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臺(tái)積電 文章 最新資訊

張忠謀:大陸IC五年追不上臺(tái)灣 臺(tái)積電拚2016年重返王座

  •   大陸祭出高薪大挖臺(tái)灣科技人才,臺(tái)積電(2330-TW) (TSM-US)董事長(zhǎng)張忠謀25日指出,大陸半導(dǎo)體業(yè)5年內(nèi)還無(wú)法趕上臺(tái)灣,三星才是臺(tái)積電當(dāng)前競(jìng)爭(zhēng)厲害的對(duì)手。他還強(qiáng)調(diào),臺(tái)積電16奈米制程將急起直追,2016年就會(huì)重回領(lǐng)導(dǎo)地位。   臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀   張忠謀表示,臺(tái)積電決定同時(shí)發(fā)展20奈米及16奈米制程,已經(jīng)預(yù)料16奈米制程會(huì)落后競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,但若把20奈米及16奈米的市占率合計(jì),臺(tái)積電今(2014)年、明(2015)年都“遙遙領(lǐng)先對(duì)手”,且16奈米制程技術(shù)急
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四大晶圓廠8寸晶圓均價(jià)對(duì)比

  •   四大晶圓代工廠每片8寸約當(dāng)晶圓價(jià)格   根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)估,臺(tái)積電因?yàn)橥ǔ?8/20奈米等先進(jìn)制程訂單,今年每片8寸約當(dāng)晶圓平均營(yíng)收達(dá)1,328美元,不僅較去年的 1,273美元成長(zhǎng)4.3%,比格羅方德(GlobalFoundries)高出27%,也較聯(lián)電高出42%。報(bào)告也預(yù)估,臺(tái)積電60%營(yíng)收來(lái)自于45奈米以下先進(jìn)制程,顯示先進(jìn)制程是推升晶圓代工營(yíng)收及獲利成長(zhǎng)的主要?jiǎng)幽堋?   根據(jù)IC Insights的預(yù)估,2014年晶圓代工市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁,包括臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電、中
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爭(zhēng)奪A9處理器 三星和臺(tái)積電到底哪家強(qiáng)?

  • 雖然三星的制程工藝更占上風(fēng),但是多年來(lái)的專利官司已傷了蘋(píng)果的心,臺(tái)積電插足是板上釘釘了。
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臺(tái)積電明年第二季度量產(chǎn)16nm制造工藝

  •   日前,臺(tái)積電聯(lián)席CEO魏哲家(音譯)透露,將于2015年第二季度或第三季度初量產(chǎn)16nm FinFET制造工藝,從而成為僅次于Intel 14nm的最先進(jìn)制造技術(shù)。據(jù)悉,尋求臺(tái)積電代工的客戶已經(jīng)超過(guò)60家,而蘋(píng)果的下一代移動(dòng)處理器A9就將采用這種工藝。臺(tái)積電另一位聯(lián)席CEO劉德音(音譯)爆料稱,該公司將于2015年完成10nm工藝的流片,2016年投入商業(yè)性量產(chǎn),目前已有10位客戶參加了10nm工藝的研發(fā)。   不過(guò),考慮到臺(tái)積電在今年初才開(kāi)始量產(chǎn)20nm工藝,如果上述計(jì)劃落實(shí),那么其將實(shí)現(xiàn)連續(xù)
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傳臺(tái)積電已簽協(xié)議:為新iPad量產(chǎn)A8X芯片

  •   據(jù)臺(tái)灣媒體Digitimes報(bào)道,蘋(píng)果已經(jīng)同臺(tái)積電簽署量產(chǎn)協(xié)議,后者將會(huì)生產(chǎn)用于新一代iPad上的A8X芯片,該芯片將采用20nm工藝制造。   傳臺(tái)積電已簽協(xié)議:為新iPad量產(chǎn)A8X芯片   媒體援引消息源稱,A8X采用同A8芯片(用于iPhone6和iPhone6Plus)相同的20納米制程,不過(guò)A8X芯片的面積要對(duì)比前代要大,可能為幫助臺(tái)積電創(chuàng)造潛在的收益率。臺(tái)灣TechNews媒體從不同渠道也證實(shí)了這條消息。   最近曝光的A8X芯片極有可能會(huì)率先裝載在iPadAir2上。
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傳臺(tái)積電已簽協(xié)議:為新iPad量產(chǎn)A8X芯片

  •   據(jù)臺(tái)灣媒體Digitimes報(bào)道,蘋(píng)果已經(jīng)同臺(tái)積電簽署量產(chǎn)協(xié)議,后者將會(huì)生產(chǎn)用于新一代iPad上的A8X芯片,該芯片將采用20nm工藝制造。   傳臺(tái)積電已簽協(xié)議:為新iPad量產(chǎn)A8X芯片   媒體援引消息源稱,A8X采用同A8芯片(用于iPhone6和iPhone6Plus)相同的20納米制程,不過(guò)A8X芯片的面積要對(duì)比前代要大,可能為幫助臺(tái)積電創(chuàng)造潛在的收益率。臺(tái)灣TechNews媒體從不同渠道也證實(shí)了這條消息。   最近曝光的A8X芯片極有可能會(huì)率先裝載在iPadAir2上。
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張忠謀談交棒:要像他一樣愛(ài)臺(tái)積

  •   張忠謀重回臺(tái)積電,皆是因?yàn)樗P(guān)心臺(tái)積電。在尋找未來(lái)接班人考量上,他也希望能把接班棒子交給跟他一樣想法的人。
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Cadence IP組合和工具支持臺(tái)積電新的超低功耗平臺(tái)

  •   全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布其豐富的IP組合與數(shù)字和定制/模擬設(shè)計(jì)工具可支持臺(tái)積電全新的超低功耗(ULP)技術(shù)平臺(tái)。該ULP平臺(tái)涵蓋了提供多種省電方式的多個(gè)工藝節(jié)點(diǎn),以利于最新的移動(dòng)和消費(fèi)電子產(chǎn)品的低功耗需求。   為加速臺(tái)積電超低功耗平臺(tái)的技術(shù)發(fā)展,Cadence將包括存儲(chǔ)器、接口及模擬功能的設(shè)計(jì)IP遷移到此平臺(tái)。使用Cadence TensilicaÒ數(shù)據(jù)平面處理器,客戶可以從超低功耗平臺(tái)受益于各種低功耗DSP應(yīng)用,包括影像、永遠(yuǎn)在線的語(yǔ)音、面部識(shí)
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Cadence為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合

  •   全球知名的電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)者Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布為臺(tái)積電16納米FinFET+ 制程推出一系列IP組合。 Cadence所提供的豐富IP組合能使系統(tǒng)和芯片公司在16納米FF+的先進(jìn)制程上相比于16納米FF工藝,獲得同等功耗下15%的速度提升、或者同等速度下30%的功耗節(jié)約。   目前在開(kāi)發(fā)16 FF+工藝的過(guò)程中,Cadence的IP產(chǎn)品組合包括了在開(kāi)發(fā)先進(jìn)制程系統(tǒng)單芯片中所需的多種高速協(xié)議,其中包括關(guān)鍵的內(nèi)存、存儲(chǔ)和高速互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)。IP將在2014年第四季度初通過(guò)測(cè)試芯片測(cè)試。有關(guān)IP
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Cadence數(shù)字與定制/模擬工具通過(guò)臺(tái)積電16FF+制程的認(rèn)證,并與臺(tái)積電合作開(kāi)發(fā)10納米FinFET工藝

  •   全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今日宣布,其數(shù)字和定制/模擬分析工具已通過(guò)臺(tái)積電公司16FF+制程的V0.9設(shè)計(jì)參考手冊(cè)(Design Rule Manual,DRM) 與SPICE認(rèn)證,相比于原16納米FinFET制程,可以使系統(tǒng)和芯片公司通過(guò)此新工藝在同等功耗下獲得15%的速度提升、或者在同等速度下省電30%。目前16FF+ V1.0認(rèn)證正在進(jìn)行中,計(jì)劃于2014年11月實(shí)現(xiàn)。Cadence也和臺(tái)積電合作實(shí)施了16FF+ 制程定制設(shè)計(jì)參考流程的多處改進(jìn)。此外,Cadence也
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臺(tái)積電采用Cadence的16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案

  •   全球知名電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先公司Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司,今日宣布臺(tái)積電采用了Cadence®16納米FinFET單元庫(kù)特性分析解決方案。由Cadence和臺(tái)積電共同研發(fā)的單元庫(kù)分析工具設(shè)置已在臺(tái)積電網(wǎng)站上線,臺(tái)積電客戶可以直接下載。該設(shè)置是以Cadence Virtuoso® Liberate® 特性分析解決方案和Spectre® 電路模擬器為基礎(chǔ),并涵蓋了臺(tái)積電標(biāo)準(zhǔn)單元的環(huán)境設(shè)置和樣品模板。   利用本地的Spectre API整合方案,Liberate和Spect
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臺(tái)積電超低耗電技術(shù)讓穿戴產(chǎn)品電池延長(zhǎng)10倍

  • 臺(tái)積電的超低耗電制程能夠進(jìn)一步降低操作電壓達(dá)20到30%,減少動(dòng)態(tài)與靜態(tài)功耗,同時(shí)能使可穿戴產(chǎn)品電池的使用壽命增大2至10倍。
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臺(tái)積電16nm制程大熱:海思量產(chǎn) 蘋(píng)果試投

  •   臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體(HiSilicon)成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的ARM架構(gòu)網(wǎng)絡(luò)芯片,設(shè)備廠透露,這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下,已取得壓倒性勝利。   此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。   臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三星:幫海思量產(chǎn),讓蘋(píng)果試投   臺(tái)積電16nm制程超越英特爾三
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Mentor Graphics工具通過(guò)TSMC16nmFinFET+工藝制程認(rèn)證

  •   Mentor Graphics公司今日宣布,基于臺(tái)積電(TSMC)的SPICE仿真工具認(rèn)證程序,Analog FastSPICE (AFS™)平臺(tái)(包括AFS Mega及Eldo®)通過(guò)了16nm FinFET+V0.9工藝制程認(rèn)證。V1.0的認(rèn)證正在進(jìn)行中,將于2014年11月完成。   “Mentor的Analog FastSPICE平臺(tái)、AFS Mega和Eldo已成功達(dá)到16nm FinFET+技術(shù)的精度和兼容性要求。采用TSMC 16nm FinFET+技術(shù)
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海思量產(chǎn),臺(tái)積16納米超前三星英特爾

  •   臺(tái)積電最近助海思半導(dǎo)體成功產(chǎn)出全球首顆以16納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)的安謀(ARM)架構(gòu)網(wǎng)通處理器,設(shè)備廠透露,這項(xiàng)成就宣告臺(tái)積電16納米在面臨三星及英特爾進(jìn)逼下,已取得壓倒性勝利。   此外,臺(tái)積電也正式向英特爾宣戰(zhàn),目標(biāo)是二年內(nèi)在10納米晶體管技術(shù)追平英特爾,屆時(shí)在芯片閘密度及金屬層連結(jié)等二要項(xiàng)都超越英特爾,將讓臺(tái)積電稱冠全球,并奠定全球晶圓代工不可撼動(dòng)的地位。   臺(tái)積電的這項(xiàng)成就,是昨天出席臺(tái)積電高雄氣爆感恩與祝福餐會(huì)的半導(dǎo)體設(shè)備廠所透露,針對(duì)臺(tái)積電宣布全球首顆16納米產(chǎn)
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臺(tái)積電介紹

  臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡(jiǎn)介   臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立,是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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