半導(dǎo)體文章最新資訊

DIALOG半導(dǎo)體借贏得JABRA設(shè)計擴大其在無線音頻領(lǐng)域中的成功

　　德國Kirchheim/Teck – 2012年8月29日- 高度集成和創(chuàng)新的電源管理、音頻和近距離無線技術(shù)供應(yīng)商Dialog 半導(dǎo)體有限公司(FWB:DLG)日前宣布：Jabra公司已經(jīng)采用該公司的短距離無線音頻芯片，用以開發(fā)其Jabra PRO 9450 Flex JP耳機，該耳機可連接到辦公室電話和采用諸如Skype或Microsoft Lync 等VoIP網(wǎng)絡(luò)電話軟件的電腦上。　　Jabra PRO 9450 Flex JP是一款時尚、高性能、輕便的無線耳機，它是第
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IR推出兩套完整的Ultrabook Vcore解決方案

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IR3588 ChiL數(shù)字控制IC，以及IR3552與IR3546單、雙相位PowIRstage器件，提供業(yè)界占位面積最小的解決方案，滿足英特爾 (Intel) 針對15W和25W Ultrabook筆記本電腦的VR12.6規(guī)格需求，有助于大幅延長電池壽命。
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美開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜

?　　據(jù)物理學家組織網(wǎng)報道，美國麻省理工學院的研究人員利用電子束光刻技術(shù)和剝離過程開發(fā)出無缺陷半導(dǎo)體納米晶體薄膜。這是一種很有前途的新材料，可廣泛應(yīng)用并開辟潛在的重點研究領(lǐng)域。相關(guān)報告發(fā)表在近期出版的《納米快報》雜志網(wǎng)絡(luò)版上。　　半導(dǎo)體納米晶體的大小決定了它們的電子和光學性質(zhì)。但想通過控制納米晶體在表面上的布置，形成具有均勻結(jié)構(gòu)的薄膜卻十分困難。典型的納米晶體薄膜一般都有能限制自身效用的裂縫，使得科研人員無法測量這些材料的基本特性。　　此次制成的無缺陷薄膜的導(dǎo)電率約為傳統(tǒng)方法制成的有裂縫
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三星跟隨英特爾和臺積電 5億歐元注資ASML公司

　　據(jù)外國媒體報道，荷蘭微影設(shè)備廠ASML今天宣布，三星公司已同意向ASML投資5.03億歐元(約合6.29億美元)，獲得該公司3%股權(quán)。此外，三星承諾在未來5年將向ASML公司投資2.76億歐元(約合3.45億美元)，支持ASML研發(fā)下一代微影技術(shù)。　　三星跟隨英特爾和臺積電 5億歐元注資ASML公司　　此前，臺積電和英特爾公司已宣布分別以8.38億歐元和33億歐元收購ASML公司5%和15%股權(quán)。同時，臺積電公司承諾在未來5年向ASML投入2.76億歐元，用于ASML的研發(fā)計劃。　　ASM
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半導(dǎo)體布局與三星之盛:打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈

　　只有半導(dǎo)體強大才能令消費電子產(chǎn)業(yè)強大，目前智能手機領(lǐng)域的蘋果、三星正是來自于半導(dǎo)體強國美國與韓國。　　據(jù)2013年第一財年季度報告顯示，RIM營收比去年下滑43%，凈虧損達5.18億美元，而上年同期實現(xiàn)凈利潤6.95億美元。截至6月29日，RIM股價繼續(xù)下跌了18.1%，公司市值僅為38億美元。與鼎盛的2008年相比，RIM市值已蒸發(fā)95%。為了節(jié)省開支自救，該公司還宣布，計劃在明年3月本財年度結(jié)束前裁減5000個工作崗位，約占員工總?cè)藬?shù)的1/3。　　黑莓是否能夠再次站起來?還是會踏上像Pal
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安森美半導(dǎo)體針對充電電池的低成本CCR充電解決方案

對于手機、數(shù)碼相機(DSC)、音樂播放器等便攜設(shè)備中常見的單節(jié)鋰離子電池等而言，充電一直是一個頗有挑戰(zhàn)性的問題，因為既要滿足特定應(yīng)用要求，又要確保安全和無故障的充電操作。本文將討論怎樣將安森美半導(dǎo)體的恒流穩(wěn)
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臺松綁限制條件 LED、面板、半導(dǎo)體等開放參股

　7月對大陸投資金額為11.79億美元、年減9%，連6個月負成長;今年前7月份投資金額為63.53億美元、年減24%，投審會表示，臺灣由于全球景氣不好，讓以IT為主的臺商對于產(chǎn)能擴充趨于保守。
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半導(dǎo)體氣體傳感器工作原理及結(jié)構(gòu)特征

氣體傳感器主要有半導(dǎo)體式、接觸燃燒方式、化學反應(yīng)式、光干涉式、熱傳導(dǎo)式、紅外線吸收散式等。而這當中以半導(dǎo)體氣體傳感器應(yīng)用更為廣泛。半導(dǎo)體氣體傳感器由氣敏部分、加熱絲以及防爆網(wǎng)等構(gòu)成，它是在氣敏部分的Sn
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華為威脅論十四年中國企業(yè)的無奈與夢想

當國家不能為人們的生存提供保障,不能成為人生實踐平臺的時候,所有的一切也就似那流星,所有的能力、熱血、才華、激情,也只是垂死者那慘白面孔上一縷燦爛的笑容!” 我們值得期待的是,今日中國非彼時中國,今日看似相同的情形,應(yīng)該會有不同的結(jié)局。
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半導(dǎo)體光電器件的工作原理分析

半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來,使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有,利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件,利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。這一節(jié)中簡略地向大家
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WSTS:世界半導(dǎo)體市場寄望明年

在AMD、Intel相繼退出WSTS(世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織)之后，WSTS余下成員6月仍在加拿大集會，按慣例進行了春季預(yù)測，但它態(tài)度較為悲觀，與市調(diào)公司Gartner、IHS iSuppli、IDC等日前上調(diào)今年世界半導(dǎo)體市場預(yù)測(從2～3%提升為約4%)相左，預(yù)測今年世界半導(dǎo)體市場將僅能與去年持平，微增0.4%，把增長的期望留待明年，預(yù)測彼時將增長7.2%，2014年續(xù)增4.4%。
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IC Insights：未來五年半導(dǎo)體成長可期

　　市調(diào)機構(gòu)ICInsights指出，未來五年內(nèi)，整體半導(dǎo)體市場將顯著回升，某些領(lǐng)域的年平均成長率還可望達到兩位數(shù)，特別是NAND快閃記憶體市場，自2011~2016年的平均年成長率最為強勁，可達16.6%。　　DRAM市場也預(yù)計將會好轉(zhuǎn)，2011~2016年的年成長率為9.6%，扭轉(zhuǎn)過去五年來的下降局面。這兩大領(lǐng)域?qū)⒂兄谡w半導(dǎo)體市場在2011~2016年期間的成長幅度較2006~2011年提高一倍。　　其他主要市場如微處理器(MPU)和類比元件，預(yù)計到2016年也將呈現(xiàn)成長。另外，光電/感測
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空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

摘要本文詳細介紹了熱插拔電路基礎(chǔ)，以及要求使用系統(tǒng)保護與管理 (SPM) 和印刷電路板 (PCB) 基板面極其珍貴的情況下系統(tǒng)設(shè)計人員所面臨的諸多挑戰(zhàn)。以模塊化實現(xiàn)利用集成數(shù)字熱插拔控制器時，我們?yōu)槟榻B了一種框架
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今年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將逾3千億美元

　　盡管全球景氣一片低迷，但是在智慧型手機與超薄筆記型電腦持續(xù)發(fā)燒下，上游半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在2012年仍舊維持成長態(tài)勢，而臺灣在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中， IC設(shè)計、IC制造或IC封測等領(lǐng)域都占舉足輕重的地位。　　2012年全球景氣一片不明朗，歐、美、大陸三大經(jīng)濟體的經(jīng)濟狀況都持續(xù)呈現(xiàn)低迷景象，其中歐洲在歐債與高失業(yè)率的雙重打擊下，消費需求持續(xù)不振;而原本看似回溫的美國市場，近來狀況又呈現(xiàn)走下坡的趨勢，電子消費市場出現(xiàn)低價化現(xiàn)象;至于被視為全球主要成長動能的中國大陸，經(jīng)濟成長率(GDP)更不斷被下修，國際貨幣基金
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2012年第二季度硅片出貨量增加

　　2012年8月13日，加利福尼亞州圣何塞---據(jù)SEMI協(xié)會屬下的全球硅制造商組織(SMG)關(guān)于硅晶片產(chǎn)業(yè)的季度分析顯示，2012年第二季度的全球硅晶片出貨總面積較第一季度有所增長。　　2012年第二季度的硅片出貨總面積達到了24.47億平方英寸，較第一季度的20.33億平方英寸增長了20%，比去年同期增長了2%。　　SEMI SMG主席，MEMC半導(dǎo)體產(chǎn)品營銷高級主管Bruce Kellerman博士表示：“正如預(yù)期，今年第二季度的硅晶片出貨總面積較第一季度與去年同期都有所增長。
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細 ]