存儲器文章最新資訊

硬盤手機逐漸成主流元件市場也將又蘊商機

　　硬盤手機將成主流之時，隨著手機用戶在手機上存儲的信息日益增多，業(yè)者認為硬盤將成為“必需品”。硬盤手機一旦進入“黃金時代”之時，元件市場也將隨之又蘊商機。　　據(jù)悉，數(shù)年來，硬盤廠商一直在為iPod的成功而歡欣鼓舞。iPod以及其它MP3播放機已經(jīng)使得微型硬盤的銷售達到了一個新的高峰。之后手機廠商積極將微型硬盤用于新款手機產(chǎn)品中，業(yè)內(nèi)不斷聽到新的好消息：三星、諾基亞新出品的手機將集成有硬盤。與以前只能在閃存中存儲數(shù)首歌曲的手機不同，這些手機的
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Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應技術

Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇日本京都 (2005年 VLSI 研討會) ， 2005年6月15日 - Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關在正常制造條件下采用標準CMOS體效應技術和45納米設計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導體(NYSE: FSL, FSL.B)、飛利浦(NYSE: PHG, AEX: PH
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Crolles2聯(lián)盟開發(fā)的超高密度SRAM單元

采用45納米低成本低功率普通CMOS體效應技術 Crolles2聯(lián)盟在京都VLSI研討會上宣布的論文，為未來的低成本、低功耗、高密度消費電路采用超小制程尺寸又添新選擇　　日本京都 (2005年 VLSI 研討會) ， 2005年6月15日 – Crolles2聯(lián)盟今天宣讀一篇有關在正常制造條件下采用標準CMOS體效應技術和45納米設計規(guī)則制造面積小于0.25平方微米的六晶體管SRAM位單元的論文*，這個單元尺寸比先前的解決方案縮小了一半。　　Crolles2聯(lián)盟是由飛思卡爾半導體(NYSE: F
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英飛凌推出業(yè)界首款DDR3內(nèi)存模組，推動新一代內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)

全球領先的內(nèi)存產(chǎn)品供應商英飛凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布，該公司已向PC業(yè)界領先開發(fā)商提供了業(yè)界首款DDR3 （雙數(shù)據(jù)速率3 ）內(nèi)存模組。這標志著英飛凌已置身于新一代內(nèi)存產(chǎn)品的開發(fā)前沿，新一代內(nèi)存產(chǎn)品的速度將是現(xiàn)有最高速內(nèi)存產(chǎn)品的兩倍。第一批配備DDR3內(nèi)存的計算機系統(tǒng)有望在2006年年底問世?！癉DR3 是滿足未來移動性、數(shù)字家庭和數(shù)字企業(yè)應用需求的首選技術。在全球范圍內(nèi)率先推出DDR3內(nèi)存模組，這進一步彰顯了英飛凌在內(nèi)存產(chǎn)品與技術創(chuàng)新領域的領先地位，” 英飛凌公司內(nèi)存產(chǎn)品部計算產(chǎn)品總
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Oxford半導體推出用于外部存儲的開創(chuàng)性SATA橋接芯片系列

Oxford半導體公司 (Oxford Semiconductor) 將成為業(yè)界首個橋接芯片公司，為外部存儲器制造商提供全系列的SATA磁盤接口解決方案。在2005年第二季推出的 “92X” 系列產(chǎn)品包括五款新型SATA橋接芯片，擁有多項創(chuàng)新技術，所支持的接口標準包括USB2.0、FireWire400、FireWire800以及首次支持的External SATA。Oxford半導體的SATA橋接芯片將協(xié)助硬盤制造商生產(chǎn)出備有多種接口的外部存儲產(chǎn)品，且能共享通用的軟件和硬件平臺。該產(chǎn)品也是業(yè)界首個提供雙
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三星和現(xiàn)代今年DRAM產(chǎn)量將各減少15%和20%

6月16日消息據(jù)消息來源稱，年底前三星電子和現(xiàn)代半導體公司DRAM初制晶圓(wafer starts)計劃產(chǎn)量將分別下降15%和20%，同時他們將把更多的產(chǎn)能調(diào)整到NAND閃存生產(chǎn)上來。　　消息來源稱，三星自今年初就一直在降低它的DRAM產(chǎn)量，現(xiàn)在預計2005年其DRAM初制晶圓計劃中的產(chǎn)量將降低15%。　　此外，消息來源稱，現(xiàn)代半導體已通知它的客戶，自5月至年底，它的DRAM初制晶圓計劃產(chǎn)量將降低20%，并加大NAND的產(chǎn)能。　　據(jù)市場調(diào)研
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英飛凌已經(jīng)向英特爾提供DDR3內(nèi)存原型芯片

內(nèi)存大廠Infineon已經(jīng)向Intel提供可以工作的DDR3原型芯片，但是對于容量等細節(jié)Infineon守口如瓶。一位Infineon發(fā)言人在本周一表示公司已經(jīng)開始向Intel提供DDR3芯片，但是他沒有透漏內(nèi)存容量，只是說該芯片并不完全滿足JEDEC要求。同時他確認Infineon將在2006年下半年開始大批出樣DDR3。但是全面量產(chǎn)估計要到2006年底。DDR3芯片剛開始出樣時將采用90nm工藝，之
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Ramtron發(fā)布可替代SRAM的1兆位鐵電存儲器

Ramtron國際公司宣布推出1兆位的鐵電存儲器產(chǎn)品 ---- FM20L08。此型號的操作電壓為3-volt、32-pin TSOP (thin small outline plastic) 封裝。FM20L08 是 Ramtron 目前生產(chǎn)的容量最大的鐵電存儲器，可以對其進行無限次的讀寫操作。該型號是專門設計用來替換標準異步靜態(tài)隨機存儲器的 (Standard asynchronous SRAM)。同時，這個型號還特別適用電壓多樣或者電壓會突然丟失的存儲數(shù)據(jù)系統(tǒng)，如機頂盒、汽車遠程信息處理以及工業(yè)應用
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IDC：第一季存儲軟件市場增長EMC繼續(xù)領跑

當?shù)貢r間周一市場調(diào)查公司IDC發(fā)布報告稱，今年第一季度全球存儲軟件市場所有主要的企業(yè)都出現(xiàn)增長，其中Network Appliance和EMC公司分別以61.1%和17.9%的增長幅度高居前2位?！　?nbsp; 　　該機構(gòu)將今年的數(shù)字與去年同期進行比較，整個存儲軟件市場增長14.9%達到21億美元.IDC存儲軟件部門經(jīng)理Rhoda Phillips在聲明中稱，客戶在數(shù)據(jù)保護、存儲資源管理上支出持續(xù)增長，是今年頭一季度呈現(xiàn)積極態(tài)勢的主要原因.與數(shù)據(jù)
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英飛凌執(zhí)行長稱存儲芯片技術追趕三星電子

歐洲最大晶片生產(chǎn)商英飛凌執(zhí)行長齊博特表示，該公司在存儲器芯片技術方面正在追趕行業(yè)領頭羊韓國三星電子，目前較三星僅滯後兩至四個月。　　齊博特補充說，英特爾關于個人電腦市場的正面評述，對于英飛凌來說也是個好消息。　　他在慕尼黑一經(jīng)濟峰會的間隙重申，預計下半年DRAM價格將持穩(wěn)或上升，但英飛凌仍很難實現(xiàn)其當前會計年度錄得營運獲利的目標。當前年度截至9月底。
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三星走出DRAM市場低谷下半年需求有望增長

全球最大記憶體晶片供應商南韓三星電子(Samsung Electronics)副總裁Woosik Chu表示，三星已走出DRAM事業(yè)谷底，在目前DRAM均價穩(wěn)定、下半年需求揚升之際，三星經(jīng)過第二季(Q2)DRAM毛利率落底之后，預期2005年下半DRAM毛利率不會再向下跌。　　財報資料顯示，三星Q1半導體事業(yè)群營運毛利率31%，分析師普遍預期Q2毛利率將受到進一步侵蝕，預期Q3毛利率會有所改善。　　盡管三星對于下半年DRAM市場樂觀以待，但Ch
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三星電子提出反訴　稱Rambus四項專利無效

三星電子針對Rambus的專利權(quán)問題于日前提交了一份反訴，Rambus于本周一曾起訴稱這家韓國的電子巨頭侵犯了它的專利。　　三星的反訴提交到了美國里士滿市的聯(lián)邦法院，該法院曾審理過Rambus和英飛凌科技之間長達五年的關于內(nèi)存片技術方面的專利訟戰(zhàn)。Rambus和英飛凌于今年三月份宣布該案和解。位于加州Los Altos的Rambus擁有內(nèi)存片技術，曾針對許多內(nèi)存片生產(chǎn)商提交了訴訟。但同三星之間最新的訟戰(zhàn)稍稍讓人感到有點驚訝，因為三星一直是Ram
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杰爾系統(tǒng)針對家庭與企業(yè)市場推出全球最快的多媒體存儲芯片

--此款創(chuàng)新型芯片以高出20倍的速度，遙遙領先所有廠商的芯片杰爾系統(tǒng)今日宣布針對家庭與企業(yè)市場，推出全球最快的多媒體與儲存網(wǎng)絡系列芯片。此套具有開創(chuàng)性的媒體服務器芯片，能夠加快多媒體文件在家庭與企業(yè)環(huán)境中的傳輸速度，較其它競爭對手所推出的芯片高出約20倍。此款芯片能以1Gbit/s的速度傳送流媒體內(nèi)容，并且可管理家庭或企業(yè)網(wǎng)絡中數(shù)據(jù)、音樂、圖片及影片等數(shù)字內(nèi)容的讀取與儲存。由于專為各種數(shù)字媒體服務器及網(wǎng)絡連結(jié)儲存方案所設計，此款芯片將揭開數(shù)字家庭的新時代面貌，并滿足中小型企業(yè)快速升級的市場需求。采用該款芯
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富士通推出與 COSMORAM Rev.3 兼容的 128Mbit FCRAM

富士通微電子亞洲公司近期發(fā)布了與COSMORAM Revision 3兼容的、脈沖工作模式的 128Mbit FCRAM樣片，以供移動電話應用。當單獨與1.8V電源電壓一起使用時，新的 128Mbit MB82DBS04314C和MB82DBS08164C模塊可提供高達 108MHz 的脈沖工作頻率，其高速數(shù)據(jù)傳輸與系統(tǒng)時鐘同步工作。這種脈沖工作方式使其具有更快的連續(xù)讀/寫操作功能，從而能夠滿足下一代移動電話存儲器應用的需要。此外，新產(chǎn)品最高待機電流低達300μA，可以用于迅速設置電源開關的切換，例如睡眠
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NEC電子推出基于COSMORAM Rev.3規(guī)范的128M PSRAM

CNEC電子近期推出一款基于COSMORAM Rev.3的PSRAM器件—mPD46128953 PSRAM。該新品采用127引腳的FBGA封裝，容量為128MB，最高工作頻率為83MHz，工作電壓為1.8V，具有32b的高速I/O接口。其3個驅(qū)動輸出使系統(tǒng)開發(fā)人員可以根據(jù)實際應用來優(yōu)化結(jié)構(gòu)，調(diào)整噪音。而且在待機模式下，只需維持基本的寄存器模塊工作，從而大大節(jié)省了功耗。www.necel.com
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]