線SPI串行外設(shè)接口大大簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),減少了封裝的引腳數(shù)量,深節(jié)能模式(power-down)僅消耗1微安電流,從而大幅度降低了系統(tǒng)功耗。M25P64是STM25P閃存產(chǎn)品家族中最新的密度最大的產(chǎn)品,特別適用于一體化打印機(jī)、PC主板、機(jī)頂盒、CD唱機(jī)和DVD視盤機(jī)、數(shù)字電視、數(shù)碼相機(jī)、圖形卡和平面顯示器等各種應(yīng)
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ST推出性能卓絕的64兆位代碼存儲(chǔ)閃存

  •   意法半導(dǎo)體近日推出了一款64兆位的串行代碼存儲(chǔ)閃存,這個(gè)器件是世界上速度最快的64兆位串口閃存,數(shù)據(jù)傳輸時(shí)鐘頻率達(dá)被提高到50MHz,數(shù)據(jù)讀取吞吐量高達(dá)50兆位每秒,簡單的四線SPI串行外設(shè)接口大大簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì),減少了封裝的引腳數(shù)量,深節(jié)能模式(power-down)僅消耗1微安電流,從而大幅度降低了系統(tǒng)功耗。   M25P64是STM25P閃存產(chǎn)品家族中最新的密度最大的產(chǎn)品,特別適用于一體化打印機(jī)、PC主板、機(jī)頂盒、CD唱機(jī)和DVD視盤機(jī)、數(shù)字電視、數(shù)碼相機(jī)、圖形卡和平面顯示器等各種應(yīng)用的代碼存
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未來的非易失存儲(chǔ)器(NVM)探索

  • 2004年8月A版 6月22日,全球部分主要電子媒體聚集到英飛凌(Infineon)科技公司的存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地—德國德累斯頓市,聆聽了存儲(chǔ)器產(chǎn)品事業(yè)部首席技術(shù)官(CTO)W. Beinvogl博士的講演,了解了這家世界主要的存儲(chǔ)器公司在非易失存儲(chǔ)器(NVM)方面所取得的一些研究成果。 盡管DRAM、Flash(閃存)等存儲(chǔ)器發(fā)展如日中天,但世界存儲(chǔ)器市場的主要供應(yīng)商—英飛凌早已意識到現(xiàn)有的存儲(chǔ)器都有一定的技術(shù)局限,因此為了滿足未來更高性能、更低成本需求,需要?jiǎng)?chuàng)新性地開發(fā)一些新技術(shù)/產(chǎn)品(圖1)。
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存儲(chǔ)器及閃存的市場格局

  • 2004年8月A版   存儲(chǔ)器與處理器、邏輯電路并稱為IC的三大主流器件。存儲(chǔ)器可分為易失與非易失兩類,在市場上現(xiàn)存的存儲(chǔ)器歸類如圖1所示。 市場調(diào)查公司Gartner 2003年的研究認(rèn)為,2003年整個(gè)存儲(chǔ)器的市場規(guī)模為334億美元左右,各種存儲(chǔ)器的市場份額如圖2所示,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的增長勢頭如圖3所示??梢姰?dāng)今DRAM、NOR閃存和NAND閃存的市場及前景最吸引業(yè)界的眼光。 當(dāng)前SoC中也集成了存儲(chǔ)器,并且有容量越來越大的趨勢。實(shí)際上,單片的存儲(chǔ)器器件與SoC中的存儲(chǔ)器各有千秋,其
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存儲(chǔ)器類型綜述及DDR接口設(shè)計(jì)的實(shí)現(xiàn)

  • 電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師很少考慮他們下一個(gè)設(shè)計(jì)中元器件的成本,而更關(guān)注它們能夠達(dá)到的最高性能。
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IDT推出最新先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器(AMB) 樣品

  •   IDT公司今天宣布推出最新先進(jìn)存儲(chǔ)器緩沖器(AMB) 樣品,服務(wù)于多種全緩沖雙插線存儲(chǔ)器模塊(FB-DIMM)的生產(chǎn)商。這個(gè)新產(chǎn)品完全兼容JEDEC的AMB標(biāo)準(zhǔn),是下一代高帶寬應(yīng)用產(chǎn)品的必備技術(shù),比如服務(wù)器和工作站,這些設(shè)備都要求更高的性能和大型的存儲(chǔ)容量。   FB-DIMM信道架構(gòu)的一個(gè)關(guān)鍵功能就是在信道中的存儲(chǔ)控制器和模塊之間實(shí)現(xiàn)高速度、串行、點(diǎn)對點(diǎn)的連接。每個(gè)FB-DIMM上的AMB芯片負(fù)責(zé)收集和分配來自DIMM 的數(shù)據(jù),在芯片上進(jìn)行內(nèi)部數(shù)據(jù)緩沖,并將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)發(fā)至下一個(gè)DIMM或者存儲(chǔ)控制器。
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  •   英飛凌科技公司在2004年IEEE(電子和電氣工程師學(xué)會(huì) 2004年12月13~15日于美國舊金山舉行)國際電子器件會(huì)議(IEDM)上,展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù),此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝(DT)單元為基礎(chǔ)。目前全球25%的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中,英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱重大技術(shù)突破,顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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存儲(chǔ)器介紹

什么是存儲(chǔ)器 存儲(chǔ)器(Memory)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲(chǔ)器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲(chǔ)器中最小的存儲(chǔ)單位就是一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個(gè)CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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